用于在带电粒子系统中的检查期间确定局部聚焦点的系统和方法技术方案

提供了用于确定样品上的局部聚焦点

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在带电粒子系统中的检查期间确定局部聚焦点的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求
2021
年3月
30
日提交的美国申请
63/168,197
的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文
。


[0003]本文的描述涉及带电粒子束系统的领域，并且更具体地涉及用于在带电粒子束系统检查系统中的检查期间确定样品上的局部聚焦点的系统
。

技术介绍

[0004]在集成电路
(IC)
的制造过程中，对未完成或已完成的电路部件进行检查以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷
。
利用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的分辨率；并且分辨率受到光波长的限制
。
随着
IC
部件的物理尺寸不断减小至
100
纳米以下甚至
10
纳米以下，需要比利用光学显微镜的检查系统具有更高分辨率的检查系统
。
[0005]带电粒子
(
例如，电子
)
束显微镜，诸如扫描电子显微镜
(SEM)
或透射电子显微镜
(TEM)
，其分辨率能够低至小于纳米，其用作检查特征尺寸低于
100
纳米的
IC
部件的实用工具
。
利用
SEM
，单个初级电子束的电子或多个初级电子束的电子可以被聚焦在待检查的晶片的感兴趣位置处
。
初级电子与晶片相互作用并且可以背散射或者可以导致晶片发射次级电子
。
包括背散射电子和次级电子的电子束的强度可以基于晶片的内部和外部结构的属性而变化，从而可以指示晶片是否具有缺陷
。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供了用于确定样品上的局部聚焦点
(LFP)
的装置
、
系统和方法
。
在一些实施例中，控制器包括电路，该电路被配置为使系统执行：选择第一多个抗蚀剂图案设计；使用第一多个抗蚀剂图案设计来执行多个过程模拟；基于所执行的过程模拟的结果来标识与抗蚀剂图案设计相对应的热点；确定与多个候选抗蚀剂图案设计相对应的聚焦相关特性，其中多个候选抗蚀剂图案设计是第一多个抗蚀剂图案设计的子集，并且子集是基于所标识的热点来选择的；并且基于所生成的聚焦相关特征来确定多个
LFP
的位置
。
[0007]在一些实施例中，用于确定样品上的
LFP
的方法可以包括：选择第一多个抗蚀剂图案设计；使用第一多个抗蚀剂图案设计来执行多个过程模拟；基于所执行的过程模拟的结果来标识抗蚀剂图案设计中的热点；确定多个候选抗蚀剂图案设计的聚焦相关特性，其中多个候选抗蚀剂图案设计是第一多个抗蚀剂图案设计的子集，并且该子集是基于所标识的热点来选择的；并且基于所生成的聚焦相关特征来确定多个
LFP
的位置
。
[0008]在一些实施例中，非暂态计算机可读介质可以存储能够由计算设备的至少一个处理器执行的指令集，以使计算设备执行用于确定样品上的
LFP
的方法
。
该方法可以包括：选择第一多个抗蚀剂图案设计；使用第一多个抗蚀剂图案设计来执行多个过程模拟；基于所
执行的过程模拟的结果来标识抗蚀剂图案设计中的热点；确定多个候选抗蚀剂图案设计的聚焦相关特性，其中多个候选抗蚀剂图案设计是第一多个抗蚀剂图案设计的子集，并且该子集是基于所标识的热点来选择的；并且基于所生成的聚焦相关特征来确定多个
LFP
的位置
。
附图说明
[0009]图1是图示了与本公开的实施例一致的示例性电子束检查
(EBI)
系统的示意图
。
[0010]图2是图示了与本公开的实施例一致的示例性多束系统的示意图，该多束系统是图1的示例性带电粒子束检查系统的一部分
。
[0011]图3是与本公开的实施例一致的用于确定样品上的
LFP
的示例性系统的示意图
。
[0012]图4是图示了与本公开的实施例一致的抗蚀剂图案设计的示例性轮廓图像的示意图
。
[0013]图5是图示了与本公开的实施例一致的抗蚀剂图案设计的示例性轮廓图像的示意图
。
[0014]图6是图示了与本公开的实施例一致的所生成的
SEM
图像的示意图
。
[0015]图7是图示了与本公开的实施例一致的确定样品上的
LFP
的示例性过程的流程图
。
具体实施方式
[0016]现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中被图示
。
以下描述参考附图，其中除非另有说明，否则不同附图中相同的数字表示相同或相似的元件
。
在示例性实施例的以下描述中阐述的实现方式并不表示与本公开一致的所有实现方式
。
相反，它们仅仅是与所附权利要求中所述的主题相关的各方面一致的装置和方法的示例
。
例如，尽管在利用电子束的上下文中描述了一些实施例，但是本公开不限于此
。
可以类似地应用其他类型的带电粒子束
。
此外，可以使用其他成像系统，诸如光学成像
、
光电检测
、x
射线检测
、
极紫外检查
、
深紫外检查等等
。
[0017]电子器件由在被称为基板的硅片上形成的电路构成
。
许多电路可以一起形成在同一硅片上，并且被称为集成电路或
IC。
这些电路的尺寸已被显著减小，使得它们中的许多可以被安装在基板上
。
例如，智能电话中的
IC
芯片可以小至拇指甲并且还可以包括超过
20
亿个晶体管，每个晶体管的尺寸小于人类头发尺寸的
1/1000。
[0018]制造这些极小的
IC
是一个复杂
、
耗时且昂贵的过程，通常涉及数百个单独的步骤
。
即使是在一个步骤中的错误也有可能导致成品
IC
中的缺陷，从而使其无用
。
因此，制造过程的一个目标是避免这种缺陷，以使过程中制造的功能
IC
的数目最大化，即提高过程的整体产率
。
[0019]提高产率的一个组成部分是监控芯片制造过程以确保其生产足够数量的功能集成电路
。
监控该过程的一种方式是在芯片电路结构形成的各个阶段检查芯片电路结构
。
可以使用扫描电子显微镜
(SEM)
进行检查
。SEM
可以被用来对这些极小的结构进行成像，实际上是对晶片的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于确定样品上的局部聚焦点
LFP
的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器包括电路，所述电路被配置为使得所述系统执行：选择第一多个抗蚀剂图案设计；使用所述第一多个抗蚀剂图案设计来执行多个过程模拟；基于所执行的所述过程模拟的结果，标识与抗蚀剂图案设计相对应的热点；确定与多个候选抗蚀剂图案设计相对应的聚焦相关特性，其中所述多个候选抗蚀剂图案设计是所述第一多个抗蚀剂图案设计的子集，并且所述子集是基于所标识的所述热点来选择的；以及基于所生成的所述聚焦相关特性，确定多个
LFP
的位置
。2.
根据权利要求1所述的系统，其中选择所述多个抗蚀剂图案设计包括：分析第二多个抗蚀剂图案设计；按图案类型对所述第二多个抗蚀剂图案设计进行分组；以及从所述第二多个抗蚀剂图案设计的每组中采样抗蚀剂图案设计，其中所述第一多个抗蚀剂图案设计的所述选择是基于采样的所述抗蚀剂图案设计
。3.
根据权利要求1所述的系统，其中执行所述多个过程模拟包括基于所述第一多个抗蚀剂图案设计来生成轮廓图像
。4.
根据权利要求3所述的系统，其中所述电路还被配置为使得所述系统执行：接收过程变化集，其中所述多个过程模拟是基于所接收的所述过程变化集，以及其中所述轮廓图像描绘了所述过程变化集对与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的所述样品上的特征的影响
。5.
根据权利要求4所述的系统，其中所述过程变化集包括以下中的任一项：定义与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的多个光聚焦调整的数据或定义与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的多个光强度调整的数据
。6.
根据权利要求1所述的系统，其中执行所述多个过程模拟包括使用以下中的任一项：抗蚀剂模型
、
光刻模型
、
蚀刻模型或扫描模型
。7.
根据权利要求1所述的系统，其中所执行的所述过程模拟的所述结果包括所述样品上与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的特征的尺寸
。8.
根据权利要求7所述的系统，其中所述电路还被配置为使得所述系统执行：标识特征中的所述热点，其中所述特征的所述尺寸低于阈值
。9.
根据权利要求1所述的系统，其中所述热点包括这样的区域，所述区域在所述样品上与所述第一多个抗蚀剂图案设计中的任何一个抗蚀剂图案设计相对应的特征中存在缺陷的可能性较高
。10.
根据权利要求1所述的系统，其中确定与所述多个候选抗蚀剂图案设计相对应的聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德胜，王思博，刘宗宪，谢永桓，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：