一种制造技术

一种

【技术实现步骤摘要】
一种micro
‑
Qdyes LED背光模组的制作方法


[0001]本专利技术属于背光模组的
，具体是指一种
micro
‑
Qdyes LED
背光模组的制作方法
。

技术介绍

[0002]Micro LED
显示技术是以自发光的微纳米量级的
LED
为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成
LED
阵列的显示
。
由于其高亮度
、
高对比度
、
快速响应
、
低能耗
、
长寿命
、
高可靠度
、
轻薄等特性，使其在显示方面比
LCD、OLED
相比具有更大的优势
。
[0003]然而，现有技术中，在制作
micro LED
背光模组时，往往需要对红
(R)、
绿
(G)、
蓝
(B)
三种
LED
灯珠焊接到
Mini LED
灯板上
。
因在巨量转移过程中，对平面上微纳级的
LED
灯珠进行有序排布是困难的，尤其还需要区分
R、G、BLED
灯珠
。
因此，需要提出一种技术方案旨在解决红
、
绿
、
蓝
LED
灯珠在
micro LED
背光模组中巨量转移的技术难点
。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种
micro
‑
Qdyes LED
背光模组的制作方法，实现有利于
LED
灯珠的排布
。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一种
micro
‑
Qdyes LED
背光模组的制作方法，包括如下步骤：
[0007]步骤
S1
：在
Mini LED
灯板上焊接蓝光灯珠，形成
Mini B
‑
LED
阵列；
[0008]步骤
S2
：接着在
Mini B
‑
LED
阵列周围涂布一层
BM
光阻层；
[0009]步骤
S3
：采用紫外光光源通过光罩对
BM
光阻层进行照射，在
BM
光阻层上形成
BM
掩膜图形；
[0010]步骤
S4
：在
Mini B
‑
LED
阵列上涂覆一层
Qdyes
光阻膜，使蓝光
LED
光线被完全转化成白光；
[0011]步骤
S5
：进行封装，即可得到
micro
‑
Qdyes LED
背光模组
。
[0012]进一步地，所述步骤
S1
中的焊接工艺采用
POB
或者
COB
进行焊接
。
[0013]进一步地，所述步骤
S2
中的
BM
光阻层的形状为
T
形
。
[0014]进一步地，所述步骤
S2
中的
BM
光阻层的形状为弧形
。
[0015]本专利技术的优点在于：
[0016]1、
以
Qdyes
技术
(
有机色转化技术
)
替代红
、
绿
、
蓝
LED
灯珠完成彩色显示，旨在解决红
、
绿
、
蓝
LED
灯珠在
Mini LED
灯板上巨量转移的技术难点
。
[0017]2、
在背光模组使用过程中，由于
Qdyes
膜片四周因老化等原因发生失效，导致在显示边缘区出现转换不完全而发生蓝边的技术问题，本专利技术采用
T
形或弧形
BM
层，有效增加遮蔽角度，从而达到解决边缘蓝边的技术问题
。
附图说明
[0018]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述
。
[0019]图1是本专利技术的
micro
‑
Qdyes LED
背光模组俯视图
。
[0020]图2是本专利技术的
T
形
BM
实施例的剖视图
。
[0021]图3是本专利技术的弧形
BM
实施例的剖视图
。
具体实施方式
[0022]如图1至图3所示，一种
micro
‑
Qdyes LED
背光模组的制作方法，包括如下步骤：
[0023]步骤
S1
：在
Mini LED
灯板
101
上焊接蓝光灯珠，形成
Mini B
‑
LED
阵列
103
，此焊接工艺为本行业内常见工艺，可采用
POB(Package ON Board)
或者
COB(Chip ON Board)
进行焊接；
[0024]步骤
S2
：接着在
Mini B
‑
LED
阵列
103
涂布一层
BM
光阻层
102
；
[0025]步骤
S3
：采用紫外光光源通过光罩对
BM
光阻层进行照射，在
BM
光阻层上形成
BM
掩膜图形；
BM
掩膜图形为
T
形
(
如图2所示
)
或弧形
(
如图3所示
)
，有效增加遮蔽角度，从而达到解决边缘蓝边的技术问题；
[0026]步骤
S4
：在
Mini B
‑
LED
阵列上涂覆一层
Qdyes
光阻膜
104
，使蓝光
LED
光线被完全转化成白光；
[0027]步骤
S5
：进行封装，即可得到
micro
‑
Qdyes LED
背光模组
。
[0028]本专利技术以
Qdyes
技术
(
有机色转化技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
micro
‑
Qdyes LED
背光模组的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤
S1
：在
Mini LED
灯板上焊接蓝光灯珠，形成
Mini B
‑
LED
阵列；步骤
S2
：接着在
Mini B
‑
LED
阵列周围涂布一层
BM
光阻层；步骤
S3
：采用紫外光光源通过光罩对
BM
光阻层进行照射，在
BM
光阻层上形成
BM
掩膜图形；步骤
S4
：在
MiniB
‑
LED
阵列上涂覆一层
Qdyes
光阻膜，使蓝光
LED
光线被完全转化成白光；步骤
S5
：进行封装，即...

【专利技术属性】
技术研发人员：余剑辉，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：