System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种厚膜电路板的微组装工艺制造技术_技高网

一种厚膜电路板的微组装工艺制造技术

技术编号:40300324 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-07 20:47
本发明专利技术提供一种厚膜电路板的微组装工艺,通过控制裸芯的尺寸来切割压片的尺寸,对所述压片的底面采用砂纸进行打磨处理,对所述裸芯进行预热固化处理,控制压片在裸芯上叠放的时间,最终测量出裸芯的形变量、平整度等实验参数。从而起到消除裸芯内部孔洞,提高裸芯的平整度的效果。并最终降低了裸芯的不良率,提高了裸芯后续的键合工艺的效率,提高了裸芯的生产加工效率。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及电子元器件领域,具体涉及一种厚膜电路板的微组装工艺


技术介绍

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技术介绍

1、在手工组装芯及其他相关组件的过程中,为了保证手动键合机及自动键合机在键合过程中不会出现因芯片及相关组件平整度不够而影响键合质量及效率的情况。往往需要对即将键合的裸芯进行压平处理,在组装过程中需要将裸芯施加相应的压力使其水平固定,在这一过程中可以提升裸芯的平整度,降低裸芯内部的空洞率。

2、在现有技术中,例如公开(公告)号为cn108648999a的专利公开文本中写明:封装方法包括:(1)磨片:半导体被传送带送到磨片机内,磨片机内旋转的砂轮从背面将晶圆磨薄,将晶圆磨到指定的厚度;(2)装片:半导体被传送带送到装片机内,半导体正面朝下固定在装片机内工作台的真空吸盘上,然后铺上不锈刚晶圆固定铁环,再在铁环上盖上粘性蓝膜,最后施加压力,把蓝膜、晶圆和铁环粘合在一起;(3)划片:半导体被传送带送到划片机内,划片机内旋转的金刚石刀片在切割槽中来回移动,将半导体内的芯片分离;(4)贴片:半导体被传送带送到贴片机内,贴片机内的顶针从蓝膜下面将芯片往上顶、同时真空吸嘴将芯片往上吸,将芯片与膜蓝脱离;将液态环氧树脂涂到引线框架的台载片台上;将芯片粘贴到涂好环氧树脂的引线框架上;(5)引线键合:半导体被传送带送到金线焊接机内,用金线将引线框架的引脚和芯片的焊盘连接起来。

3、总体来说,现有的封装技术包括磨片、装片、划片、贴片以及引线键合工艺。但是在实际操作中,对厚膜电路板的封装技术属于系统级封装,将具有不同功能的有源电子元件、光学器件等其他件组装到一起形成单个封装件。因此也意味着厚膜电路板的系统级封装中手工组装器件容易存在空洞,组装后元器件不平整、歪斜等现象,多层基板之间更容易存在孔洞,而造成组装不良,影响后道键合工序的效率。


技术实现思路

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技术实现思路

1、为解决厚膜电路板的系统级封装中手工组装器件容易存在空洞,组装后元器件不平整、歪斜等现象,而造成组装不良,影响后道键合工序的效率的技术问题,本专利技术提供一种厚膜电路板的微组装工艺。

2、本专利技术提供一种厚膜电路板的微组装工艺,包括以下步骤:

3、s01、根据裸芯的尺寸切割压片的尺寸,所述压片的底面的面积和所述裸芯的表面积的比值在130%到120%之间;

4、s02、对所述压片的底面采用砂纸进行打磨处理,所述砂纸的目数范围为大于等于1000目;

5、s03、对所述裸芯进行预热固化处理;

6、s04、在所述压片之上放置压块,使得所述压块、所述压片以及所述裸芯从上到下依次叠放;

7、s05、对所述裸芯进行金丝键合处理,测量所述裸芯的平整度,所述平整度小于等于5°。

8、需要说明的是,所述步骤s03包括:

9、s31、在pcb板上放置助焊剂和焊片;

10、s32、点燃所述助焊剂,并将所述裸芯放置到所述pcb板上;

11、s33、对所述裸芯和所述pcb板进行预热和固化处理。

12、需要说明的是,所述步骤s33中:对所述裸芯和所述pcb板进行预热的时间范围是2min到3min。

13、需要说明的是,所述焊片与所述裸芯尺寸相适应。

14、需要说明的是,所述步骤s04中:

15、所述压块的重量为0.03n到0.05n;

16、所述压块和所述压片在所述裸芯上叠放的时长为20ms到60ms之间。

17、需要说明的是,所述步骤s04中:

18、所述裸芯的横向形变量为1.2μm-2.4μm;

19、所述裸芯的纵向形变量为1.7μm-3.9μm。

20、需要说明的是,所述压片和所述压块的材质可以是陶瓷或不锈钢材质。

21、需要说明的是,所述陶瓷包含有三氧化二铝成分。

22、需要说明的是,所述压片和所述压块可以是一体化设计。

23、需要说明的是,所述压块的形状可以是正方形或者长方形。

24、需要说明的是,所述厚膜电路板的微组装工艺,还包括:

25、s06、对所述裸芯进行金丝、铝丝或者铜丝键合处理后,测量所述金丝键合后的裸芯的导通情况。

26、与现有技术相比,本专利技术提供的所述厚膜电路板的微组装工艺,通过将打磨后的压块压制到预热加工后的裸芯表面,然后控制压块的重量、裸芯预热的时间、压块在裸芯上叠放的时长等,最终测量出裸芯的形变量、平整度等实验参数。从而起到消除裸芯内部孔洞,提高裸芯的平整度的效果。并最终降低了裸芯的不良率,提高了裸芯后续的键合工艺的效率,提高了裸芯的生产加工效率。

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【技术保护点】

1.一种厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤S03包括:

3.如权利要求2所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤S33中:对所述裸芯和所述PCB板进行预热的时间范围是2min到3min。

4.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤S04中:

5.如权利要求4所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤S04中:

6.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述压片和所述压块的材质可以是陶瓷或不锈钢材质。

7.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述压片和所述压块可以是一体化设计。

8.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述压块的形状可以是正方形或者长方形。

9.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,还包括:

【技术特征摘要】

1.一种厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤s03包括:

3.如权利要求2所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤s33中:对所述裸芯和所述pcb板进行预热的时间范围是2min到3min。

4.如权利要求1所述的厚膜电路板的微组装工艺,其特征在于,所述步骤s04中:

5.如权利要求4所述的厚膜电路板的微组装工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员:冷和平李奇林吴辉
申请(专利权)人:威科电子模块深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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