一种基于硬件的高压保护电路制造技术

技术编号:39704010 阅读:11 留言:0更新日期:2023-12-14 20:35
本实用新型专利技术提供一种基于硬件的高压保护电路,包括与车灯设备串接的

【技术实现步骤摘要】
一种基于硬件的高压保护电路


[0001]本技术涉及车灯供电
,具体涉及一种基于硬件的高压保护电路


技术介绍

[0002]汽车的车灯电路中,为能监测和控制车灯设备运行,车灯设备串接有
MOS
管,电源模块同时给车灯设备供电和控制
MOS
管导通

现有技术中,为提高车灯和
MOS
管的使用性能,设置了监测电源模块的供电电压的控制
MCU
,供电模块的供电电压高于预设值时,控制
MCU
断开供电,降低车灯设备和
MOS
管损坏的概率,但配备控制
MCU
会增大车灯的生产成本


技术实现思路

[0003]有鉴于此,本技术要解决的问题是提供一种基于硬件的高压保护电路,能够有效的避免高压电能影响车灯设备和
MOS

T1
的性能,提高车灯供电使用性能和寿命,且实现该过程无需使用
MCU
,有效的降低生产成本

[0004]为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:
[0005]一种基于硬件的高压保护电路,包括与车灯设备串接的
MOS

T1
,所述
MOS

T1
的栅极与快恢复二极管
IC1

K
端口电连接,所述
MOS

T1
的漏极与快恢复二极管
IC1

A
端口电连接,所述快恢复二极管
IC1

K
端口与
A
端口之间依次串接有电阻
R1、
电阻
R2
和电阻
R3
,所述快恢复二极管
IC1

R
端口电连接至电阻
R2
与电阻
R4
之间,所述端口
VCC
与二极管
D1
的输入端电连接,二极管
D1
的输出端电连接至电阻
R1
和电阻
R2
之间

[0006]进一步的,所述
MOS

T1
的漏极与栅极之间分别串接有电阻
R3
和二极管
D4。
[0007]进一步的,所述端口
VCC
与车灯设备电连接,以给车灯设备供电

[0008]本技术具有的优点和积极效果是:
[0009]通过在
MOS

T1
的栅极与漏极之间串接快恢复二极管
IC1
,当端口
VCC
的供电电压高于设定值时,快恢复二极管
IC1
接地,使
MOS

T1
断开,断开车灯设备与端口
VCC
的连接,且降低
MOS

T1
被击穿的概率,能够有效的避免高压电能影响车灯设备和
MOS

T1
的性能,提高车灯供电使用性能和寿命,且实现该过程无需使用
MCU
,有效的降低生产成本

附图说明
[0010]附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制

在附图中:
[0011]图1是本技术的一种基于硬件的高压保护电路的整体电路图

具体实施方式
[0012]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚

完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例

基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围

[0013]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同

本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术

本文所使用的术语“及
/
或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合

[0014]本技术提供一种基于硬件的高压保护电路,如图1所示,包括与车灯设备串接的
MOS

T1

MOS

T1
的栅极与用于提供电能的端口
VCC
电连接,
MOS

T1
的漏极与地极电连接,
MOS

T1
的漏极与栅极之间分别串接有电阻
R3
和二极管
D4
,可提高输入
MOS

T1
栅极的电压

[0015]端口
VCC
同时给车灯设备供电和控制
MOS

T1
导通,由于干扰使端口
VCC
提供电压高于预设电压时,为避免击穿
MOS

T1

MOS

T1
的栅极与漏极之间串接有快恢复二极管
IC1
,能够及时断开
MOS

T1
,降低
MOS

T1
击穿的概率

[0016]MOS

T1
的栅极与快恢复二极管
IC1

K
端口电连接,
MOS

T1
的漏极与快恢复二极管
IC1

A
端口电连接,快恢复二极管
IC1

K
端口与
A
端口之间依次串接有电阻
R1、
电阻
R2
和电阻
R3
,快恢复二极管
IC1

R
端口电连接至电阻
R2
与电阻
R4
之间,端口
VCC
与二极管
D1
的输入端电连接,二极管
D1
的输出端电连接至电阻
R1
和电阻
R2
之间

[0017]电路运行时,端口
VCC
正常提供电能时,电流依次经过本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于硬件的高压保护电路,其特征在于,包括与车灯设备串接的
MOS

T1
,所述
MOS

T1
的栅极与快恢复二极管
IC1

K
端口电连接,所述
MOS

T1
的漏极与快恢复二极管
IC1

A
端口电连接,所述快恢复二极管
IC1

K
端口与
A
端口之间依次串接有电阻
R1、
电阻
R2
和电阻
R3
,所述快恢复二极管
IC1

【专利技术属性】
技术研发人员:姜云芬
申请(专利权)人:海纳川海拉三河车灯有限公司
类型:新型
国别省市:

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