电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电子装置，其包括一第一主要结构

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本专利技术涉及一种电子装置，特别是涉及一种可拉伸的电子装置
。

技术介绍

[0002]可拉伸电子装置可贴附到任何适合的曲面上，而具有较多的使用情境
。
例如，可拉伸电子装置可贴附到车用面板作为车用显示器或车用传感器，或可贴附到人体皮肤作为穿戴显示器或穿戴传感器
。
然而，在可拉伸电子装置变形的过程中，其基板可能产生断裂或裂痕，进而影响可拉伸电子装置的使用寿命
。
因此，如何改善可拉伸电子装置的设计以降低断裂或裂痕产生的可能性对于本领域来说仍是一项重要的议题
。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种电子装置
。
[0004]在一些实施例中，本专利技术提供了一种电子装置
。
电子装置包括一第一主要结构
、
一第二主要结构，邻近于第一主要结构
、
一连接结构，连接第一主要结构和第二主要结构
、
一第一半导体，设置在第一主要结构上
、
以及一第一绝缘结构，设置在第一半导体与第一主要结构之间，其中第一绝缘结构具有一第一凹槽
。
附图说明
[0005]图1为本专利技术第一实施例的电子装置的俯视示意图
。
[0006]图
2A
为本专利技术第一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图
。
[0007]图
2B
为本专利技术第一实施例的电子装置沿切线
A
‑
A
’
的剖视示意图
。
[0008]图
3A
为本专利技术第二实施例的电子装置的局部放大俯视示意图
。
[0009]图
3B
为本专利技术第二实施例的电子装置沿切线
B
‑
B
’
的剖视示意图
。
[0010]图
4A
为本专利技术第三实施例的电子装置的局部放大俯视示意图
。
[0011]图
4B
为本专利技术第三实施例的电子装置沿切线
C
‑
C
’
的剖视示意图
。
[0012]图
5A
为本专利技术第四实施例的电子装置的局部放大俯视示意图
。
[0013]图
5B
为本专利技术第四实施例的电子装置沿切线
D
‑
D
’
的剖视示意图
。
[0014]图6为本专利技术第五实施例的电子装置的局部放大剖视示意图
。
[0015]图7为本专利技术第六实施例的电子装置的局部放大俯视示意图
。
[0016]附图标记说明：
100、200、300、400、500、600
‑
电子装置；
AA
‑
主动区域；
ADH
‑
黏着层；
AL
‑
主动层；
B1、B2
‑
接合材料；
BP
‑
接合垫；
C1、C2、SM
‑
半导体；
CE
‑
连接元件；
CL
‑
电路层；
CP
‑
连接结构；
CR
‑
通道区；
CT
‑
接触件；
CW
‑
导线；
D1、D2、D3
‑
距离；
DE
‑
汲极电极；
DR
‑
汲极区；
DUM
‑
虚设区域；
E1、E2
‑
电极；
EG、ED
‑
边缘；
EL
‑
电子元件；
EP
‑
末端部分；
ESS
‑
静电放电保护元件；
FO
‑
扇出区域；
GE
‑
闸极电极；
GR、GRa、GRb、GR1、GR2、GR3、GR4、GR5、GR6、GR7、GR
’‑
凹槽；
H1
‑
高度；
IL1、IL2、IL3、IL4、INL、IL5
‑
绝缘层；
IP
‑
绝缘部分；
IS1
‑
第一绝缘结构；
IS11
‑
第一绝缘层；
IS12
‑
第二绝缘层；
IS13
‑
第三绝缘层；
IS2
‑
第二绝缘结构；
L1、L2
‑
延伸线；
LE
‑
发光元件；
LR1
‑
第一层；
LR2
‑
第二层；
LR3
‑
第三层；
LSB
‑
支撑基板；
MP
‑
主要结构；
MP1
‑
第一主要结构；
MP2
‑
第二主要结构；
OE
‑
外部电子元件；
OPE
‑
开口；
P1
‑
岛状部分；
PC
‑
周边电路区域；
PL
‑
保护层；
PO1、PO2
‑
点；
PP
‑
突出部分；
PP1、PP2
‑
突起部分；
PR
‑
周边区域；
PX
‑
像素；
R1
‑
第一区；
R2
‑
第二区；
RR、RR
’‑
凹陷区域；
S1
‑
底面；
SB
‑
基板；
SE
‑
源极电极；
SEL、M1、M2、M3
‑
导电层；
SP
‑
间隔；
SR
‑
源极区；
SW
‑
侧壁；
T1、T2
‑
深度；
TS
‑
晶体管；
α
、
θ1‑
夹角；
X、Y、Z
‑
方向；
A
‑
A
’
、B
‑
B
’
、C
‑
C
’
、D
‑
D
’‑
切线...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子装置，其特征在于，包括：一第一主要结构；一第二主要结构，邻近于所述第一主要结构；一连接结构，连接所述第一主要结构和所述第二主要结构；一第一半导体，设置在所述第一主要结构上；以及一第一绝缘结构，设置在所述第一半导体与所述第一主要结构之间，所述第一绝缘结构具有一第一凹槽
。2.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一绝缘结构具有一第一末端部分，邻近于所述第一主要结构的一边缘，所述边缘在所述第一末端部分之外，所述第一末端部分与所述第一主要结构的所述边缘之间具有一距离，所述距离大于
0。3.
根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述距离小于或等于
180
微米
。4.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一主要结构的一边缘在所述第一凹槽之外，所述第一凹槽与所述边缘之间具有一距离，所述距离大于或等于
1.2
微米且小于或等于
180
微米
。5.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一导线，设置在所述第一绝缘结构上，所述导线从所述第一主要结构延伸到所述连接结构并跨越所述第一凹槽
。6.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一绝缘结构具有一第二凹槽，位于所述第一主要结构上，且所述第一凹槽与所述第二凹槽通过一间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴湲琳，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：