一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法技术

本发明专利技术提供一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法，包括印刷制作

【技术实现步骤摘要】
一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法


[0001]本专利技术涉及厚膜电路生产
，尤其涉及一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法
。

技术介绍

[0002]厚膜电路生产过程中，需要在基板中印刷金导体浆料，并进行高温烧结，由于金导体成本较高，如果烧结成品不理想，不仅耗时耗力，还会大大提高生产成本
。
现有技术中，对厚膜电路基板的烧结基本步骤进行了揭示，但是对于金导体印刷烧结的具体步骤
、
时间及温度控制未提及
。
按照现有技术揭示的方法进行处理，容易导致烧结后的金导体表面粗糙
、
大片区域存在透光现象，且金导体上有较大气泡，以至于生产的厚膜电路稳定性差，不良率较高
。

技术实现思路

[0003]目前现有技术存在不良率高的技术问题，本专利技术提供一种用于解决上述问题的一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法
。
[0004]本专利技术提供一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法，包括以下步骤：
[0005]S1、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
印刷：准备陶瓷基板及金导体浆料，根据设计图制作厚膜电路基板；
S2、
流平：将印刷后的所述厚膜电路基板静置5～
20
分钟；
S3、
烘干：将所述厚膜电路基板进行烘干处理，干燥温度为
145℃
～
165℃
，干燥时间为5～
20
分钟；
S4、
烧结：对所述厚膜电路基板进行烧结处理，烧结时间为
60min
～
65min
，所述烧结分为升温阶段
、
保温阶段及降温阶段，所述升温阶段包括排胶阶段，所述排胶阶段时间为
5.3min
～
8.3min
，所述保温阶段的温度为
810℃
～
900℃。2.
根据权利要求1所述的厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法，其特征在于，所述
S4
中，所述排胶阶段的温度为
300℃
～
600℃。3.
根据权利要求1所述的厚膜电路金导体浆料印刷烧结方法，其特征在于，所述
S4
中，所述保温阶段的温度为
820℃
～...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奇林，冷和平，廖伦强，
申请(专利权)人：威科电子模块深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：