一种层叠桥接模拟方法技术

本发明专利技术涉及蚀刻模拟领域，特别是涉及一种层叠桥接模拟方法

【技术实现步骤摘要】
一种层叠桥接模拟方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及蚀刻模拟领域，特别是涉及一种层叠桥接模拟方法
、
装置
、
设备及介质
。

技术介绍

[0002]蚀刻模型可以对于给定的集成电路掩膜图案，预测该图案在蚀刻工艺之后的轮廓，因此广泛应用于集成电路的热点预测和修复
。
在使用蚀刻模型时，一般需要先计算对应的光刻图像或者轮廓，再基于光刻图像或者轮廓应用蚀刻模型，以得到蚀刻后轮廓
。
[0003]但在需要考虑蚀刻后结构的三维形貌的场合，比如层叠结构的上下层之间的桥接情况下，目前所有的蚀刻模型均不是特别精确，时常出现模拟合格，但在实际生产中却大量出现缺陷和漏洞，导致上下层未能按预想中接触连接，导致成品的良品率大幅下降的问题
。
[0004]因此，如何提升蚀刻模型在模拟层叠桥接结构时的准确性，是本领域技术人员亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种层叠桥接模拟方法
、
装置
、
设备及介质，以解决现有技术中对层叠桥接结构进行模拟时准确率低的问题
。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种层叠桥接模拟方法，包括：获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据；根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。
[0007]可选地，在所述的层叠桥接模拟方法中，所述蚀刻模型的训练包括：获取样品掩膜图案，及对应的蚀刻后扫描电子显微镜图像；根据所述蚀刻后扫描电子显微镜图像确定所述样品掩膜图案对应的底部轮廓及顶部轮廓；将所述样品掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到样品光刻轮廓；通过所述底部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的底部偏差，通过所述顶部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的顶部偏差；根据所述底部偏差对预训练的蚀刻模型进行修正，得到底部蚀刻偏差模型；根据所述顶部偏差对所述蚀刻模型进行修正，得到顶部蚀刻偏差模型；根据所述底部蚀刻偏差模型及所述顶部蚀刻偏差模型，确定所述蚀刻模型
。
[0008]可选地，在所述的层叠桥接模拟方法中，所述根据所述蚀刻后扫描电子显微镜图像确定对应的底部轮廓及顶部轮廓包括：
通过所述蚀刻后扫描电子显微镜图像的梯度极大值点的位置分布，确定所述蚀刻后扫描电子显微镜图像中的图形边缘信息；根据所述图形边缘信息确定对应的底部轮廓及顶部轮廓
。
[0009]可选地，在所述的层叠桥接模拟方法中，在将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据之后，还包括：根据所述顶部仿真数据
、
所述底部仿真数据及预设的目标层高，确定对应的三维仿真数据；所述三维仿真数据中高度为
z
的目标平面的仿真数据
B
z
（
x,y
）如下式：；其中，
z
为所述目标平面到对应的底面的距离，
t0为所述目标层高，
B
b
（
x,y
）为所述底部仿真数据，
B
t
（
x,y
）为所述顶部仿真数据；相应地，所述根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果包括：根据各层的所述三维仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。
[0010]一种层叠桥接模拟装置，包括：获取模块，用于获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；光刻仿真模块，用于将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；蚀刻仿真模块，用于将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据；模拟判断模块，用于根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。
[0011]可选地，在所述的层叠桥接模拟装置中，所述蚀刻模型的训练包括：样品获取单元，用于获取样品掩膜图案，及对应的蚀刻后扫描电子显微镜图像；轮廓读取单元，用于根据所述蚀刻后扫描电子显微镜图像确定所述样品掩膜图案对应的底部轮廓及顶部轮廓；光学修正单元，用于将所述样品掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到样品光刻轮廓；偏差单元，用于通过所述底部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的底部偏差，通过所述顶部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的顶部偏差；顶底模型单元，用于根据所述底部偏差对预训练的蚀刻模型进行修正，得到底部蚀刻偏差模型；根据所述顶部偏差对所述蚀刻模型进行修正，得到顶部蚀刻偏差模型；模型建立单元，用于根据所述底部蚀刻偏差模型及所述顶部蚀刻偏差模型，确定所述蚀刻模型
。
[0012]可选地，在所述的层叠桥接模拟装置中，所述轮廓读取单元，包括：极大值单元，用于通过所述蚀刻后扫描电子显微镜图像的梯度极大值点的位置分布，确定所述蚀刻后扫描电子显微镜图像中的图形边缘信息；描边单元，用于根据所述图形边缘信息确定对应的底部轮廓及顶部轮廓
。
[0013]可选地，在所述的层叠桥接模拟装置中，所述蚀刻仿真模块，还包括：三维仿真单元，用于根据所述顶部仿真数据
、
所述底部仿真数据及预设的目标层高，确定对应的三维仿真数据；所述三维仿真数据中高度为
z
的目标平面的仿真数据
B
z
（
x,y
）如下式：；其中，
z
为所述目标平面到对应的底面的距离，
t0为所述目标层高，
B
b
（
x,y
）为所述底部仿真数据，
B
t
（
x,y
）为所述顶部仿真数据；相应地，所述模拟判断模块包括：三维判断单元，用于根据各层的所述三维仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。
[0014]一种层叠桥接模拟设备，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任意种所述的层叠桥接模拟方法的步骤
。
[0015]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的层叠桥接模拟方法的步骤
。
[0016]本专利技术所提供的层叠桥接模拟方法，通过获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种层叠桥接模拟方法，其特征在于，包括：获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据；根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。2.
如权利要求1所述的层叠桥接模拟方法，其特征在于，所述蚀刻模型的训练包括：获取样品掩膜图案，及对应的蚀刻后扫描电子显微镜图像；根据所述蚀刻后扫描电子显微镜图像确定所述样品掩膜图案对应的底部轮廓及顶部轮廓；将所述样品掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到样品光刻轮廓；通过所述底部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的底部偏差，通过所述顶部轮廓及所述样品光刻轮廓，得到对应的顶部偏差；根据所述底部偏差对预训练的蚀刻模型进行修正，得到底部蚀刻偏差模型；根据所述顶部偏差对所述蚀刻模型进行修正，得到顶部蚀刻偏差模型；根据所述底部蚀刻偏差模型及所述顶部蚀刻偏差模型，确定所述蚀刻模型
。3.
如权利要求2所述的层叠桥接模拟方法，其特征在于，所述根据所述蚀刻后扫描电子显微镜图像确定对应的底部轮廓及顶部轮廓包括：通过所述蚀刻后扫描电子显微镜图像的梯度极大值点的位置分布，确定所述蚀刻后扫描电子显微镜图像中的图形边缘信息；根据所述图形边缘信息确定对应的底部轮廓及顶部轮廓
。4.
如权利要求1所述的层叠桥接模拟方法，其特征在于，在将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据之后，还包括：根据所述顶部仿真数据
、
所述底部仿真数据及预设的目标层高，确定对应的三维仿真数据；所述三维仿真数据中高度为
z
的目标平面的仿真数据
B
z
（
x,y
）如下式：；其中，
z
为所述目标平面到对应的底面的距离，
t0为所述目标层高，
B
b
（
x,y
）为所述底部仿真数据，
B
t
（
x,y
）为所述顶部仿真数据；相应地，所述根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果包括：根据各层的所述三维仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果
。5.
一种层叠桥接模拟装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；光刻仿真模块，用于将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；
蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敖，王敏，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：