拼接曝光用掩模制造技术

根据本发明专利技术一个实施方案的用于形成线和空间图案的方法包括：在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模并且拼接所述掩模。用于形成线和空间图案的方法包括以下步骤：在所述基板上进行第一曝光，使得所述掩模的第一拍摄在所述第一方向上彼此接触；和在所述基板上进行第二曝光，使得所述掩模的第二拍摄彼此接触，从而在所述第二方向上与所述第一拍摄间隔开并且在所述第一方向上相对于所述第一拍摄偏移。在所述第一方向上相对于所述第一拍摄偏移。在所述第一方向上相对于所述第一拍摄偏移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】拼接曝光用掩模


[0001]本公开涉及光掩模的光学邻近效应修正，更具体地，涉及用于光学邻近效应修正的线和空间图案掩模，用于去除由拼接曝光工艺引起的拍摄的干涉效应。

技术介绍

[0002]线栅偏振器是设置在诸如玻璃等基板的表面上的平行导线的阵列。线栅偏振器由纳米尺度的线和空间图案形成。常规地，当线栅的周期(或间距)小于光的波长时，线栅用作偏振器。
[0003]在偏振成像装置中使用金属线栅偏振器的情况下，反射并发射的S波被成像装置内的环境光学单元和机械单元重新反射和散射，从而使偏振图像劣化。因此，需要一种减少基于金属线栅的偏振器的s波反射并且提高p波透射率的方法。
[0004]在线栅偏振滤波器中，对比度C/R随着线栅的线宽减小和线栅的高度增加而增加。因此，需要线栅的线宽为50nm以下的工艺。
[0005]另一方面，线栅偏振滤波器需要大面积以用作用于相机或柔性显示器的大直径偏振滤波器。然而，可以使用拼接(stitching)曝光工艺作为形成具有大面积的晶粒(die)的方法。拼接曝光工艺是连续组合多个拍摄(shots)以形成尺寸大于光掩模尺寸(拍摄场(shot field))的晶粒或芯片的技术。
[0006]常规地，曝光装置的曝光区域(拍摄场)以规则的间隔彼此间隔开。这种间隔被称为划线，并且标记被雕刻以切割或对齐芯片。因此，掩模通常彼此间隔开。不使用形成其中掩模之间的间隔为“0”的图案的拼接曝光工艺。在拼接曝光工艺中，在基板上彼此相邻地布置四个拍摄，使得在拍摄之间发生干涉。
[0007]特别地，在线的线宽为50nm以下的线和空间图案的情况下，彼此相邻布置四个拍摄。因此，在100nm的间距下，拍摄之间的干涉会发生三次，使得不能形成线和空间图案。
[0008]因此，即使在其中光致抗蚀剂(photoresist)线的线宽约为50nm的线和空间图案的情况下，也需要一种进行拼接工艺的新方法。

技术实现思路

[0009]技术问题
[0010]本公开提供了一种新型的拼接工艺以及用于拼接工艺的新型的掩模，其中能够对线和空间图案进行拼接工艺。
[0011]本公开提供了一种新型的拼接工艺以及用于拼接工艺的新型的掩模，其中能够显著降低通过拼接曝光工艺由干涉引起的光致抗蚀剂的厚度的减小。
[0012]本公开提供了一种新型的拼接工艺以及用于拼接工艺的新颖的掩模，其中在拼接曝光工艺中进行光学邻近效应修正以提供均匀的线宽。
[0013]技术解决方案
[0014]在根据本公开的示例实施方案的形成线和空间图案的方法中，在基板上沿第一方
向和第二方向曝光掩模以进行拼接工艺。所述方法包括：在所述基板上进行第一曝光工艺，使得所述掩模的第一拍摄在所述第一方向上彼此接触；和在所述基板上进行第二曝光工艺，使得所述掩模的第二拍摄彼此接触以在所述第二方向上与所述第一拍摄间隔开并且与所述第一拍摄具有偏移。
[0015]在示例实施方案中，所述偏移可以大于所述拍摄的干涉区域的宽度。
[0016]在示例实施方案中，所述第一拍摄和所述第二拍摄中的每一个可以包括被曝光基准能量的基准能量区域；由于所述第一拍摄和所述第二拍摄的干涉而具有比所述基准能量高的能量的一次干涉区域；和由于所述第一拍摄和所述第二拍摄的干涉而具有比所述基准能量高的能量的两次干涉区域。
[0017]在示例实施方案中，所述掩模的与所述一次干涉区域相对应的一次干涉掩模区域可以具有比所述掩模的与所述基准能量区域相对应的基准能量掩模区域的基准掩模线宽更大的第一掩模线宽。所述掩模的与所述两次干涉区域相对应的两次干涉掩模区域可以具有比所述掩模的与所述基准能量区域相对应的所述基准能量掩模区域的掩模线宽更大的第二掩模线宽。
[0018]在示例实施方案中，所述线和空间图案的间距在所述第一拍摄和所述第二拍摄中可以是相同的，并且所述线和空间图案的光致抗蚀剂的间距可以为80nm至140nm。
[0019]在示例实施方案中，所述基准能量区域可以具有设置在矩形拍摄中的矩形形状，并且设置在拍摄的中心，所述一次干涉区域可以设置在边上以包围所述基准能量区域，并且所述两次干涉区域可以局部地设置在基准能量区域的顶点处以及所述第一方向上的一对顶点之间。
[0020]在示例实施方案中，所述掩模可以包括：矩形基准能量掩模区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左侧和右侧的左侧区域和右侧区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左上部分和右上部分的左上部顶点区域和右上部顶点区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左下部分和右下部分的左下部顶点区域和右下部顶点区域；设置在所述基准能量掩模区域的上方的上部区域；设置在所述上部区域和所述左上部顶点区域之间的左上部区域；设置在所述上部区域和所述右上部顶点区域之间的右上部区域；设置在所述基准能量掩模区域的下方的下部区域；设置在所述下部区域和所述左下部顶点区域之间的左下部区域；和设置在所述下部区域和所述右下部顶点区域之间的右下部区域。所述基准能量掩模区域的线宽可以是基准掩模线宽，所述左侧区域、所述右侧区域、所述左上部区域、所述右上部区域、所述左下部区域和所述右下部区域的线宽可以与第一掩模线宽相同，所述上部区域、所述下部区域、所述左上部顶点区域、所述右上部顶点区域、所述左下部顶点区域和所述右下部顶点区域的线宽可以与第二掩模线宽相同，所述第二掩模线宽可以大于所述第一掩模线宽，并且所述第一掩模线宽可以大于所述基准掩模线宽。
[0021]在示例实施方案中，所述基准掩模线宽可以为50nm，所述第一掩模线宽可以为56nm，并且所述第二掩模线宽可以为60nm。
[0022]在示例实施方案中，提供了一种通过如权利要求1所述的形成线和空间图案的方法制造的线栅偏振器。
[0023]在根据本公开的示例实施方案的用于形成线和空间图案的掩模中，通过在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模来进行拼接工艺。所述掩模可以包括：在掩模基板上沿所
述第一方向和所述第二方向形成的矩形基准能量掩模区域；设置在边上以包围所述基准能量掩模区域的一次干涉掩模区域；和局部地设置在所述基准能量掩模区域的顶点处以及所述第一方向上的一对顶点之间的两次干涉掩模区域。所述基准能量掩模区域可以具有基准掩模线宽，所述一次干涉掩模区域可以具有第一掩模线宽，所述两次干涉掩模区域可以具有第二掩模线宽，所述第二掩模线宽可以大于所述第一掩模线宽，并且所述第一掩模线宽可以大于所述基准掩模线宽。
[0024]在示例实施方案中，所述基准掩模线宽可以为50nm，所述第一掩模线宽可以为56nm，并且所述第二掩模线宽可以为60nm。
[0025]在用于形成线和空间图案的掩模中，通过在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模来进行拼接工艺。所述掩模包括：矩形基准能量掩模区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左侧和右侧的左侧区域和右侧区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左上部分和右上部分的左上部顶点区域和右上部顶点区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左下部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种通过在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模以进行拼接工艺来形成线和空间图案的方法，所述方法包括：在所述基板上进行第一曝光工艺，使得所述掩模的第一拍摄在所述第一方向上彼此接触；和在所述基板上进行第二曝光工艺，使得所述掩模的第二拍摄彼此接触以在所述第二方向上与所述第一拍摄间隔开并且与所述第一拍摄具有偏移。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏移大于所述拍摄的干涉区域的宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一拍摄和所述第二拍摄中的每一个包括：被曝光基准能量的基准能量区域；由于所述第一拍摄和所述第二拍摄的干涉而具有比所述基准能量高的能量的一次干涉区域；和由于所述第一拍摄和所述第二拍摄的干涉而具有比所述基准能量高的能量的两次干涉区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述掩模的与所述一次干涉区域相对应的一次干涉掩模区域具有比所述掩模的与所述基准能量区域相对应的基准能量掩模区域的基准掩模线宽更大的第一掩模线宽，并且所述掩模的与所述两次干涉区域相对应的两次干涉掩模区域具有比所述掩模的与所述基准能量区域相对应的所述基准能量掩模区域的掩模线宽更大的第二掩模线宽。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述线和空间图案的间距在所述第一拍摄和所述第二拍摄中是相同的，并且所述线和空间图案的光致抗蚀剂的间距为80nm至140nm。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述基准能量区域具有设置在矩形拍摄中的矩形形状，并且设置在拍摄的中心，所述一次干涉区域设置在边上以包围所述基准能量区域，并且所述两次干涉区域局部地设置在基准能量区域的顶点处以及所述第一方向上的一对顶点之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模包括：矩形基准能量掩模区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左侧和右侧的左侧区域和右侧区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左上部分和右上部分的左上部顶点区域和右上部顶点区域；分别设置在所述基准能量掩模区域的左下部分和右下部分的左下部顶点区域和右下部顶点区域；设置在所述基准能量掩模区域的上方的上部区域；设置在所述上部区域和所述左上部顶点区域之间的左上部区域；设置在所述上部区域和所述右上部顶点区域之间的右上部区域；
设置在所述基准能量掩模区域的下方的下部区域；设置在所述下部区域和所述左下部顶点区域之间的左下部区域；和设置在所述下部区域和所述右下部顶点区域之间的右下部区域，所述基准能量掩模区域的线宽是基准掩模线宽，所述左侧区域、所述右侧区域、所述左上部区域、所述右上部区域、所述左下部区域和所述右下部区域的线宽与第一掩模线宽相同，所述上部区域、所述下部区域、所述左上部顶点区域、所述右上部顶点区域、所述左下部顶点区域和所述右下部顶点区域的线宽与第二掩模线宽相同，所述第二掩模线宽大于所述第一掩模线宽，并且所述第一掩模线宽大于所述基准掩模线宽。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述基准掩模线宽为50nm，所述第一掩模线宽为56nm，并且所述第二掩模线宽为60nm。9.一种通过根据权利要求1所述的形成线和空间图案的方法制造的线栅偏振器。10.一种用于形成线和空间图案的掩模，其中通过在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模来进行拼接工艺，所述掩模包括：在掩模基板上沿所述第一方向和所述第二方向形成的矩形基准能量掩模区域；设置在边上以包围所述基准能量掩模区域的一次干涉掩模区域；和局部地设置在所述基准能量掩模区域的顶点...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋政哲，吴在燮，朴民俊，曺喜载，金光熙，韩昌熹，
申请(专利权)人：韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：