OPC模型的建模方法、OPC修正方法及其系统技术方案

本发明专利技术提供了一种OPC模型的建模方法、建模系统和OPC修正方法及其修正系统。具体通过OPC模型的建模过程中加入与测试图形的图形密度相关的变量的方式，使建立的OPC模型中包含图形关键尺寸和/或图形位置偏移量与图形密度相关变量之间的映射函数关系，以提出一种新型的OPC模型。之后，再利用该OPC模型确定出目标修改图形在其周边的不同预设区域的不同图形密度影响下的关键尺寸的畸变情况以及其相对于各个所述预设区域的位置偏移量的偏移情况，然后根据该畸变情况和/或与偏移情况和测试图形的预先设计关键尺寸和标准位置做对比，便可确定出OPC修正过程对测试图形的修正量，从而提高OPC修正过程中的准确度，进而提高了版图的工艺窗口和有效提升了产品良率。的工艺窗口和有效提升了产品良率。的工艺窗口和有效提升了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
OPC模型的建模方法、OPC修正方法及其系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种OPC模型的建模方法、建模系统和OPC修正方法及其修正系统。

技术介绍

[0002]在半导体制程过程中，对掩模版上的图形做适当修改以补偿光学邻近效应造成的缺陷，从而在晶圆表面得到和原始的掩模版设计相同的图案，称之为光学邻近修正(OpticalProximityCorrection，OPC)。
[0003]目前，现有的OPC修正方法通常是通过收集特定的测试图形，根据数学拟合方法得到一个映射函数，然后通过对原始版图进行映射后得到目标版图，之后再通过实际验证，进一步修正映射函数，此过程被称为建模，所得到的映射关系为OPC模型。
[0004]由于现有的OPC模型在建模的过程中是不考虑周边图形对模型的影响的，即其仅是通过一些简单的规则图形来进行建模，而对于实际中出现的不符合映射关系的图形，现有的常规修正方式有两种，方式一是修改映射函数，方式二是通过一些图形识别规则来找出相应图形进行额外修正。
[0005]然而，上述两种方式目前均是需要人工或AI学习实现，且不一定符合真实的实际情况，因此，利用现有技术形成的OPC模型进行图形的OPC修正时，往往会出现不在OPC建模测试的图形中的结构会有较大变化，即不但会引起掩膜版上图形的关键尺寸CD的变化，还会进一步造成因为光强分布变化而引起图形发生偏移的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种OPC模型的建模方法、建模系统和OPC修正方法及其修正系统，以通过提出一种基于图形密度的OPC建模方法形成的OPC模型，解决现有的测试掩模版上图形尺寸由于不考虑周边一定区域的图形密度对其OPC修正过程的影响，而导致的精度较低的问题，并提高了OPC修正效果，改善了光刻质量。
[0007]第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术提供一种OPC模型的建模方法，所述建模方法可以包括：
[0008]确定一目标图形，并在所述目标图形的周边区域内放置N组图形密度不同的测试图形，其中N大于等于1；
[0009]基于所述目标图形和所述N组测试图形，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型。
[0010]进一步的，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型的步骤，具体可以包括：
[0011]分别收集具有不同图形密度的每组所述测试图形的硅片数据，所述硅片数据包括
所述目标图形制作在硅片上的实际关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的实际位置偏移量；
[0012]根据所述硅片数据，建立所述目标图形在硅片上的实际关键尺寸和/或实际位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的映射函数关系，即建立了所述OPC模型。
[0013]进一步的，每组所述测试图形中具体可以包含多个子测试图形；
[0014]所述图形密度为在所述目标图形的周边预设区域中所包含的多个所述子测试图形的面积之和占所述周边预设区域的总面积的百分比。
[0015]进一步的，所述周边预设区域的尺寸可以为X*Y，所述X的取值范围具体可以为30nm
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100nm，所述Y的取值范围具体可以为30nm
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100nm。
[0016]进一步的，每组所述测试图形的图形密度的取值范围具体可以为：30％～40％。
[0017]第二方面，基于与所述OPC模型的建模方法相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种种OPC模型的建模系统，具体的，所述建模系统可以用于实现如上所述的种OPC模型的建模方法，所述建模系统可以包括如下模块：
[0018]测试图形设置模块，用于确定一目标图形，并在所述目标图形的周边区域内放置N组图形密度不同的测试图形，其中N大于等于1；
[0019]模型建立模块，用于基于所述目标图形和所述测试图形，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型。
[0020]第三方面，基于与所述OPC模型的建模方法相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种OPC修正方法，其特征在于，所述修正方法可以包括如下步骤：
[0021]基于如上所述的OPC模型的建模方法，形成相应的OPC模型，所述OPC模型为增加图形关键尺寸和/或位置偏移量分别与图形密度相关变量之间存在映射函数关系的OPC模型；
[0022]确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图上包含多个待修正图形，确定一所述待修正图形为目标修正图形，并根据预设的OPC修正方法，对所述目标修正图形进行初始OPC修正；
[0023]从所述目标修正图形的边界开始向其四周进行遍历，以确定出所述目标修正图形的周边预设区域的图形密度；
[0024]基于确定出的所述图形密度和所述OPC模型中的映射函数关系，确定该目标修正图形的本次OPC修正的关键尺寸修正量和/或位置偏移修正量，并基于该关键尺寸修正量和/或位置偏移修正量对所述目标修正图形进行二次OPC修正。
[0025]进一步的，所述OPC模型中的所述图形关键尺寸和/或位置偏移量分别与图形密度相关变量之间存在的映射函数关系，具体可以包括：
[0026]所述目标图形在硅片上的实际关键尺寸随在所述目标图形的周边预设区域内的所述测试图形的面积与所述周边预设区域的总面积之比的比值的变化而变化的函数关系；和/或，所述目标图形在硅片上的沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的实际位置偏移量随在所述周边预设区域内的所述测试图形的面积与所述周边预设区域的总面积之比的比值的变化而变化的函数关系。
[0027]进一步的，对所述目标修正图形进行初始OPC修正的步骤，具体可以包括：
[0028]确定所述目标修正图形与其位于所述周边预设区域内的周边待修正图形之间的距离值，并根据所述距离值和预先确定出的目标图形的关键尺寸随所述目标图形与其周边图形之间的距离的变化而变化的映射函数关系，对所述目标修正图形的关键尺寸进行初始修正。
[0029]进一步的，基于所述位置偏移量对所述目标修正图形进行二次OPC修正的步骤，具体可以包括：
[0030]将所述目标修正图形的所述周边预设区域的图形密度与图形密度阈值进行比较；
[0031]若该周边预设区域的图形密度大于图形密度阈值，则将所述目标修正图形的位置沿远离该目标修正图形的所述预设区域中所包含的所述周边待修正图形的方向移动所述本次OPC修正的位置偏移修正量，否则将所述目标修正图形的位置沿靠近该目标修正图形的所述预设区域中所包含的所述周边待修正图形的方向移动所述本次OPC修正的位置偏移修正量。
[0032]第四方面，基于与所述OPC修正方法相同的专利技术构思，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OPC模型的建模方法，其特征在于，包括：确定一目标图形，并在所述目标图形的周边区域内放置N组图形密度不同的测试图形，其中N大于等于1；基于所述目标图形和所述N组测试图形，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型。2.如权利要求1所述的OPC模型的建模方法，其特征在于，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型的步骤，包括：分别收集具有不同图形密度的每组所述测试图形的硅片数据，所述硅片数据包括所述目标图形制作在硅片上的实际关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的实际位置偏移量；根据所述硅片数据，建立所述目标图形在硅片上的实际关键尺寸和/或实际位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的映射函数关系，即建立了所述OPC模型。3.如权利要求1所述的OPC模型的建模方法，其特征在于，每组所述测试图形中包含多个子测试图形；所述图形密度为在所述目标图形的周边预设区域中所包含的多个所述子测试图形的面积之和占所述周边预设区域的总面积的百分比。4.如权利要求3所述的OPC模型的建模方法，其特征在于，所述周边预设区域的尺寸为X*Y，所述X的取值范围为30nm
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100nm，所述Y的取值范围为30nm
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100nm。5.如权利要求3所述的OPC模型的建模方法，其特征在于，每组所述测试图形的图形密度的取值范围为：30％～40％。6.一种OPC模型的建模系统，其特征在于，所述建模系统用于实现所述权利要求1～5中任一项所述的OPC模型的建模方法，所述建模系统包括：测试图形设置模块，用于确定一目标图形，并在所述目标图形的周边区域内放置N组图形密度不同的测试图形，其中N大于等于1；模型建立模块，用于基于所述目标图形和所述测试图形，建立包含所述目标图形的关键尺寸和/或其沿靠近或远离各组所述测试图形所在方向的位置偏移量分别随所述测试图形的图形密度的变化而变化的OPC模型。7.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：基于所述权利要求1
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5中任一项所述的OPC模型的建模方法，形成相应的OPC模型，所述OPC模型为增加图形关键尺寸和/或位置偏移量分别与图形密度相关变量之间存在映射函数关系的OPC模型；确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图上包含多个待修正图形，确定一所述待修正图形为目标修正图形，并根据预设的OPC修正方法，对所述目标修正图形进行初始OPC修正；从所述目标修正图形的边界开始向其四周进行遍历，以确定出所述目标修正图形的周边预设区域的图形密度；基于确定出的所述图形密度和所述OPC模型中的映...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：