OPC建模方法技术

本发明专利技术提供一种OPC建模方法。所述OPC建模方法中，先建立初版光学模型，利用所述初版光学模型对用于进行曝光实验的多个测试图形进行模拟仿真，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形，在收集曝光实验形成的晶圆数据以进行检测时，收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据，不收集被去除的所述测试图形形成的晶圆数据，提高了晶圆数据收集的有效性，缩短了收集和检测晶圆数据的时间，从而缩短了OPC建模的总时间，可以在确保OPC建模准确度的情况下，缩短检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，有助于避免人力和资源的浪费，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
OPC建模方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种OPC建模方法。

技术介绍

[0002]光刻技术利用光罩将半导体工艺中所需的图形转移至晶圆上。为了使得转移到晶圆上的图形和理想的图形一致，减小光刻过程中因光学邻近效应对被转移图形产生的影响，需要对光罩上的图形进行光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC）。 OPC修正需要先进行OPC建模，即建立OPC模型，以提供光罩上的图形的设计数据。
[0003]常规OPC建模的方法是先画测试图形，然后制作测试光罩，利用该测试光罩进行曝光实验，并收集各测试图形相应的晶圆数据，检测收集到的晶圆数据，所述测试图形通常包括大量一维或二维的图形，检测过程需要检查晶圆数据中图形的形状以及尺寸等，去掉不符合建模要求的晶圆数据，之后使用筛选出的晶圆数据建立OPC模型。但是，该方法中，要检测的晶圆数据量很大，导致OPC建模时间长，效率低，而且占用曝光机台以及检测机台的时间也很长，造成人力和资源的浪费。

技术实现思路

[0004]为了在确保OPC建模准确度的情况下，缩短收集及检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，本专利技术提供一种OPC建模方法。
[0005]本专利技术提供的OPC建模方法包括：利用多个测试图形进行曝光实验，另外建立一初版光学模型；利用所述初版光学模型对多个所述测试图形进行仿真模拟，获得各个所述测试图形对应的NILS值；根据所述NILS值筛选所述测试图形，其中，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形；收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据；以及检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据，利用所述用于建模的晶圆数据建立OPC模型。
[0006]可选地，检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据的步骤包括：检查所述晶圆数据中的图形形状以及图形尺寸是否符合建模要求，并去掉不符合建模要求的晶圆数据，剩余的晶圆数据作为用于建模的晶圆数据。
[0007]可选地，所述指定NILS值小于多个所述测试图形对应的NILS值的平均值。
[0008]可选地，所述多个测试图形包括基准点图形和非基准点图形，其中，采用所述基准点图形建立所述初版光学模型。
[0009]可选地，所述指定NILS值为一所述非基准点图形对应的NILS值。
[0010]可选地，建立所述初版光学模型的步骤包括：获得至少一个所述基准点图形；利用所述基准点图形设计光罩版图；以及利用所述光罩版图和光刻参数进行拟合，得到所述初
版光学模型。
[0011]可选地，多个所述测试图形包括禁止空间周期图形，所述禁止空间周期图形的空间周期属于禁止空间周期。
[0012]可选地，所述指定NILS值为所述禁止空间周期图形对应的NILS值。
[0013]可选地，多个所述测试图形包括一维图形和/或二维图形。
[0014]可选地，至少一个所述测试图形包括平行排列且宽度相同的多个线条，相邻两个所述线条之间的间距相同。
[0015]本专利技术提供的OPC建模方法中，先建立初版光学模型，利用所述初版光学模型对用于进行曝光实验的多个测试图形进行模拟仿真，去除NILS值低于指定NILS值的所述测试图形，在收集所述曝光实验形成的晶圆数据以进行检测时，收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据，不收集在根据所述NILS值筛选所述测试图形时被去除的所述测试图形形成的晶圆数据，所述OPC建模方法具有的意想不到的效果是：提高了晶圆数据收集的有效性，缩短了收集和检测晶圆数据的时间，从而缩短了OPC建模的总时间，可以在确保OPC建模准确度的情况下，缩短检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，有助于避免人力和资源的浪费，节约成本。
附图说明
[0016]图1是一种现有OPC建模方法的流程示意图。
[0017]图2是本专利技术一实施例的OPC建模方法的流程示意图。
[0018]图3是本专利技术一实施例中的一种测试图形的示意图。
[0019]图4是测试图形的空间周期与NILS值的关系曲线。
具体实施方式
[0020]以下结合附图和具体的实施例对本专利技术的OPC建模方法作进一步详细说明。根据下面的说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术的实施例，本专利技术的实施例不应该被认为仅限于图中所示区域的特定形状。
[0021]图1是一种现有OPC建模方法的流程示意图。参见图1，一种现有OPC建模方法中，先获得用于进行曝光实验的多个测试图形，然后利用该些测试图形制作测试光罩，利用该测试光罩进行曝光实验，并收集各测试图形相应的晶圆数据，检测收集到的晶圆数据。所述测试图形通常包括大量一维或二维的图形，检测过程需要检查晶圆数据中图形的形状以及尺寸等，去掉不符合预设条件的晶圆数据，之后使用筛选出的晶圆数据建立OPC模型。但是，该方法中，要检测的晶圆数据量很大，导致OPC建模时间长，效率低，而且占用曝光机台以及检测机台的时间也很长，造成人力和资源的浪费。
[0022]为了在确保OPC建模准确度的情况下，缩短收集及检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，本专利技术实施例的OPC建模方法在收集晶圆数据之前，对用于进行曝光实验的测试图形进行筛选，去除对于OPC建模基本无效的测试图形，在收集晶圆数据时，不再收集由筛选掉的所述测试图形形成的晶圆数据，而仅从筛选出来的有效的测试图形形成的晶圆数据中收集晶圆数据，这样能够缩短收集和检测晶圆数据的时间，并且晶圆数据收集的有效性
也得到了提高。以下作进一步说明。
[0023]图2是本专利技术一实施例的OPC建模方法的流程示意图。参照图2，本专利技术一实施例涉及的OPC建模方法包括如下过程。
[0024]如图2中的步骤S1所示，首先，利用多个测试图形进行曝光实验，另外建立一初版光学模型。
[0025]所述测试图形可以根据具体测试需要设置，在进行曝光实验前，利用所述测试图形设计测试光罩版图，并制作测试光罩，然后利用所述测试光罩进行曝光实验，由于光学邻近效应，经过曝光实验得到的晶圆上的实际图形与相应的测试图形之间存在差异。
[0026]图3是本专利技术一实施例中的一种测试图形的示意图。参照图3，作为示例，用于进行曝光实验的多个测试图形可包括一维图形和/或二维图形。例如，至少一个测试图形包括平行排列且宽度相同的多个线条，相邻两个所述线条的间距相同。所述线条的宽度以及相邻两个线条之间的间距可以根据需要具体设置，所述线条的宽度和相邻两个线条之间的间距之和为一个空间周期（pitch）。
[0027]本实施例中，用于进行曝光实验的多个测试图形包括基准点图形和非基准点图形。所述基准点图形的中心在设计测试光罩版图时用作基准点，在测试光罩版图中，所述非基准点图形可按照所述基准点呈轴对称或者中心对称设置。多个所述测试图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OPC建模方法，其特征在于，包括：利用多个测试图形进行曝光实验，另外建立一初版光学模型；利用所述初版光学模型对多个所述测试图形进行仿真模拟，获得各个所述测试图形对应的NILS值；根据所述NILS值筛选所述测试图形，其中，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形；收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据；以及检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据，利用所述用于建模的晶圆数据建立OPC模型。2.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据的步骤包括：检查所述晶圆数据中的图形形状以及图形尺寸是否符合建模要求，并去掉不符合建模要求的晶圆数据，剩余的晶圆数据作为用于建模的晶圆数据。3.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，所述指定NILS值小于多个所述测试图形对应的NILS值的平均值。4.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，所述多个测试图形包括基准点图形和非基准...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：