用于晶片对准的不对称性扩展栅格模型制造技术

提供用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置且使用经校正的数据来对准所述衬底以确保对所述衬底上的一个或更多个图案的准确曝光的系统

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片对准的不对称性扩展栅格模型
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年3月
29
日递交的美国临时专利申请号
63/167,538
的优先权，该美国临时专利申请的全部内容通过引用而被合并入本文中
。


[0003]本公开涉及可以用于
(
例如
)
光刻设备中的量测系统
。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案施加至衬底上
(
通常施加至衬底的目标部分上
)
的机器
。
光刻设备可以用于
(
例如
)
集成电路
(IC)
的制造中
。
在那种情况下，图案形成装置
(
其可互换地称为掩模或掩模版
)
可以用于产生待形成在正在形成的
IC
的单层上的电路图案
。
这种图案可以转印至衬底
(
例如，硅晶片
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种量测系统，所述量测系统包括：照射系统，所述照射系统被配置成产生光；反射器，所述反射器被配置成将所述光朝向衬底引导；干涉仪，所述干涉仪被配置成：接收从被设置在所述衬底上的多个对准标记衍射或从所述衬底反射的光，和从所接收的光之间的干涉产生输出光；检测器，所述检测器被配置成：从所述干涉仪接收所述输出光，和基于所接收的输出光来产生测量数据信号；以及控制器，所述控制器被配置成：基于所述测量数据信号来确定衬底变形数据，基于所述测量数据信号来确定对准标记变形数据，其中，所述对准标记变形数据包括对准标记变形光谱图案数据
、
对准标记变形幅值数据
、
和对准标记变形偏移数据，以及基于所述衬底变形数据和所述对准标记变形数据来确定对所述测量数据信号的校正
。2.
根据权利要求1所述的量测系统，其中，由所述照射系统产生的所述光包括多个波长
。3.
根据权利要求1所述的量测系统，其中，由所述照射系统产生的所述光包括多个偏振相位
。4.
根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述控制器被配置成基于所述测量数据信号的光谱和偏振图案与表示标记不对称性的不同模式的降维基函数集合的相似度值来确定所述对准标记变形数据
。5.
根据权利要求4所述的量测系统，其中，所述对准标记变形幅值数据与对准标记不对称性映射成比例，所述对准标记不对称性映射包括所述降维基函数集合中的每个降维基函数的相应的幅值
。6.
根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述控制器还被配置成：确定参考波长，和进一步基于所述参考波长来确定所述对准标记变形偏移数据，其中所述参考波长对应于平均波长
。7.
根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述控制器还被配置成：使用不对称性扩展栅格模型
(AEGM)
机器学习模型来修改所述对准标记变形数据，所述机器学习模型是通过包括以下各项的过程借助于训练晶片集合而受训练的：将对准标记变形数据拟合于所述训练晶片集合中的每个训练晶片上，和针对被设置在所述训练晶片集合中的每个晶片上的每个对准标记重新拟合经拟合的对准标记变形数据以产生经修改的对准标记变形数据；和基于所述衬底变形数据和经修改的对准标记变形数据来确定对所述测量数据信号的所述校正
。8.
一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统被配置成照射图案形成装置的图案；投影系统，所述投影系统被配置成将所述图案的图像投影至衬底的目标部分上；以及
量测系统，所述量测系统包括：照射子系统，所述照射子系统被配置成产生光；反射器，所述反射器被配置成将所述光朝向衬底引导；干涉仪，所述干涉仪被配置成：接收从被设置在所述衬底上的多个对准标记衍射或从所述衬底反射的光，和从所接收的光之间的干涉产生输出光；检测器，所述检测器被配置成：从所述干涉仪接收所述输出光，和基于所接收的输出光来产生测量数据信号；以及控制器，所述控制器被配置成：基于所述测量数据信号来确定衬底变形数据，基于所述测量数据信号来确定对准标记变形数据，其中，所述对准标记变形数据包括对准标记变形光谱图案数据
、
对准标记变形幅值数据
、
和对准标记变形偏移数据，以及基于所述衬底变形数据和所述对准标...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：