一种制造技术

一种

【技术实现步骤摘要】
一种OLED的复合柔性衬底结构


[0001]本技术属于显示器的制造
，具体是指一种
OLED
的复合柔性衬底结构
。

技术介绍

[0002]有机发光二极管
(OrganicLight
‑
EmittingDiode
，
OLED)
显示器，具备自发光
、
高亮度
、
宽视角
、
高对比度
、
可挠曲
、
低能耗等特性，已逐步取代传统液晶显示器
。
现有的柔性
OLED
显示器一般包括柔性
TFT
背板以及设于柔性
TFT
背板上的
OLED
器件
。
[0003]聚酰亚胺
(Pi)
具有优异的柔韧性和化学稳定性，可以耐受一定的温度，而且质轻，可实现卷对卷工艺，是目前主要的柔性
OLED
的衬底材料，但仍存在如下问题：
1、
表面粗糙度大，影响后续的成膜质量；
2、
水氧阻隔性差，水汽透过率为
0.4
～
21g/m2.day
，氧气透过率为
0.04
～
17cm3/m2.day
，影响
OLED
器件的寿命；
3、
高温尺寸稳定性差，热膨胀系数为
30
～
60ppm/K(
‑
55
～
85℃)
，在衬底上制备
TFT
过程中，有些工艺需要在较高温度下完成，尤其采用
LTPS
技术时，非晶硅到多晶硅转变温度高达
400
～
500℃
，容易造成衬底受热变形翘曲
。
[0004]中国专利技术专利
CN108428666A
公布了一种复合柔性衬底结构，在聚酰亚胺
(Pi)
衬底从下至上依次沉积数层相互层叠的氮化硅薄膜与氧化硅薄膜
、
及位于最上层的氧化铝薄膜，以改善
Pi
衬底的表面粗糙度和提高衬底的水汽阻隔性能，但氮化硅
、
氧化硅
、
氧化铝等材料热导率较低，衬底上制备
TFT
过程中产生的热量无法快速传导到外界，容易聚集在衬底，导致衬底受热变形翘曲
。
中国专利技术专利
CN111370577A
公布了另一种柔性衬底结构，其采用在聚酰亚胺
(Pi)
衬底中引入石墨烯增强体，其中石墨烯增强体包括片层石墨烯基体和金属纳米颗粒，在保证衬底良好弯折特性和抗变形能力的同时，提高衬底的热传导性能，但是该方案只提高了衬底的热传导性能，并不能改善衬底的水汽阻隔性能和衬底表面粗糙度
。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题在于提供一种导热性好的
OLED
的复合柔性衬底结构，改善
Pi
衬底的表面粗糙度，提高衬底的水汽阻隔性能
。
[0006]本技术是这样实现的：
[0007]一种
OLED
的复合柔性衬底结构，自下而上依次包括：高分子有机衬底层
、
无机缓冲层
、VO2相变导热层
。
[0008]进一步地，所述高分子有机衬底层，为聚酰亚胺
、
聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯中的其中一种
。
[0009]进一步地，所述无机缓冲层，为氮化硅
、
氧化硅或氧化铝中的其中一种
。
[0010]本技术的优点在于：
[0011]1、
无机缓冲层可以修饰高分子有机衬底层表面，为后续成膜提供平坦表面，而且无机膜较致密，可提高衬底的阻隔水氧性能；
[0012]2、VO2薄膜具有较低的相变温度
(
在
60
‑
80℃
时，由单斜相转变为四方相
)
，可吸收
后续
TFT
制造过程中释放的热量，而且发生相变后，材料的热导率能够提高
60
％，进一步将热量沿横向传导至外界，避免最底下的高分子有机衬底受热变形翘曲，同时
VO2薄膜较致密，能进一步提高衬底的阻隔水氧性能
。
附图说明
[0013]下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的描述
。
[0014]图1是本技术的复合柔性衬底结构示意图
。
具体实施方式
[0015]如图1所示，一种
OLED
的复合柔性衬底结构，自下而上依次包括：包括：高分子有机衬底层
1、
无机缓冲层
2、VO2相变导热层
3。
[0016]高分子有机衬底层1，为聚酰亚胺
(Pi)、
聚对苯二甲酸乙二醇酯
(PET)
或聚萘二甲酸乙二醇酯
(PEN)
中的其中一种，具有优异的柔韧性，起支撑作用
。
[0017]无机缓冲层2，为氮化硅
、
氧化硅或氧化铝中的其中一种，可以修饰高分子有机衬底层1的表面，为后续成膜提供平坦表面，保证成膜质量，而且无机膜较致密，可提高衬底的阻隔水氧性能
。
[0018]VO2相变导热层
3(
也可以称为
VO2薄膜
)
具有较低的相变温度
(
在
60
‑
80℃
时，由单斜相转变为四方相
)
，可吸收后续
TFT
制造过程中释放的热量，而且发生相变后，材料的热导率能够提高
60
％，进一步将热量沿横向传导至外界，避免最底下的高分子有机衬底受热变形翘曲，同时
VO2薄膜较致密，能进一步提高衬底的阻隔水氧性能
。
[0019]上述一种
OLED
的复合柔性衬底结构的制备方法，包括如下步骤：
[0020]步骤
S1
：通过喷墨印刷
、
丝网印刷或狭缝涂布的方法形成高分子有机衬底1，厚度为1‑5μ
m
；
[0021]步骤
S2
：通过化学气相沉积
(CVD)
或原子沉积
(ALD)
的方法制备无机缓冲层2，厚度为
300
‑
1000nm
；
[0022]步骤
S3
：采用化学气相沉积法
(CVD)、
磁控溅射沉积法
、
或脉冲激光沉积法方法
(PLD)
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
OLED
的复合柔性衬底结构，其特征在于：自下而上依次包括：高分子有机衬底层
、
无机缓冲层
、VO2相变导热层
。2.
如权利要求1所述的一种
OLED
的复合柔性衬底结构，其特征在于：所述高分子有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：林啟维，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：