光学邻近修正方法及系统技术方案

一种光学邻近修正方法及系统

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统
、
掩膜版
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤
、
曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤
。
[0003]然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大
。
为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正
(optical proximity correction
，
OPC)
处理，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移
。
[0004]但是，目前光学邻近修正后的图形仍会存在一些缺陷，在进行光学邻近修正处理后，还需要再次进行修复处理
。

技术实现思路
r/>[0005]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供版图，包括第一修正后图形，所述第一修正后图形由初始目标图形经过光学邻近修正处理获得，所述第一修正后图形具有第一最小模拟图形；检测所述第一最小模拟图形是否具有图形丢失缺陷；在所述第一最小模拟图形具有图形丢失缺陷的情况下，对所述初始目标图形进行放大处理；对放大处理后的所述初始目标图形进行光学邻近修正处理，获得第二修正后图形
、
以及对应所述第二修正后图形的第二最小模拟图形；检测所述第二最小模拟图形是否具有图形丢失缺陷，并在确定所述第二最小模拟图形具有图形丢失缺陷时，对放大处理后的所述初始目标图形继续进行放大处理
、
光学邻近修正处理以及图形丢失缺陷的检测，直至所述第二最小模拟图形不具有图形丢失缺陷；将所述第二修正后图形作为光罩图形
。2.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，以图形面积为检测标准，检测所述第一最小模拟图形是否具有图形丢失缺陷
。3.
如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，检测所述第一最小模拟图形是否具有图形丢失缺陷的步骤包括：获取所述第一最小模拟图形与对应初始目标图形的面积；将所述第一最小模拟图形的面积
、
与对应所述初始目标图形的面积比值与预设阈值相比较，且当所述面积比值小于预设阈值时，判定所述第一最小模拟图形具有图形丢失缺陷
。4.
如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设阈值为
70
％至
90
％
。5.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述初始目标图形进行放大处理的步骤包括：将所述初始目标图形的各个边向外侧等距平移预设尺寸，构成封闭图形，作为放大处理后的所述初始目标图形
。6.
如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设尺寸为
0.1nm
至
0.25nm。7.
如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述第二最小模拟图形不具有图形丢失缺陷之后，所述方法还包括：对修正处理后的所述版图进行光学邻近修正处理的验证处理，验证修正处理后的所述版图的图形传递精准度
。8.
如权利要求1所述的光学邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：严中稳，张戈，黄宜斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：