【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻，特别涉及一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、掩膜工艺校正（mask process correction，即mpc）是在使用电子束曝光和蚀刻工艺制造掩膜时，对电子束曝光图案做校正，使得制造得到的最终掩膜图案与目标掩膜图案一致。掩膜工艺校正有基于规则的和基于模型的两种，对于精度要求较高的掩膜，须使用基于模型的掩膜工艺校正。
2、随着掩膜尺寸的进一步缩小，在掩膜制造时引入了多种曝光剂量（multi-dose）工艺，即在电子束曝光时对不同的图案使用不同的曝光剂量。对于一般尺寸的图案，使用常规曝光剂量，而对于尺寸很小的图案，如亚分辨率辅助图形，则使用更高的剂量，以提高制造精度。在多种曝光剂量工艺中，由于不同曝光剂量图案对应的掩膜工艺校正模型不同，现有技术在进行掩膜工艺校正时只能逐层分步进行。而分步校正无法充分考虑图形之间的相互作用和依赖，因此，当不同曝光剂量的图形距离很近甚至相连时，校正的精度误差较大。因此，如何提高多种曝光剂量工艺中的校正精度，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题
【技术保护点】
1.一种掩膜工艺校正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述根据不同曝光剂量对应的目标掩膜图案定义不同的曝光区域，包括：
3.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述根据所述边缘放置误差对所述当前掩膜图案进行校正，将校正后掩膜图案作为电子束曝光掩膜图案，包括：
4.根据权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述预设条件是所有所述边缘放置误差小于预设阈值，或者达到预设迭代次数。
5.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述将当前掩膜图案按照所述...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜工艺校正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述根据不同曝光剂量对应的目标掩膜图案定义不同的曝光区域，包括：
3.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述根据所述边缘放置误差对所述当前掩膜图案进行校正，将校正后掩膜图案作为电子束曝光掩膜图案，包括：
4.根据权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述预设条件是所有所述边缘放置误差小于预设阈值，或者达到预设迭代次数。
5.根据权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述将当前掩膜图案按照所述曝光...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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