用于在带电粒子系统中的检查期间确定局部聚焦点的系统和方法技术方案

提供了用于确定样品上的局部聚焦点

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在带电粒子系统中的检查期间确定局部聚焦点的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求
2021
年3月
30
日提交的美国申请
63/168,197
的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文
。


[0003]本文的描述涉及带电粒子束系统的领域，并且更具体地涉及用于在带电粒子束系统检查系统中的检查期间确定样品上的局部聚焦点的系统
。

技术介绍

[0004]在集成电路
(IC)
的制造过程中，对未完成或已完成的电路部件进行检查以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷
。
利用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的分辨率；并且分辨率受到光波长的限制
。
随着
IC
部件的物理尺寸不断减小至
100
纳米以下甚至
10
纳米以下，需要比利用光学显微镜的检查系统具有更高分辨率的检查系统
。
[0005]带电粒子r/>(
例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于确定样品上的局部聚焦点
LFP
的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器包括电路，所述电路被配置为使得所述系统执行：选择第一多个抗蚀剂图案设计；使用所述第一多个抗蚀剂图案设计来执行多个过程模拟；基于所执行的所述过程模拟的结果，标识与抗蚀剂图案设计相对应的热点；确定与多个候选抗蚀剂图案设计相对应的聚焦相关特性，其中所述多个候选抗蚀剂图案设计是所述第一多个抗蚀剂图案设计的子集，并且所述子集是基于所标识的所述热点来选择的；以及基于所生成的所述聚焦相关特性，确定多个
LFP
的位置
。2.
根据权利要求1所述的系统，其中选择所述多个抗蚀剂图案设计包括：分析第二多个抗蚀剂图案设计；按图案类型对所述第二多个抗蚀剂图案设计进行分组；以及从所述第二多个抗蚀剂图案设计的每组中采样抗蚀剂图案设计，其中所述第一多个抗蚀剂图案设计的所述选择是基于采样的所述抗蚀剂图案设计
。3.
根据权利要求1所述的系统，其中执行所述多个过程模拟包括基于所述第一多个抗蚀剂图案设计来生成轮廓图像
。4.
根据权利要求3所述的系统，其中所述电路还被配置为使得所述系统执行：接收过程变化集，其中所述多个过程模拟是基于所接收的所述过程变化集，以及其中所述轮廓图像描绘了所述过程变化集对与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的所述样品上的特征的影响
。5.
根据权利要求4所述的系统，其中所述过程变化集包括以下中的任一项：定义与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的多个光聚焦调整的数据或定义与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的多个光强度调整的数据
。6.
根据权利要求1所述的系统，其中执行所述多个过程模拟包括使用以下中的任一项：抗蚀剂模型
、
光刻模型
、
蚀刻模型或扫描模型
。7.
根据权利要求1所述的系统，其中所执行的所述过程模拟的所述结果包括所述样品上与所述第一多个抗蚀剂图案设计相对应的特征的尺寸
。8.
根据权利要求7所述的系统，其中所述电路还被配置为使得所述系统执行：标识特征中的所述热点，其中所述特征的所述尺寸低于阈值
。9.
根据权利要求1所述的系统，其中所述热点包括这样的区域，所述区域在所述样品上与所述第一多个抗蚀剂图案设计中的任何一个抗蚀剂图案设计相对应的特征中存在缺陷的可能性较高
。10.
根据权利要求1所述的系统，其中确定与所述多个候选抗蚀剂图案设计相对应的聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德胜，王思博，刘宗宪，谢永桓，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：