【技术实现步骤摘要】
一种快速计算光刻掩膜图像的方法、装置及设备
[0001]本专利技术涉及光刻模拟领域,特别是涉及一种快速计算光刻掩膜图像的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]随着芯片工艺制程不断向更小尺寸发展,先进芯片制程对光罩掩膜(MASK)、光学邻近矫正(OPC:optical proximity correction)的计算过程中的计算光刻图像仿真效率提出了更高要求。
[0003]传统的计算光刻,需要在光线从照射光源到照射透镜,再到光罩掩膜与投影透镜,最后到光刻胶成像的各个步骤中,通过严格的物理算式,展开进行6个自由度的数值积分,最后才能得到光刻胶上的图像结果,计算复杂度高,单次计算需要花费大量的计算时间,效率低下。
[0004]进一步地,传统的OPC需要依据对不同形式的光罩掩膜进行仿真优化,以找出最佳图案参数用于实现高精度、良率好的芯片制程,但光罩掩膜上pattern自由度大、可调参数颗粒小,搜索空间庞多,传统严格的数值计算无法满足设计周期及良率要求。换句话说,传统的OPC需要确定多个待选的掩 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种快速计算光刻掩膜图像的方法,其特征在于,包括:接收目标版图;将所述目标版图输入神经网络模型,得到输出图像;所述神经网络模型在训练过程中的损失函数为训练输出图像与标准对照图像的差异的梯度的二范数;根据所述输出图像,确定光刻掩膜图像。2.如权利要求1所述的快速计算光刻掩膜图像的方法,其特征在于,所述将所述目标版图输入神经网络模型,得到输出图像包括:将所述目标版图输入神经网络模型,得到多幅输出图像;相应地,所述根据所述输出图像,确定光刻掩膜图像包括:根据所述输出图像,通过物理积分法确定对应的光刻胶成像;分别将所述光刻胶成像与所述目标版图对比,得到与所述输出图像对应的边缘误差;将所述边缘误差最小的输出图像确定为光刻掩膜图像。3.如权利要求2所述的快速计算光刻掩膜图像的方法,其特征在于,在将所述边缘误差最小的输出图像确定为光刻掩膜图像之前,还包括:判断是否存在低于预设的合格阈值的边缘误差;当全部的边缘误差均高于所述合格阈值时,确定计算失败,并发出警报。4.如权利要求1所述的快速计算光刻掩膜图像的方法,其特征在于,在将所述目标版图输入神经网络模型之前,还包括:获取光刻表征参数;相应地,所述将所述目标版图输入神经网络模型,得到输出图像包括:根据所述光刻表征参数,确定对应的神经网络模型;将所述目标版图输入所述神经网络模型,得到输出图像。5.一种快速计算光刻掩膜图像的装置,其特征在于,包括:接收模块,用于接收目标版图;神经网络模块,用于将所述目标版图输入神经网络模型,得到输出图像;所述神经网络模型在训练过程中的损失函数为训练输出图像与标准对照图像的差异的梯度...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:华芯程杭州科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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