一种具有横波反射结构的体声波谐振器制造技术

技术编号:41628007 阅读:26 留言:0更新日期:2024-06-13 02:26
本申请涉及体声波谐振器技术领域,具体提供了一种具有横波反射结构的体声波谐振器,其包括:由下至上依次连接的衬底、底电极、压电层和顶电极,衬底顶部设有声反射镜;横波反射层,位于衬底上方且与顶电极连接,用于反射横波,其在俯视方向上的投影的外边界不超出声反射镜在俯视方向上的投影的外边界;其能够尽可能地降低由于横波的传播会带走能量而导致体声波谐振器的品质因数衰减的影响,进而有效地提高体声波谐振器的品质因数和电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及体声波谐振器,具体而言,涉及一种具有横波反射结构的体声波谐振器


技术介绍

1、体声波谐振器为通过压电材料的压电效应实现电能和机械能的相互转换,并利用器件特殊的边界条件使得机械波产生谐振的电学器件。由于体声波谐振器能够产生高品质因数的谐振峰,因此体声波谐振器被广泛应用在通信滤波和导航定位等领域中。

2、具体地,体声波谐振器的品质因数能够反映体声波谐振器的能量储存状况,体声波谐振器的品质因数越高,体声波谐振器对频率的选择性越好。在体声波谐振器的实际应用场景中,由于压电材料对电能和机械能的相互转换会不可避免地产生一系列横波,而横波的传播会带走能量,因此现有的体声波谐振器存在由于横波的传播会带走能量而导致体声波谐振器的品质因数衰减的问题,从而导致体声波谐振器的电性能下降。

3、针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种具有横波反射结构的体声波谐振器,能够尽可能地降低由于横波的传播会带走能量而导致体声波谐振器的品质因数衰减的影响,进而有效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述具有横波反射结构的体声波谐振器包括:

2.根据权利要求1所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述横波反射层包括第一高声阻抗层,所述第一高声阻抗层设置在所述压电层与所述顶电极之间。

3.根据权利要求2所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述第一高声阻抗层的数量为多个,多个所述第一高声阻抗层的形状相同,多个所述第一高声阻抗层竖直堆叠在所述压电层与所述顶电极之间,相邻的所述第一高声阻抗层之间设有第一介质层,靠近所述压电层的第一高声阻抗层的覆盖面积大于远离所述压电层的第一高声阻抗层的覆盖面...

【技术特征摘要】

1.一种具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述具有横波反射结构的体声波谐振器包括:

2.根据权利要求1所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述横波反射层包括第一高声阻抗层,所述第一高声阻抗层设置在所述压电层与所述顶电极之间。

3.根据权利要求2所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述第一高声阻抗层的数量为多个,多个所述第一高声阻抗层的形状相同,多个所述第一高声阻抗层竖直堆叠在所述压电层与所述顶电极之间,相邻的所述第一高声阻抗层之间设有第一介质层,靠近所述压电层的第一高声阻抗层的覆盖面积大于远离所述压电层的第一高声阻抗层的覆盖面积。

4.根据权利要求3所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,靠近所述底电极的第一高声阻抗层的声阻抗小于远离所述底电极的第一高声阻抗层的声阻抗。

5.根据权利要求1所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述横波反射层包括第二高声阻抗层和低声阻抗层,所述第二高声阻抗层和所述低声阻抗层横向设置在所述压电层与所述顶电极之间,所述第二高声阻抗层到所述顶电极的中心的最小距离小于所述低声阻抗层到所述顶电极的中心的最小距离。

6.根据权利要求5所述的具有横波反射结构的体声波谐振器,其特征在于,所述第二高声阻抗层与所述低...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国强衣新燕张伟军欧阳坚
申请(专利权)人:广州市艾佛光通科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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