发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置及其制造方法，其中该发光装置包括：电路基板

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种光电装置及其制造方法，且特别是涉及一种发光装置及其制造方法
。

技术介绍

[0002]微型发光元件
(
例如微型发光二极管，
Micro
‑
LED)
显示装置具有省电
、
高效率
、
高亮度及反应时间快等优点
。
由于微型发光元件的尺寸极小，目前制作微型发光元件显示装置的方法是采用巨量转移
(Mass Transfer)
技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光元件取放，以将大量的微型发光元件一次搬运到电路基板上
。
[0003]但是，巨量转移之后常有发光元件无法点亮的情况发生，目前的一种做法是先移除无法点亮的发光元件及其与电路基板之间的连接材，再重新置入导电胶及发光元件来进行修补
。
然而，在修补过程中，由于连接材无法完全去除，造成导电胶成形不良，而无法顺利连接修补的发光元件，导致发光元件修补良率不佳
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种显示装置，具有提高的发光元件修补良率
。
[0005]本专利技术的一个实施例提出一种发光装置，包括：电路基板
、
多个发光元件
、
多个金属图案
、
多个连接件以及多个共晶图案
。
多个发光元件设置于电路基板之上
。
多个金属图案分别设置于多个发光元件与电路基板之间
。
多个连接件分别设置于多个发光元件与多个金属图案之间
。
多个共晶图案分别设置于多个发光元件与多个连接件之间，其中多个发光元件中的第一发光元件与电路基板之间具有第一间距，多个发光元件中的第二发光元件与电路基板之间具有第二间距，且第一间距与第二间距之差为共晶图案的厚度
。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的金属图案包含钛
、
钼或铜
。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的连接件包含铟
、
锡
、
铜
、
银
、
铋或其合金
。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的多个连接件的厚度不完全相同
。
[0009]在本专利技术的一实施例中，与上述的第一发光元件电连接的连接件具有第一厚度，与上述的第二发光元件电连接的连接件具有第二厚度，且第一厚度与第二厚度之差为共晶图案的厚度
。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的多个共晶图案的厚度实质上相同
。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的共晶图案的厚度为
0.4
μ
m
至
0.7
μ
m。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括多个接垫，分别位于多个金属图案与电路基板之间
。
[0013]本专利技术的一个实施例提出一种发光装置，包括：电路基板
、
多个发光元件
、
多个连接件以及多个共晶图案
。
多个发光元件设置于电路基板之上
。
多个连接件分别设置于多个发光元件与电路基板之间
。
多个共晶图案分别设置于多个发光元件与多个连接件之间，其中多个连接件中的第一连接件设置于多个发光元件中的第一发光元件与电路基板之间，多
个连接件中的第二连接件设置于多个发光元件中的第二发光元件与电路基板之间，且第一连接件的厚度为共晶图案的厚度与第二连接件的厚度之和
。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的共晶图案包括发光元件的电极的材料及连接件的材料
。
[0015]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括多个金属图案，分别设置于多个连接件与电路基板之间
。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的金属图案的厚度为至
[0017]本专利技术的一个实施例提出一种发光装置的制造方法，包括：提供待修补发光装置，其中待修补发光装置包括：电路基板；第一发光元件，设置于电路基板上的第一位置，且电路基板上的第二位置未设置第一发光元件；以及第一共晶图案，仅设置于电路基板与第一发光元件之间；提供表面形成有粘着层的载板；仅于载板上的第三位置设置第二发光元件，且第三位置对应于第二位置；以及将第二发光元件从载板转移至电路基板上的第二位置，其中第一发光元件与电路基板之间具有第一间距，第二发光元件与电路基板之间具有第二间距，且第一间距大于第二间距
。
[0018]在本专利技术的一实施例中，上述的制造方法还包括在
「
提供待修补发光装置
」
之前从电路基板上的第二位置移除第一发光元件及第一共晶图案
。
[0019]在本专利技术的一实施例中，上述的待修补发光装置还包括多个金属图案及多个第一连接件，其中第一共晶图案位于第一发光元件与第一连接件之间，且金属图案位于第一连接件与电路基板之间
。
[0020]在本专利技术的一实施例中，上述的金属图案及第一连接件还设置于第二位置
。
[0021]在本专利技术的一实施例中，上述的制造方法还包括在
「
将第二发光元件从载板转移至电路基板上的第二位置
」
之后对第二发光元件及电路基板进行热处理，以在位于第二位置的第一连接件中形成第二共晶图案及第二连接件
。
[0022]在本专利技术的一实施例中，上述的第一连接件的厚度为第二共晶图案与第二连接件的厚度之和
。
[0023]在本专利技术的一实施例中，上述的第一共晶图案的厚度实质上等于第二共晶图案的厚度
。
[0024]在本专利技术的一实施例中，上述的第三位置的坐标对应于第二位置的坐标
。
[0025]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下
。
附图说明
[0026]图1至图6是本专利技术一实施例的发光装置的制造方法的步骤流程的局部剖面示意图；
[0027]图7是本专利技术一实施例的发光装置的制造方法的流程图
。
[0028]符号说明
[0029]10:
发光装置
[0030]10
’
:
待修补发光装置
[0031]110:
电路基板
[0032]112:
底板
[0033]114:
电路结构
[0034]120,120a,120b,120c:
发光元件
[0035]121:
第一电极
[0036]122:
第二电极
[0037]123:
发光叠层
[0038]130:
连接层
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光装置，包括：电路基板；多个发光元件，设置于所述电路基板之上；多个金属图案，分别设置于所述多个发光元件与所述电路基板之间；多个连接件，分别设置于所述多个发光元件与所述多个金属图案之间；以及多个共晶图案，分别设置于所述多个发光元件与所述多个连接件之间，其中所述多个发光元件中的第一发光元件与所述电路基板之间具有第一间距，所述多个发光元件中的第二发光元件与所述电路基板之间具有第二间距，且所述第一间距与所述第二间距之差为所述共晶图案的厚度
。2.
如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属图案包含钛
、
钼或铜
。3.
如权利要求1所述的发光装置，其中所述连接件包含铟
、
锡
、
铜
、
银
、
铋或其合金
。4.
如权利要求1所述的发光装置，其中所述多个连接件的厚度不完全相同
。5.
如权利要求1所述的发光装置，其中与所述第一发光元件电连接的连接件具有第一厚度，与所述第二发光元件电连接的连接件具有第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度之差为所述共晶图案的厚度
。6.
如权利要求1所述的发光装置，其中所述多个共晶图案的厚度实质上相同
。7.
如权利要求6所述的发光装置，其中所述共晶图案的厚度为
0.4
μ
m
至
0.7
μ
m。8.
如权利要求1所述的发光装置，还包括多个接垫，分别位于所述多个金属图案与所述电路基板之间
。9.
一种发光装置，包括：电路基板；多个发光元件，设置于所述电路基板之上；多个连接件，分别设置于所述多个发光元件与所述电路基板之间；以及多个共晶图案，分别设置于所述多个发光元件与所述多个连接件之间，其中所述多个连接件中的第一连接件设置于所述多个发光元件中的第一发光元件与所述电路基板之间，所述多个连接件中的第二连接件设置于所述多个发光元件中的第二发光元件与所述电路基板之间，且所述第一连接件的厚度为所述共晶图案的厚度与所述第二连接件的厚度之和
。10.
如权利要求9所述的发光装置，其中所述共晶图案包括所述发光元件的电极的材料及所述连接件的材料
。11.
如权利要求9所述的发光装置，还包括多个金属图案，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭重恩，刘锦营，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：