维持器、集成电路及存取方法技术

本发明专利技术公开了一种维持器、集成电路及存取方法，该维持器适用于一集成电路。上述维持器包括一第一晶体管以及一第二晶体管。上述第一晶体管具有一第一栅极耦接于一反相器的一输出端。上述第二晶体管以串联方式耦接于上述第一晶体管。上述第二晶体管具有一第二栅极耦接于上述反相器的一输入端。本发明专利技术可以解决传统维持器的在感测电路的输出端引起从低至高电压状态的转变延迟的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体电路，尤其涉及维持器(ke^er)、集成电路及其系统。
技术介绍
存储器电路可使用于不同应用中。通常，存储器电路包括动态随机存取存储器 (dynamic random access memory, DRAM)、静态随机存取存储器(StaticRandom Access Memory, SRAM)及非挥发存储器电路。静态随机存取存储器包括多个存储单元。对传统六晶 体管(6-T)静态存储器而言，其提供由存储单元所组成的阵列，其中每一存储单元包括六 个晶体管。6-T静态随机存取存储器的存储单元耦接于位线BL、位线BLB以及字线WL。六 晶体管中的四个晶体管会形成两交互耦接(cross-coupled)反相器，用以存储表示“0”或 “1”的数据。剩余的两个晶体管当作存取晶体管使用，以控制对存储在存储单元内的数据进 行存取。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术提供一种维持器，适用于一集成电路。上述维持 器包括一第一晶体管，具有一第一栅极耦接于一反相器的一输出端；以及，一第二晶体管， 以串联方式耦接于上述第一晶体管，具有一第二栅极耦接于上述反相器的一输入端。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种维持器，适用于一集成电路，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极耦接于一反相器的一输出端；以及一第二晶体管，以串联方式耦接于上述第一晶体管，具有一第二栅极耦接于上述反相器的一输入端。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政宏，吴经纬，盛斌，廖宏仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]