用于直接光刻的量子点的加工方法以及双通道成像芯片技术

用于直接光刻的量子点的加工方法以及双通道成像芯片，属于量子点直接光刻技术领域；解决了现有直接光刻技术所存在的不能通过单次或少次光刻即可获得足够厚度量子点像素的问题；所述方法包括：

【技术实现步骤摘要】
用于直接光刻的量子点的加工方法以及双通道成像芯片


[0001]本专利技术涉及量子点直接光刻

。

技术介绍

[0002]现有技术中，互补金属氧化物半导体（
Complementary Metal Oxide Semiconductor
，
CMOS
）成像芯片基于其具有成本低
、
功耗低
、
集成度高以及响应速度快等优点，使
CMOS
图像传感器被大量应用于机器视觉
、
安防监控以及生物成像等领域
。
[0003]所述
CMOS
图像传感器通过使用光电探测器实现将入射的光信号转化为电信号；所述光电探测器可以实现对光信号的定量测量
、
分析及成像
。
[0004]光信号按照波长，可以分为可见光（波长
0.4
‑
0.8
微米）
、
近红外（波长
0.7
‑
1.1
微米）/>、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
用于直接光刻的量子点的加工方法 ，其特征在于，所述方法包括：
S1、
获取待加工量子点以及光刻胶；所述待加工量子点包含量子点配体；所述光刻胶中包含光敏配体分子；
S2、
在所述光敏配体分子中增加共轭单元，获得吸收长波紫外的光敏配体分子；
S3、
通过配体交换的方式，采用所述吸收长波紫外的光敏配体分子置换掉所述待加工量子点中的量子点配体，获得用于直接光刻的量子点
。2.
根据权利要求1所述的用于直接光刻的量子点的加工方法，其特征在于，所述待加工量子点为可见光量子点或者短波红外量子点
。3.
根据权利要求2所述的用于直接光刻的量子点的加工方法，其特征在于，所述可见光量子点为
CdTe
量子点或者
PbS
量子点；所述短波红外量子点为
HgTe
量子点
。4.
用于直接光刻的量子点 ，其特征在于，所述用于直接光刻的量子点采用权利要求2所述的用于直接光刻的量子点的加工方法加工获得：当所述待加工量子点为可见光量子点时，加工获得的是用于直接光刻的可见光量子点；当所述待加工量子点为短波红外量子点时，加工获得的是用于直接光刻的短波红外量子点
。5.
量子点像素的加工方法 ，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
ST1、
采用溶剂将用于直接光刻的可见光量子点溶解，获得液态可见光量子点溶解液；采用溶剂将用于直接光刻的短波红外量子点溶解，获得液态短波红外量子点溶解液；所述用于直接光刻的可见光量子点为权利要求4所述的用于直接光刻的可见光量子点；所述用于直接光刻的短波红外量子点为权利要求4所述的用于直接光刻的短波红外量子点；
ST2、
将一块读出电路的用于光刻的一面分为两个区域，每个区域上有两个电极；将所述液...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝群，唐鑫，魏志鹏，蔡红星，陈梦璐，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：