一种射频模组芯片及其制备方法技术

本申请实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种射频模组芯片，包括封装基板与模组芯片；封装基板包括金属层与介质层，相邻的两个金属层之间设有介质层，封装基板上形成至少一个封装空腔；模组芯片倒装于封装基板的相对两侧面上和

【技术实现步骤摘要】
一种射频模组芯片及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种射频模组芯片以及一种射频模组芯片的制备方法
。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，移动通信射频前端模组集成度越来越高
。
射频模组中集成了有源芯片
、
无源芯片以及模组内部电路匹配相关的
(
电容
、
电阻
、
电感
)
等元器件
。
在封装过程中需要把上述元器件集成为一个射频前端模组系统，集成后的射频模组系统封装成一颗模组芯片，模组芯片相比分立器件组成的射频前端系统具有小型化和高集成度优势
。
[0003]目前模组集成封装通常多采用有源
/
无源晶圆
、
匹配电路元件等器件统一集成于封装基板一侧表面，焊盘引脚集成于封装基板的另一侧的设计，此类封装集成设计只能在基板一侧集成，芯片封装集成度低，且由于有源芯片的厚度大于无源芯片，因此位于封装基板同一侧的芯片存在厚度差，导致射频模组芯片的整体高度较高，尺寸大
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例所要解决的技术问题是现有的模组集成封装的芯片封装集成度低且集成后的模组尺寸大
。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种射频模组芯片，采用了如下所述的技术方案：
[0006]一种射频模组芯片，包括封装基板与模组芯片；
[0007]所述封装基板包括金属层与介质层，相邻的两个所述金属层之间设有所述介质层，所述封装基板上形成至少一个封装空腔；
[0008]所述模组芯片倒装于所述封装基板的相对两侧面上和
/
或所述模组芯片倒装于所述封装空腔内，所述模组芯片与所述金属层连接
。
[0009]进一步的，所述封装基板上位于同一侧的模组芯片的顶面高度相同；
[0010]位于所述封装空腔内的所述模组芯片的厚度大于位于所述封装基板表面上的所述模组芯片的厚度
。
[0011]进一步的，所述金属层包括金属焊盘与金属端子，所述金属焊盘与所述金属端子间隔设置在所述介质层上；
[0012]所述模组芯片与所述金属焊盘电连接
。
[0013]进一步的，所述射频模组芯片还包括阻焊层，所述阻焊层设于所述金属层上，所述阻焊层对应所述金属焊盘处形成开口
。
[0014]进一步的，所述封装基板还包括金属化孔，所述金属化孔穿设于所述介质层上；
[0015]相邻的两个金属层通过所述金属化孔连接；
[0016]所述金属焊盘与所述金属端子分别通过导线与所述金属化孔连接
。
[0017]进一步的，所述封装基板还包括基板管脚，所述基板管脚与所述金属焊盘连接
。
[0018]进一步的，所述模组芯片包括芯片晶圆与导电凸块，所述芯片晶圆通过导电凸块倒装于所述金属层上；和
/
或
[0019]所述射频模组芯片还包括封装层，所述封装层设于所述封装基板的两侧表面的金属层上，所述封装层完全覆盖所述模组芯片
。
[0020]为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种射频模组芯片的制备方法，采用了如下所述的技术方案：
[0021]一种射频模组芯片的制备方法，用于制备如上所述的射频模组芯片，包括以下步骤：
[0022]提供封装基板，其中，所述封装基板的表面上设有至少一个封装空腔，所述封装空腔的底面为金属层；
[0023]对所述封装基板表面暴露的金属层进行刻蚀，形成间隔设置的金属焊盘与金属端子；
[0024]在所述金属层上形成阻焊层，其中，所述阻焊层对应所述金属焊盘位置设有开口；
[0025]在所述封装基板的其中一侧的金属焊盘上形成基板管脚；
[0026]将模组芯片贴装于所述封装基板上，其中，所述模组芯片位于所述封装基板表面上以及位于所述封装空腔内，位于所述封装基板同一侧表面上的模组芯片的顶面高度相同
。
[0027]进一步的，所述封装基板通过以下步骤制备而成：
[0028]提供金属层与介质层，通过压合堆叠的方式形成封装基板，其中，相邻的两所述金属层之间设有所述介质层；
[0029]对所述封装基板的表面进行刻蚀，以在所述封装基板上形成封装空腔，所述封装空腔的底部暴露所述金属层
。
[0030]进一步的，所述在所述金属层上形成阻焊层，包括以下步骤：
[0031]在所述金属层上形成初始阻焊层；
[0032]对所述初始阻焊层进行曝光处理；
[0033]对曝光处理后的所述阻焊层进行显影开窗处理，以暴露所述金属焊盘
。
[0034]与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：
[0035]本申请通过在封装基板相对两侧的表面形成封装空腔，模组芯片装设于封装空腔内，起到有效地降低射频模组芯片的高度，从而实现射频模组芯片的小型化设计，同时，通过控制封装空腔的深度，从而使不同厚度的模组芯片装设在封装基板上时，模组芯片的顶面至封装基板的表面的高度一致，以便于统一装设在封装基板上的芯片盖度，提高了射频模组芯片的封装效率；此外，模组芯片通过倒装的方式装设于模组封装基板两侧的表面上或两侧的封装腔体内，有效地减小了射频封装芯片的整体尺寸，且提高了芯片封装的集成度，实现射频模组芯片的小型化集成的设计
。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0037]图1是本申请实施例的射频模组芯片的结构示意图；
[0038]图2是本申请实施例的封装基板与阻焊层的结构示意图；
[0039]图3是本申请实施例的射频模组芯片的制备方法的流程图；
[0040]图
4a
～
4d
分别是本申请实施例射频模组芯片制备过程中各阶段的结构变化示意图
。
[0041]附图标记：
[0042]1、
封装基板；
11、
金属层；
111、
金属焊盘；
112、
金属端子；
12、
介质层；
13、
封装空腔；
14、
金属化孔；
15、
阻焊层；
16、
基板管脚；
21、
第一模组芯片；
211、
第一芯片晶圆；
212、
第一导电凸块；
22、
第二模组芯片；
221、
第二芯片晶圆；
222、
第二导电凸块；
23本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种射频模组芯片，其特征在于，包括封装基板与模组芯片；所述封装基板包括金属层与介质层，相邻的两个所述金属层之间设有所述介质层，所述封装基板上形成至少一个封装空腔；所述模组芯片倒装于所述封装基板的相对两侧面上和
/
或所述模组芯片倒装于所述封装空腔内，所述模组芯片与所述金属层连接
。2.
根据权利要求1所述的射频模组芯片，其特征在于，所述封装基板上位于同一侧的模组芯片的顶面高度相同；位于所述封装空腔内的所述模组芯片的厚度大于位于所述封装基板表面上的所述模组芯片的厚度
。3.
根据权利要求1所述的射频模组芯片，其特征在于，所述金属层包括金属焊盘与金属端子，所述金属焊盘与所述金属端子间隔设置在所述介质层上；所述模组芯片与所述金属焊盘电连接
。4.
根据权利要求3所述的射频模组芯片，其特征在于，所述射频模组芯片还包括阻焊层，所述阻焊层设于所述金属层上，所述阻焊层对应所述金属焊盘处形成开口
。5.
根据权利要求3所述的射频模组芯片，其特征在于，所述封装基板还包括金属化孔，所述金属化孔穿设于所述介质层上；相邻的两个金属层通过所述金属化孔连接；所述金属焊盘与所述金属端子分别通过导线与所述金属化孔连接
。6.
根据权利要求3所述的射频模组芯片，其特征在于，所述封装基板还包括基板管脚，所述基板管脚与所述金属焊盘连接
。7.
根据权利要求1～6任一项所述的射频模组芯片，其特征在于，所述模组芯片包括芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，衣新燕，刘辉，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：