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本申请公开了一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及可读存储介质，属于光刻技术领域。本申请校正前预先建立多种曝光剂量工艺的联合掩膜工艺校正模型，当仿真区域内包含不同曝光剂量的图案时，通过联合掩膜工艺校正模型进行一次性仿真可以得到最终掩膜图案。在对...
该专利属于华芯程（杭州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯程（杭州）科技有限公司授权不得商用。

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