一种补偿进气法兰及尾气处理系统技术方案

本发明专利技术公开了一种补偿进气法兰及尾气处理系统，属于尾气处理技术领域，解决了现有技术中旋流进气法兰的出气口距离等离子体火炬头较远

【技术实现步骤摘要】
一种补偿进气法兰及尾气处理系统


[0001]本专利技术属于尾气处理
，具体涉及一种补偿进气法兰及尾气处理系统
。

技术介绍

[0002]对于含尘量较高的尾气，在尾气处理过程中，粉尘会主要堆积在尾气进气法兰和等离子体火炬头上，为了能够减少粉尘的堆积，通常在尾气进气法兰的下方设有旋流进气法兰，对尾气进气法兰下方的粉尘进行吹扫
。
[0003]但是，受安装和尺寸的影响，旋流进气法兰的出气口距离等离子体火炬头较远，在实际应用中，等离子体火炬头的表面仍然会堆积大量的粉尘
。

技术实现思路

[0004]鉴于以上分析，本专利技术旨在提供一种补偿进气法兰及尾气处理系统，解决了现有技术中旋流进气法兰的出气口距离等离子体火炬头较远导致等离子体火炬头的表面堆积大量的粉尘的问题
。
[0005]本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：
[0006]本专利技术提供了一种补偿进气法兰，补偿进气法兰设于尾气处理系统的尾气进气法兰的底部，至少部分等离子体火炬头贯穿尾气进气法兰，补偿进气法兰包括吹扫基体，吹扫基体上开设吹扫进气口和与进气口相连通的进气通道，进气通道朝向等离子体火炬头的侧壁，供气单元提供的气流依次通过吹扫进气口和进气通道对等离子体火炬头进行吹扫
。
[0007]进一步地，吹扫进气口沿竖直方向设置
。
[0008]进一步地，进气通道的轴线沿水平方向设置且相对于吹扫基体的径向倾斜，在吹扫基体内形成水平螺旋气流
。/>[0009]进一步地，进气通道的轴线在吹扫基体径向平面上的投影沿吹扫基体的径向设置，且进气通道的轴线向远离等离子体火炬头方向倾斜
。
[0010]进一步地，进气通道和吹扫进气口的数量均为多个
。
[0011]进一步地，多个进气通道均匀布置，多个吹扫进气口均匀布置
。
[0012]进一步地，进气通道和吹扫进气口的数量均为2～8个
。
[0013]进一步地，吹扫基体的内径为
50
～
75mm。
[0014]进一步地，进气通道的轴线与吹扫基体的径向的夹角为
20
°
～
50
°
。
[0015]本专利技术还提供了一种尾气处理系统，包括上述补偿进气法兰
。
[0016]与现有技术相比，本专利技术至少可实现如下有益效果之一：
[0017]A)
本专利技术提供的补偿进气法兰，向补偿进气法兰上朝向等离子体火炬头的侧壁的进气通道通入氮气气流，能够吹扫等离子体火炬头侧壁上堆积的粉尘
。
[0018]B)
本专利技术提供的补偿进气法兰，能够提高吹扫等离子体火炬头侧壁周围空间的气体压力，使得补偿进气法兰包围的尾气进气法兰的底部空间不会产生流动死区，从而能够减少粉尘颗粒发生返流的情况发生；同时，向补偿进气法兰上朝向等离子体火炬头的下方
的进气通道通入氮气气流，该气流对等离子体火炬头的下方进行集中吹扫，减少等离子体火炬头下方的粉尘堆积，并阻止粉尘从等离子体火炬头下方开口进入等离子体火炬头内
。
[0019]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解
。
本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得
。
附图说明
[0020]附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件
。
[0021]附图说明：
[0022]图1为本专利技术实施例一提供的补偿进气法兰的结构示意图；
[0023]图2为图1的径向剖视图；
[0024]图3为本专利技术实施例二提供的尾气处理系统的爆炸图；
[0025]图4为本专利技术实施例二提供的尾气处理系统的局部剖面图；
[0026]图5为本专利技术实施例二提供的尾气处理系统中进气管与吹扫组件的位置示意图；
[0027]图6为本专利技术实施例二提供的尾气处理系统中气体旋流法兰的结构示意图；
[0028]图7为图6的径向剖视图；
[0029]图8为本专利技术实施例二提供的尾气处理系统中法兰分离件
、
尾气进气法兰和旋流进气法兰的位置示意图；
[0030]图9为本专利技术实施例二提供的尾气处理设备中尾气进气法兰
、
旋流进气法兰
、
水幕法兰和卡钳的连接示意图
。
[0031]附图标记：
[0032]1‑
吹扫主管；2‑
吹扫支管；3‑
吹扫通孔；4‑
进气管；5‑
支撑板；6‑
等离子体火炬头；7‑
紧固件；8‑
补偿进气法兰；
81
‑
吹扫基体；
82
‑
吹扫进气口；
83
‑
气流通道；9‑
气体旋流法兰；
10
‑
气流环道；
11
‑
进气孔；
12
‑
出气孔；
13
‑
尾气进气法兰；
14
‑
旋流进气法兰；
15
‑
第一凸块；
16
‑
第二凸块；
17
‑
分离螺丝；
18
‑
第一卡块；
19
‑
锁紧螺丝；
20
‑
第二卡块；
21
水幕法兰；
22
‑
凸缘；
23
‑
反应腔
。
具体实施方式
[0033]下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本专利技术的一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理
。
[0034]实施例一
[0035]本实施例提供了一种补偿进气法兰，参见图1至图2，该补偿进气法兰设于尾气处理系统的尾气进气法兰的底部，其包括吹扫基体
81
，吹扫基体
81
为单层结构，吹扫基体
81
上开设吹扫进气口
82
和进气通道
83
，该进气通道
83
朝向等离子体火炬头的侧壁，供气单元提供的气流依次通过吹扫进气口
82
和进气通道
83
，对等离子体火炬头进行吹扫
。
[0036]本实施例中使用供气单元为进气通道
83
提供氮气气流，但在另外的实施例中，还可以在进气通道
83
中通入空气或者其它惰性气体，均不脱离本专利技术的范围
。
[0037]现有技术中，通常在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种补偿进气法兰，设于尾气处理系统的尾气进气法兰的底部，至少部分等离子体火炬头贯穿尾气进气法兰，其特征在于，所述补偿进气法兰包括吹扫基体，所述吹扫基体上开设吹扫进气口和与进气口相连通的进气通道，所述进气通道朝向等离子体火炬头的侧壁，供气单元提供的气流依次通过吹扫进气口和进气通道对等离子体火炬头进行吹扫
。2.
根据权利要求1所述的补偿进气法兰，其特征在于，所述吹扫进气口沿竖直方向设置
。3.
根据权利要求1所述的补偿进气法兰，其特征在于，所述进气通道的轴线沿水平方向设置且相对于吹扫基体的径向倾斜，在吹扫基体内形成水平螺旋气流
。4.
根据权利要求1所述的补偿进气法兰，其特征在于，所述进气通道的轴线在吹扫基体径向平面上的投影沿吹扫基体的径向设置，且进气通道的轴线向远离等离子体火炬头方向倾斜
。5.
根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭潞阳，叶威，张源源，王福清，刘磊，陈佳明，
申请(专利权)人：上海协微环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：