【技术实现步骤摘要】
抗4
‑
1BB/抗EGFRvIII的双特异抗体及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于抗体领域,具体地涉及一种抗4‑
1BB/
抗
EGFRvIII
的双特异抗体抗体及其制备方法和应用
。
技术介绍
[0002]4‑
1BB(CD137
,肿瘤坏死因子受体超家族
9)
是广泛研究的共刺激分子,在活化的
T
细胞和自然杀伤
(NK)
细胞等免疫细胞上表达
。4
‑
1BB
介导
T
细胞触发一个信号级联,诱导抗凋亡分子的上调和细胞因子的分泌,进一步增强免疫细胞的效应功能
。
在功能失调的细胞毒性能力下降的
T
细胞中,4‑
1BB
可以介导恢复
T
细胞的效应功能
。
另一方面,在
NK
细胞上,4‑
1BB
信号可以增加抗体依赖的细胞介导的细胞毒性作用
。
[0003]4‑
1BB
和其配体4‑
1BBL
的结合可激活下游
NF
‑
κ
B、JNK/SAPK、p38 MAPK
等通路,进一步产生共刺激信号诱导
CD4+
和
CD8+T
细胞的活性,促进
T
细胞的增殖
。
此外,4‑< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种双特异性抗体,其特征在于,所述双特异性抗体包含:第一抗原结合结构域
(D1)
;和第二抗原结合结构域
(D2)
;其中,所述第一抗原结合结构域特异性结合靶分子4‑
1BB
蛋白;所述第二抗原结合结构域特异性结合靶分子
EGFRvⅢ蛋白;所述
D1
为特异性结合4‑
1BB
蛋白的抗体或其抗原结合片段;和所述
D2
为特异性结合
EGFRvⅢ蛋白的抗体或其抗原结合片段;所述抗4‑
1BB
抗体包括重链可变区和轻链可变区,所述的重链可变区包括以下三个互补决定区
CDR
:
SEQ ID NO:1
所示的
VH
‑
CDR1
,
SEQ ID NO:2
所示的
VH
‑
CDR2
,和
SEQ ID NO:3
所示的
VH
‑
CDR3
;和所述的轻链可变区包括以下三个互补决定区
CDR
:
SEQ ID NO:7
所示的
VL
‑
CDR1
,
SEQ ID NO:8
所示的
VL
‑
CDR2
,和
SEQ ID NO:9
所示的
VL
‑
CDR3。2.
如权利要求1所述的双特异性抗体,其特征在于,所述抗
EGFRvⅢ抗体包括重链可变区和轻链可变区,所述的重链可变区包括以下三个互补决定区
CDR
:
SEQ ID NO:4
所示的
VH
‑
CDR1
,
SEQ ID NO:5
所示的
VH
‑
CDR2
,和
SEQ ID NO:6
所示的
VH
‑
CDR3
;和所述的轻链可变区包括以下三个互补决定区
CDR
:
SEQ ID NO:10
所示的
VL
‑
CDR1
,
SEQ ID NO:11
所示的
VL
‑
CDR2
...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴朝辉,陈利锋,韩烨,闵晨雨,杨光,展胜,周嘉怡,
申请(专利权)人:上海怀越生物科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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