在光学接近度校正流中对演进掩模形状的并行掩模规则检查制造技术

本公开的实施例涉及在用于集成电路设计的光学接近度校正(OPC)流中对演进掩模形状的并行掩模规则检查。公开了并行执行掩模(制造)规则检查(MRC)、共享信息以在违规被纠正时保持对称性的系统和方法。在实施例中，共享信息还用于最小化由OPC引起的对所建议的掩模形状的几何区域的变化。与常规系统相比，对多个边缘并行地执行MRC，从而在不同边缘之间共享信息以鼓励对称性。在实施例中，可以并行地调整所有边缘以减少掩模边缘遍历偏差。所有边缘以减少掩模边缘遍历偏差。所有边缘以减少掩模边缘遍历偏差。

【技术实现步骤摘要】
在光学接近度校正流中对演进掩模形状的并行掩模规则检查

技术介绍

[0001]由于集成电路几何结构已经缩小，因此开发了计算光刻以确保用于制造电路的掩模导致最佳可能的芯片产量和短的制造周转时间。处理目标集成电路设计的初始(期望)布局以计算晶圆图像(例如，使用光掩模制造“印刷”在晶圆上的电路)。计算光刻(也称为逆光刻技术(ILT)或光学接近度校正(OPC))补偿导致实际晶圆图像与初始布局不匹配的光学光刻效应(例如，衍射)。换言之，OPC补偿由光刻效应引起的误差。误差的示例包括线的变窄或变宽、角的变圆和线端的缩短。OPC产生将尽可能接近目标集成电路设计构图的所建议的掩模形状变化。
[0002]在由OPC确定所建议的掩模形状变化之后，执行掩模(制造)规则检查(MRC)以确保当使用由这些掩模所产生的晶圆图像(具有所建议的掩模形状变化)制造集成电路时可以满足所希望的产率。掩模规则限定针对掩模形状的一组上下文相关的几何约束(例如，最小边缘至边缘内部和外部、角至角、多边形区域等)。针对OPC的每次迭代执行MRC。OPC的结果是所建议的边缘分段移动，并且MRC算法变化边缘分段移动的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种计算机实现的方法，包括：接收限定用于集成电路的制造的掩模形状的边缘的集合；识别与所述掩模形状相对应的至少一个掩模制造规则违反；并行地计算对所述边缘的集合的调整以减少或去除所述至少一个掩模制造规则违反；以及根据所计算的调整来调整所述边缘的集合中的至少一个边缘，以产生经调整的边缘的集合。2.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述边缘的集合限定所述集成电路的一部分的所述掩模形状。3.根据权利要求2所述的计算机实现的方法，还包括针对所述集成电路的附加部分重复所述接收、识别、计算和调整。4.根据权利要求3所述的计算机实现的方法，其中针对所述集成电路的至少一个附加部分的所述计算通过附加处理核心与针对所述部分的所述计算并行地执行。5.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述计算包括考虑所述边缘的集合中的每个边缘的状态信息以在不引入新的掩模制造规则违反的情况下减少或去除所述至少一个掩模制造规则违反。6.根据权利要求5所述的计算机实现的方法，其中所述状态信息包括制造规则违反类型和幅度、最大可能调整量、或者理想调整量中的至少一个以减少或去除所述至少一个掩模制造规则违反。7.根据权利要求5所述的计算机实现的方法，其中共享与所述至少一个掩模制造规则违反相关联的至少两个边缘的所述状态信息，以计算针对所述至少两个边缘的所述调整。8.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述调整包括调整所述边缘的集合中的第一边缘和所述边缘的集合中的第二边缘，以保持由所述第一边缘和所述第二边缘限定的掩模形状的几何对称。9.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，其中所述边缘的集合被分配给处理核心并且所述边缘的集合中的每个边缘被分配线程以供所述处理核心并行执行以用于所述识别、计算和调整。10.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，还包括：评估所述经调整的边缘的集合以识别任何掩模制造规则违反；以及重复所述计算和调整，直到不存在掩模制造规则违反，以产生所述集成电路的最终掩模形状。11.根据权利要求1所述的计算机实现的方法，还包括：评估所述经调整的边缘的集合以识别任何掩模制造规则违反；以及重复所述计算和调整，直到所述掩模制造规则违反小于阈值，以产生所述集成电路的最终掩模形状。12.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：辉达公司，
类型：发明
国别省市：