一种新型POP芯片封装结构制造技术

技术编号:39623822 阅读:8 留言:0更新日期:2023-12-07 12:29
本实用新型专利技术提供了一种新型POP芯片封装结构,包括:基板逻辑芯片,以倒装的形式键合于所述基板的正面;在所述逻辑芯片的四周设置有第一焊球层,所述第一焊球层贴装在所述基板上;塑封层,设在基板上以将所述第一焊球层和逻辑芯片进行塑封,塑封层在第一焊球层的上方设置有连通第一焊球层的多个通孔;多个所述通孔内设置有与第一焊球层连接的第二焊球层;已塑封的存储芯片,键合在第二焊球层上;第三焊球层,焊接于基板的背面,基板背面还焊接有无源器件,本申请能够实现多芯片及无源器件的集成,并且顶部与基板之间采用直连的方式实现了更低的延迟和更高的信号传递速度,同时第一焊球层具有更高的互连灵活性,可与各器件进行连接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
一种新型POP芯片封装结构


[0001]本技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种电子封装接结构。

技术介绍

[0002]当今半导体集成电路(IC)的新增长点,已从传统的机算机及通讯产业转向便携式移动设备如智能手机、平板电脑及新一代可穿戴设备。集成电路封装技术也随之出现了新的趋势,以应对移动设备产品的特殊要求,如增加功能灵活性、提高电性能、薄化体积、降低成本和快速面世等。层叠封装就是针对移动设备的IC封装而发展起来的可用于系统集成的非常受欢迎的三维叠加技术之一。目前,市场比较有代表性的POP封装是TMSC的InFo

PoP以及AmKor的Interposer

PoP,这两种封装形式主要特点是使用了转接板(interposer)及TMV(模塑通孔)。这两种封装形式在可集成芯片的数量方面仍然有提高的空间,并且顶部的器件与底部基板之间为间接连接,具有延迟高、信号差的缺点。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种新型POP芯片封装结构,其目的是为了提高封装结构可集成芯片的数量,提高封装结构的互连的灵活性。
[0004]为了达到上述目的,本技术的实施例提供了一种新型POP芯片封装结构,包括:
[0005]基板
[0006]逻辑芯片,以倒装的形式键合于所述基板的正面;在所述逻辑芯片的四周设置有第一焊球层,所述第一焊球层贴装在所述基板上;
[0007]塑封层,设在所述基板上以将所述第一焊球层和逻辑芯片进行塑封,所述塑封层在第一焊球层的上方设置有连通第一焊球层的多个通孔;多个所述通孔内设置有与第一焊球层连接的第二焊球层;
[0008]已塑封的存储芯片,键合在第二焊球层上;
[0009]第三焊球层,焊接于基板的背面,所述基板的背面还焊接有无源器件。
[0010]优选地,所述第一焊球层包括双层的焊球,双层的焊球呈上下布置,上方的焊球与下方的焊球接触。
[0011]优选地,所述第一焊球层的高度小于逻辑芯片的高度。
[0012]优选地,所述第三焊球层的高度大于所述无源器件的高度。
[0013]优选地,所述第二焊球层和第三焊球层为单层的焊球。
[0014]本技术的上述方案有如下的有益效果:
[0015]本申请能够实现多芯片及无源器件的集成,并且顶部与底板之间采用直连的方式实现了更低的延迟和更高的信号传递速度,同时第一焊球层具有更高的互连灵活性,可与各器件进行连接。
[0016]本技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0017]图1是本技术的结构示意图;
[0018]图2是本技术制作流程图。
[0019]【附图标记说明】
[0020]1‑
基板、2

逻辑芯片、3

第一焊球层、4

塑封层、5

第二焊球层、6

存储芯片、7

第三焊球层、8

无源器件。
具体实施方式
[0021]为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0022]下面详细描述本技术的实施方式,实施方式的示例在附图中示出,其中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。
[0023]在本技术的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]在本技术的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0025]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”以及“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
[0026]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接或活动连接,也可以是可拆卸连接或不可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通、间接连通或两个元件的相互作用关系。
[0027]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同方案。
[0028]如图1所示,本技术的实施例提供了一种新型POP芯片封装结构,包括基板1,在基板1的正面设置有逻辑芯片2,逻辑芯片2以倒装的形式键合在基板1上,并且逻辑芯片2的四周设置有第一焊球层3,第一焊球层3贴装在基板1的正面。在第一焊球层3上方设置有塑封层4,塑封层4将第一焊球层3和逻辑芯片2完全塑封,即塑封层4的厚大大于第一焊球层3和逻辑芯片2的厚度,塑封层4上设置有多个纵向的通孔,多个通孔对应的位于第一焊球层3的每个焊球上方,在每个通孔内还设置有第二焊球层5,第二焊球层5与第一焊球层3连接,在第二焊球层5上方还设置有已径塑封的存储芯片6形成层叠封装,所述存储芯片6与第二焊球层5信号连接。
[0029]在基板1的反面还设置有第三焊球层7,第三焊球层7与基板1的反面贴装。在基板1的反面还焊接有无源器件8。
[0030]进一步的,第一焊球层3包括双层的焊球,双层的焊球呈上下排布,上方的焊球与下方的焊球接触。
[0031]进一步的,第一焊球层3的高度小于逻辑芯片2的高度。第二焊球层5和第三焊球层7为单层的焊球,并且第三焊球层7的高度大于无源器件8的高度。
[0032]在本申请中,采用POP封装形式,可以更多的集成各种芯片以及无源器件8,同时顶部与基板1之间直接、高密度的电气连接,实现更低的延迟和更高的信号速度,相较于传统的TMV互连布局,采取两层焊球堆叠形式取代了铜芯球(CCB)或铜柱,能够有更高的互连灵活性,依托于现有的产业技术,能实现更高的产能。
[0033]参照图2的步骤示意图,其中每副图代表一个工艺步骤,本申请的施工工艺如下:
[0034]步骤一,在基板1的正面倒装逻辑芯片2;
[0035]步骤二,基板1的反面贴装无源器件8;
[0036]步骤三,将基板1的正面与逻辑芯片2之间的缝隙进行填充;
[0037]步本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型POP芯片封装结构,其特征在于,包括:基板(1)逻辑芯片(2),以倒装的形式键合于所述基板(1)的正面;在所述逻辑芯片(2)的四周设置有第一焊球层(3),所述第一焊球层(3)贴装在所述基板(1)上;塑封层(4),设在所述基板(1)上以将所述第一焊球层(3)和逻辑芯片(2)进行塑封,所述塑封层(4)在第一焊球层(3)的上方设置有连通第一焊球层(3)的多个通孔;多个所述通孔内设置有与第一焊球层(3)连接的第二焊球层(5);已塑封的存储芯片(6),键合在第二焊球层(5)上;第三焊球层(7),焊接于基板(1)的背面,所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:滕晓东郑博宇刘振
申请(专利权)人:长沙安牧泉智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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