量测装置和光刻装置制造方法及图纸

公开了一种并行量测传感器系统，包括参考框架和多个集成光学器件传感器头，每个集成光学器件传感器头被配置为执行独立测量

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测装置和光刻装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年5月4日提交的
EP
申请
21171975.2
的优先权，该申请通过引用整体并入本文
。


[0003]本专利技术涉及可用于例如通过光刻技术制造设备的方法和装置以及使用光刻技术制造设备的方法
。
更具体地，本专利技术涉及量测传感器，诸如位置传感器
。

技术介绍

[0004]光刻装置是将期望图案施加到衬底上
(
通常，施加到衬底的目标部分上
)
的机器
。
光刻装置可以用于例如制造集成电路
(IC)。
在这种情况下，图案形成装置可以被用来生成要形成在
IC
的个体层上的电路图案，该图案形成装置可替代地被称为掩模或掩模版
。
该图案可以转印到衬底
(
例如，硅晶片
)
上的目标部分
(
例如，包括管芯的一部分
、
一个管芯
、
或几个管芯
)
上
。
图案转印通常是经由成像到设在衬底上的辐射敏感材料
(
抗蚀剂
)
层上
。
一般而言，单个衬底将包含经连续图案化的相邻目标部分的网络
。
这些目标部分通常被称为“场”。
[0005]在制造复杂设备时，通常执行许多光刻图案化步骤，从而在衬底上的连续层中形成功能特征
。
因此，光刻装置的性能的一个关键方面是：能够相对于
(
由相同的装置或不同的光刻装置
)
在先前层中放置的特征来恰当地且准确地放置所施加的图案
。
为此目的，衬底设有一个或多个对准标记集合
。
每个标记都是一种其中稍后可以使用位置传感器
(
通常，光学位置传感器
)
测量其位置的结构
。
光刻装置包括一个或多个对准传感器，通过该一个或多个对准传感器，可以准确地测量标记在衬底上的位置
。
不同类型的标记和不同类型的对准传感器已知来自不同的制造商和同一制造商的不同产品
。
[0006]在其他应用中，量测传感器用于测量
(
抗蚀剂中的和
/
或蚀刻之后的
)
衬底上的经曝光的结构
。
一种快速的非侵入形式的专用检查工具是散射仪，其中辐射射束被引导到衬底的表面上的目标上，并且测量经散射或反射的射束的特性
。
已知散射仪的示例包括
US2006033921A1
和
US2010201963A1
中描述的类型的角度分辨散射仪
。
除了通过重构来测量特征形状之外，还可以使用这样的装置来测量基于衍射的套刻，如所公开的专利申请
US2006066855A1
中所描述的
。
使用衍射级的暗场成像进行的基于衍射的套刻量测使得能够在较小目标上进行套刻测量
。
可以在国际专利申请
WO2009/078708
和
WO 2009/106279
中找到暗场成像量测的示例，这些文献通过引用整体并入本文
。
已经在所公开的专利出版物
US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A
和
WO2013178422A1
中对该技术的其他发展进行了描述
。
这些目标可以小于照射斑点，并且可以被晶片上的产品结构包围
。
使用复合光栅目标可以在一个图像中测量多个光栅
。
所有这些申请的内容也通过引用并入本文
。
[0007]在诸如对准或套刻量测等的许多量测应用中，期望在尽可能快的时间内测量尽可能多的目标
/
对准标记
。
这使得能够在无需影响生产量的情况下更好地捕获和模型化高阶
失真和效果
。
如此，期望能够在相同的时间尺度内测量与现有量测装置相同的更多目标
/
标记的量测装置
。

技术实现思路

[0008]在第一方面中，本专利技术提供了一种并行量测传感器系统，包括参考框架；以及多个集成光学器件传感器头，每个集成光学器件传感器头被配置为执行独立测量；其中集成光学器件传感器头中的每个集成光学器件传感器头能够操作以测量其相对于参考框架的位置
。
[0009]通过考虑下文所描述的实施例，将理解本专利技术的上述和其他方面
。
附图说明
[0010]现在，参考附图，仅通过示例对本专利技术的实施例进行描述，其中
[0011]图1描绘了光刻装置；
[0012]图2示意性地图示了图1的装置中的测量过程和曝光过程；
[0013]图3示意性地描绘了根据实施例的并行量测传感器系统；
[0014]图4示意性地描绘了如图3所描绘的并行量测传感器系统的
(a)(
局部
)
俯视图
、(b)
正视图和
(c)
侧视图；
[0015]图5示意性地描绘了如图3所描绘的并行量测传感器系统的
(a)(
局部
)
顶视图
、(b)
正视图和
(c)
侧视图，并且图示了致动细节；以及
[0016]图6示意性地描绘了将光纤光学耦合到传感器头芯片的三种备选光纤耦合机构
。
具体实施方式
[0017]在详细描述本专利技术的实施例之前，提供其中可以实现本专利技术的实施例的示例环境具有指导意义
。
[0018]图1示意性地描绘了光刻装置
LA。
该光刻装置
LA
包括照射系统
(
照射器
)IL、
图案形成装置支撑件或支撑结构
(
例如，掩模台
)MT、
两个衬底台
(
例如，晶片台
)WTa
和
WTb、
以及投射系统
(
例如，折射投射透镜系统
)PS
，该照射系统
IL
被配置为调节辐射射束
B(
例如，
UV
辐射或
DUV
辐射
)
；该图案形成装置支撑件或支撑结构
MT
被构造为支撑图案形成装置
(
例如，掩模
)MA
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种并行量测传感器系统，包括：参考框架；以及多个集成光学器件传感器头，每个集成光学器件传感器头被配置为执行独立测量；其中所述集成光学器件传感器头中的每个集成光学器件传感器头能够操作以测量其相对于所述参考框架的位置
。2.
根据权利要求1所述的并行量测传感器系统，其中所述集成光学器件传感器头中的每个集成光学器件传感器头包括相应传感器头定位系统，所述传感器头定位系统用于测量其相应集成光学器件传感器头相对于所述参考框架的所述位置
。3.
根据权利要求2所述的并行量测传感器系统，其中每个传感器头定位系统能够操作以从其相应集成光学器件传感器头发射定位系统测量辐射，并且经由所述相应集成光学器件传感器头捕获从所述参考框架统上的参考结构散射的散射辐射
。4.
根据权利要求3所述的并行量测传感器系统，其中所述参考结构包括一维周期性结构或二维周期性结构，所述一维周期性结构或所述二维周期性结构被蚀刻到
、
嵌入到或附着到所述参考框架
。5.
根据权利要求
2、3
或4所述的并行量测传感器系统，其中所述传感器头定位系统能够操作以在平行于衬底平面的每个方向上测量其相应集成光学器件传感器头相对于所述参考框架的位置
。6.
根据权利要求2至5中任一项所述的并行量测传感器系统，其中所述传感器头定位系统能够操作以在垂直于衬底平面的方向上测量其相应集成光学器件传感器头相对于所述参考框架的位置
。7.
根据任一前述权利要求所述的并行量测传感器系统，还包括：至少一个载物台布置，用于所述多个集成光学器件传感器头；其中所述至少一个载物台布置使得所述集成光学器件传感器头之间的间距能够发生变化
。8.
根据权利要求7所述的并行量测传感器系统，其中所述至少一个载物台布置包括用于每个集成光学器件传感器头的相应传感器头模块，所述传感器头模块能够独立移动，从而使得所述集成光学器件传感器头中的每个集成光学器件传感器头能够至少在平行于衬底平面的第一方向上独立移动
。9.
根据权利要求8所述的并行量测传感器系统，其中所述传感器头模块中的每个传感器头模块包括用于在所述第一方向上移动所述传感器头模块的相应第一致动器布置
。10.
根据权利要求8或9所述的并行量测传感器系统，其中所述至少一个载物台布置使得所述集成光学器件传感器头中的每个集成光学器件传感器头能够在平行于所述衬底平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：