OPC建模方法技术

本发明专利技术提供一种OPC建模方法。所述OPC建模方法中，先建立初版光学模型，利用所述初版光学模型对用于进行曝光实验的多个测试图形进行模拟仿真，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形，在收集曝光实验形成的晶圆数据以进行检测时，收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据，不收集被去除的所述测试图形形成的晶圆数据，提高了晶圆数据收集的有效性，缩短了收集和检测晶圆数据的时间，从而缩短了OPC建模的总时间，可以在确保OPC建模准确度的情况下，缩短检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，有助于避免人力和资源的浪费，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
OPC建模方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种OPC建模方法。

技术介绍

[0002]光刻技术利用光罩将半导体工艺中所需的图形转移至晶圆上。为了使得转移到晶圆上的图形和理想的图形一致，减小光刻过程中因光学邻近效应对被转移图形产生的影响，需要对光罩上的图形进行光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC）。 OPC修正需要先进行OPC建模，即建立OPC模型，以提供光罩上的图形的设计数据。
[0003]常规OPC建模的方法是先画测试图形，然后制作测试光罩，利用该测试光罩进行曝光实验，并收集各测试图形相应的晶圆数据，检测收集到的晶圆数据，所述测试图形通常包括大量一维或二维的图形，检测过程需要检查晶圆数据中图形的形状以及尺寸等，去掉不符合建模要求的晶圆数据，之后使用筛选出的晶圆数据建立OPC模型。但是，该方法中，要检测的晶圆数据量很大，导致OPC建模时间长，效率低，而且占用曝光机台以及检测机台的时间也很长，造成人力和资源的浪费。

技术实现思路

[0004]为了在确保OPC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OPC建模方法，其特征在于，包括：利用多个测试图形进行曝光实验，另外建立一初版光学模型；利用所述初版光学模型对多个所述测试图形进行仿真模拟，获得各个所述测试图形对应的NILS值；根据所述NILS值筛选所述测试图形，其中，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形；收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据；以及检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据，利用所述用于建模的晶圆数据建立OPC模型。2.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，检测收集到的所述晶圆数据以获得用于建模的晶圆数据的步骤包括：检查所述晶圆数据中的图形形状以及图形尺寸是否符合建模要求，并去掉不符合建模要求的晶圆数据，剩余的晶圆数据作为用于建模的晶圆数据。3.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，所述指定NILS值小于多个所述测试图形对应的NILS值的平均值。4.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，所述多个测试图形包括基准点图形和非基准...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：