电致发光显示器制造技术

本公开涉及一种发光显示器，包括：基板，包括具有像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；在基板上的平坦化层；纳米基底层，在平坦化层上并在纳米基底层的上表面上具有多个纳米图案；在纳米基底层上的第一缓冲层；阳极，在像素处设置在第一缓冲层上；堤部，覆盖阳极的周边区域并暴露阳极的中心区域以限定像素中的发光区域；在阳极上的发光层；以及在发光层上的阴极。层上的阴极。层上的阴极。

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示器


[0001]本公开涉及一种包括具有纳米结构的发光器件的电致发光显示器。具体地，本公开涉及一种通过使用纳米图案(或纳米粒子)来提高光提取效率的发光显示器。

技术介绍

[0002]最近，已经开发了阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器等各种类型的显示器。这些各种类型的显示器用于根据它们的固有特性和用途来显示计算机、移动电话、银行存取款设备(ATM)和车辆导航系统等各种产品的图像数据。
[0003]在这些显示设备中，发光显示器具有宽视角、优异对比度和高响应速度等优点，因此作为下一代显示器备受关注。在发光显示器中使用的发光元件通常在阳极与阴极之间包括由有机或无机材料制成的发光层。
[0004]在发光元件中，从阳极提供空穴，从阴极提供电子，使得电子和空穴在发光层中结合以产生激子。随着激子从激发态变为基态，发光层中的荧光分子发光以在发光显示器中再现颜色和对比度。
[0005]发光元件的功率效率是确定驱动发光元件所需的功率消耗的非常重要的因素。随着功率效率提高，可以用小电流获得期望的亮度，这也有助于延长器件寿命。有各种因素来提高发光元件的功率效率，但其中一个主要因素是提高用于光提取的空穴和电子的耦合效率。
[0006]在实际实现的发光显示器的结构中，可以在用于具有相对高折射率的阳极或阴极的透明导电层与发光层之间形成光波导。因此，在发光层中产生的大约50％的光可能被俘获在光波导内部，并且由于玻璃基板与环境的空气层之间的折射率差异所引起的全反射，30％的光可能被俘获在器件内部。其结果，最终向用户发射的光量可减少到大约20％。
[0007]为了解决该问题，已经开发了一种通过将微透镜或纳米尺寸的结构插入到器件中来提高发光元件的光提取效率的方法。具体地，越来越需要开发一种具有纳米结构的发光显示器，以简化制造工艺，降低制造成本，并提高光提取效率。

技术实现思路

[0008]在解决上述问题方面，本公开的目的是提供一种具有纳米结构的提高了光提取效率的发光显示器。本公开的另一目的是提供一种包括不需要单独的纳米材料形成工序而具有恒定密度分布和高密度的纳米结构的发光显示器。
[0009]在一个实施例中，一种发光显示器，包括：基板，所述基板包括具有像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；在基板上的平坦化层；纳米基底层，所述纳米基底层在平坦化层上并且所述纳米基底层的上表面上具有多个纳米图案；在纳米基底层上的第一缓冲层；阳极，所述阳极在像素处设置在第一缓冲层上；堤部，所述堤部覆盖阳极的周边区域并使阳极的中心区域暴露，以限定像素中的发光区域；阳极上的发光层；以及在发光层上的阴
极。
[0010]在一个实施例中，纳米基底层设置在整个显示区域上。
[0011]在一个实施例中，纳米基底层设置在与发光区域相对应的区域。
[0012]在一个实施例中，发光显示器还包括在纳米基底层与平坦化层之间的第二缓冲层。
[0013]在一个实施例中，第二缓冲层包括硅氮化物层。
[0014]在一个实施例中，第二缓冲层还包括设置在硅氮化物层下方的硅氧化物层。
[0015]在一个实施例中，发光显示器还包括在第二缓冲层与平坦化层之间的金属层。
[0016]在一个实施例中，金属层不与纳米基底层重叠并且设置在显示区域中。
[0017]在一个实施例中，金属层设置在整个显示区域上。
[0018]在一个实施例中，金属层包括铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)及其合金中的任一种。
[0019]在一个实施例中，第一缓冲层包括硅氮化物层。
[0020]在一个实施例中，第一缓冲层还包括硅氧化物层。
[0021]在一个实施例中，纳米基底层包含铟。
[0022]在一个实施例中，像素包括第一像素和第二像素。纳米基底层包括设置在第一像素处的第一纳米基底层以及设置在第二像素处的第二纳米基底层。第一纳米基底层具有第一厚度。第二纳米基底层具有比第一厚度薄的第二厚度。
[0023]在一个实施例中，纳米图案包括：分布在第一纳米基底层上的第一纳米图案；以及分布在第二纳米基底层上的第二纳米图案。第一纳米图案具有第一尺寸。第二纳米图案具有比第一尺寸小的第二尺寸。
[0024]在一个实施例中，像素包括第一像素和第二像素。第一缓冲层以第一厚度设置在第一像素处，并且以第二厚度设置在第二像素处。第二厚度比第一厚度薄。
[0025]在一个实施例中，在第一像素中，在第一缓冲层上再现的纳米图案的第一再现尺寸是第一尺寸。在第二像素中，在第一缓冲层上再现的纳米图案的第二再现尺寸是小于第一尺寸的第二尺寸。
[0026]在一个实施例中，像素包括第一像素和第二像素。纳米基底层设置在第一像素处。纳米基底层不设置在第二像素处。
[0027]在一个实施例中，在第一像素处，纳米图案分布在纳米基底层与第一缓冲层之间。在第二像素处，纳米图案不设置在第一缓冲层的下方。
[0028]本公开的发光显示器可以通过在阳极上形成纳米结构来提供一种从发光层产生的光的提取效率得以提高的发光显示器。此外，在构成纳米结构时，本公开可以通过简化沉积铟锡氧化物层和氮化物层的制造工序而不用任何额外的纳米工序来提供制造成本降低的光提取效率高的发光显示器。此外，提供了一种通过增加纳米结构的密度并具有纳米结构的均匀分布，提高光提取效率，并降低功耗而能够低功率驱动的发光显示器。
附图说明
[0029]附图是为了提供对本公开的进一步理解而包括的，并且并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0030]图1是示出本公开的发光显示器的示意性结构的平面图。
[0031]图2是示出本公开的发光显示器中包括的一个像素的结构的电路图。
[0032]图3是示出本公开的发光显示器中设置的像素的结构的平面图。
[0033]图4是沿图3中的线I
‑
I
’
截取的剖视图，用于示出本公开第一实施例的发光显示器的结构。
[0034]图5是图4中由虚线矩形标记的“X”区域的放大剖视图，用于示出本公开第一实施例的发光显示器的结构。
[0035]图6是图4中由虚线矩形标记的“X”区域的放大剖视图，用于示出本公开第二实施例的发光显示器的结构。
[0036]图7是图4中由虚线矩形标记的“X”区域的放大剖视图，用于示出本公开第三实施例的发光显示器的结构。
[0037]图8是图4中矩形区域X的放大剖视图，用于示出本公开第四实施例的发光显示器的结构。
[0038]图9是图4中矩形区域X的放大剖视图，用于示出本公开第五实施例的发光显示器的结构。
[0039]图10是示出本公开的第六实施例的设置在发光显示器中的一个像素中包括的四个子像素的结构的放大平面图。
[0040]图11是沿图10中的线II<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光显示器，包括：基板，所述基板包括具有像素的显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；在所述基板上的平坦化层；纳米基底层，所述纳米基底层在平坦化层上并且在所述纳米基底层的上表面上具有多个纳米图案；在所述纳米基底层上的第一缓冲层；阳极，所述阳极在所述像素处在所述第一缓冲层上；堤部，所述堤部覆盖所述阳极的外围区域并使所述阳极的中心区域暴露，以将所述像素的发光区域限定在暴露的所述中心区域；在所述阳极上的发光层；以及在所述发光层上的阴极。2.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述纳米基底层设置在整个所述显示区域上。3.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述纳米基底层设置在与所述发光区域相对应的区域。4.根据权利要求1所述的发光显示器，还包括：在所述纳米基底层与所述平坦化层之间的第二缓冲层。5.根据权利要求4所述的发光显示器，其中，所述第二缓冲层包括硅氮化物层。6.根据权利要求5所述的发光显示器，其中，所述第二缓冲层还包括设置在所述硅氮化物层下方的硅氧化物层。7.根据权利要求4所述的发光显示器，还包括：在所述第二缓冲层与所述平坦化层之间的金属层。8.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述金属层不与所述纳米基底层重叠并且设置在所述显示区域中。9.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述金属层设置在整个所述显示区域上。10.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述金属层包括铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)及其合金中的任一种。11.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述第一缓冲层包括硅氮化物层。12.根据权利要求11所述的发光显示器，其中，所述第一缓冲层还包括硅氧化物层。13.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述纳米基底层包含铟。14.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述像素包括第一像素和第二像素，其中，所述纳米基底层包括设置在所述第一像素处的第一纳米基底层以及设置在所述第二像素处的第二纳米基底层，其中，所述第一纳米基底层具有第一厚度，并且其中，所述第二纳米基底层具有比所述第一厚度薄的第二厚度。15.根据权利要求14所述的发光显示器，其中，所述多个纳米图案包括：分布在所述第一纳米基底层上的第一纳米图案；以及分布在所述第二纳米基底层上的第二纳米图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔浩源，金泰炫，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：