一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构，包括基板

【技术实现步骤摘要】
一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构


[0001]本技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构
。

技术介绍

[0002]高密度互连是满足芯片算力不断增长的核心封装技术之一
。
基板
(Substrate)
是芯片封装的核心材料，但传统封装基板目前已难以满足高性能芯粒
(Chiplet)
的高密度
、
多
I/O、
高速封装需求
。
为持续提高封装密度，
Intel、IBM
等公司相继提出
EMIB(Embedded Multi
‑
die interconnect Bridge)、DHBi
等技术，通过在基板正面嵌埋高密度布线的硅桥增加芯片互联密度从而提高封装性能
。
[0003]随着芯粒和系统级
(SIP)
封装技术的发展，单个封装体内互连的芯片数量众多，常规在基板正面平面排布以难以满足飞速发展的性能及多芯片布局要求，三维堆叠技术由于高成本和工艺难度大限制了其大规模应用；目前在基板正面嵌埋局部互联桥导致基板正反面结构不对称，倒装焊接
、
植球回流等高温封装工序中会产生不匹配的应力和基板异常翘曲增加了封装的难度，而且基板异常翘曲还会导致微凸点对准困难甚至是芯片破裂，同时封装过大的残余应力会进一步降低封装的可靠性
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是：针对上述
技术介绍
中存在的不足，提供一种能够增加芯片数量提高封装集成度和封装密度的方案，通过基板正反面嵌埋多颗局部互联桥，大幅度增大封装密度的同时还可以避免只在基板正面嵌埋布局互联桥后引起的翘曲和应力不对称问题
。
[0005]为了达到上述目的，本技术提供了一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构，包括基板
、
局部互联桥和芯片，所述基板包括基板芯材层
、
以及位于所述基板芯材层的上方和下方的叠层，所述局部互联桥埋设于上方和下方的所述叠层内，所述局部互联桥与所述基板电性连接，所述局部互联桥设置有横向互连线和纵向互连线，所述横向互连线用于横向连接所述芯片
、
所述纵向互连线用于纵向连接所述芯片
。
[0006]进一步地，所述叠层包括介质材料和导电线路，所述局部互联桥与所述导电线路电性连接
。
[0007]进一步地，所述芯片通过凸点与所述基板
、
和
/
或所述局部互联桥键合
。
[0008]进一步地，所述凸点的位置设置有底填层，所述底填层为底填胶
。
[0009]进一步地，所述局部互联桥的主体为硅材料或聚酰亚胺材料
。
[0010]进一步地，所述局部互联桥的线宽
/
线距最小为2μ
m/2
μ
m。
[0011]本技术的上述方案有如下的有益效果：
[0012]本技术提供的基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构，通过局部互联桥以及芯片的双面封装，增加了芯片数量提高了封装集成度和封装密度，避免了只在基板正
面嵌埋局部互联桥
、
封装芯片后引起的翘曲和应力不对称问题；局部互联桥可以使用
Si
材料通过晶圆制造工艺制造
、
也可以使用
PI
材料制造，具有很高的工艺兼容性；通过高密度布线的局部互联桥将多颗芯片与基板横向连接，显著缩短了芯片之间的信号传输距离，有效提高封装的性能，可以完美兼容芯粒封装，具有很广的应用范围；
[0013]本技术的其它有益效果将在随后的具体实施方式部分予以详细说明
。
附图说明
[0014]图1为本技术的整体结构示意图；
[0015]图2为本技术的实施例中
S1
涉及结构示意图；
[0016]图3为本技术的实施例中
S3
涉及结构示意图；
[0017]图4为本技术的实施例中
S4
涉及结构示意图；
[0018]图5为本技术的实施例中
S5
涉及结构示意图；
[0019]图6为本技术的实施例中
S6
涉及结构示意图；
[0020]图7为本技术的实施例中
S7
涉及结构示意图；
[0021]【
附图标记说明
】
[0022]100
‑
基板；
101
‑
基板芯材层；
102
‑
叠层；
103
‑
介质材料；
104
‑
导电线路；
200
‑
局部互联桥；
201
‑
横向互连线；
202
‑
纵向互连线；
203
‑
第一互联桥；
204
‑
第二互联桥；
205
‑
第三互联桥；
300
‑
芯片；
301
‑
第一芯片；
302
‑
第二芯片；
303
‑
第三芯片；
304
‑
第四芯片；
305
‑
第五芯片；
400
‑
凸点；
500
‑
底填层；
600
‑
BGA
焊球
。
具体实施方式
[0023]为使本技术要解决的技术问题
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述
。
显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围
。
此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合
。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制
。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构，其特征在于，包括基板
、
局部互联桥和芯片，所述基板包括基板芯材层
、
以及位于所述基板芯材层的上方和下方的叠层，所述局部互联桥埋设于上方和下方的所述叠层内，所述局部互联桥与所述基板电性连接，所述局部互联桥设置有横向互连线和纵向互连线，所述横向互连线用于横向连接所述芯片
、
所述纵向互连线用于纵向连接所述芯片
。2.
根据权利要求1所述的一种基板双面嵌埋局部互联桥的高密度封装结构，其特征在于，所述叠层包括介质材料和导电线路，所述局部互联桥与所述导电线路电性连接
。3.
根据权利要求1所述的一种基板双面嵌埋局...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕晓东，郑博宇，刘振，
申请(专利权)人：长沙安牧泉智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：