【技术实现步骤摘要】
本申请涉及类半导体加工装备中尾气处理领域，具体涉及反应副产物捕集装置、方法及其维保方法。
技术介绍
1、近年来，在半导体、太阳能光伏、平板显示和发光二极管（led）为代表的泛半导体产业中，普遍采用离子注入法、铝等金属的刻蚀法、化学气相沉积（cvd）法等各种方式生产相关产品。以化学气相沉积（cvd）为例，金属有机化合物化学气相沉积设备在反应腔室内高温真空状态进行气相外延，在反应腔工作时排放的废气含有反应气体的副产物；或者，以干法刻蚀法为例，在反应腔室中采用含氟化合物等形成等离子体，对晶圆表面的金属或者硅等材质进行刻蚀，形成气态反应副产物从晶圆表面剥离。
2、反应副产物包括氟化物、氟氧化物以及氯化物等，这些副产物容易生成粉尘，这些粉尘颗粒普遍具有颗粒小、颗粒度不均匀、颗粒数量多、有毒有害等特点。粉尘长期堆积会造成排气管道的堵塞，并导致设备宕机进一步影响生产制程。如果将这些粉尘直接排入大气中还会造成大气污染，所以需要配置专门用于去除排放废气中的粉尘颗粒的除尘设备，提高生产效率的同时减少对环境的污染。目前常用的处理方法多是利用粉尘捕...
【技术保护点】
1.一种反应副产物捕集装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，还包括支架，整流板可拆卸地设于支架上。
3.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，所述整流孔包括：在整流板的中心点处设置的第一整流孔，在整流板上距离中心点第二半径处设置的第二整流孔，在整流板上距离中心点第三半径处设置的第三整流孔；
4.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，入口位于壳体的入口空间下方，出口位于壳体的捕集空间上方，冷却盘管沿壳体的上下方向盘旋延伸。
5.如权利要求1所述的反应副产物捕...
【技术特征摘要】
1.一种反应副产物捕集装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，还包括支架，整流板可拆卸地设于支架上。
3.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，所述整流孔包括：在整流板的中心点处设置的第一整流孔，在整流板上距离中心点第二半径处设置的第二整流孔，在整流板上距离中心点第三半径处设置的第三整流孔；
4.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，入口位于壳体的入口空间下方，出口位于壳体的捕集空间上方，冷却盘管沿壳体的上下方向盘旋延伸。
5.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，至少部分冷却盘管的中心线经过整流板的中心。
6.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，所述整流孔包括：在整流板的中心点处设置的第一整流孔；
7.如权利要求4所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，进液管段在出液管段的上方。
8.如权利要求1所述的反应副产物捕集装置，其特征在于，所述安装板设于所述壳本体的侧边，且所述安装板与所述壳本体可操作地滑动连接。
9.如权利要求1所述的反应副产物捕集...
【专利技术属性】
技术研发人员：王福清，杨国庆，陈佳明，
申请(专利权)人：上海协微环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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