一种制造技术

技术编号:39649673 阅读:9 留言:0更新日期:2023-12-09 11:17
本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种micro

led芯片的封装方法


[0001]本专利技术涉及
micro

led
芯片封装的
,尤其涉及一种
micro

led
芯片的封装方法


技术介绍

[0002]随着
LCD
屏幕背光技术的进步,传统
LED
背光带来的显示效果,已经不能满足消费者对于更高显示效果的需求,基于这种原因,
micro

led(
微型

发光二极管
)
技术应运而生

[0003]micro

led
显示技术是指以自发光的微米量级的
LED
为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度
LED
阵列的显示技术

由于
micro

led
芯片尺寸小

集成度高和自发光等特点,在显示方面与
LCD、OLED
相比在亮度

分辨率

对比度

能耗

使用寿命

响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势

[0004]为了提升
micro

led
生产效率及产品良率,现有技术中采用巨量转移
(Masstransfer)
方法将器件芯片转移至载板中

巨量转移指的是通过特定的高精度设备将大量
micro

led
晶粒

芯片或器件转移到目标载板或者电路上

巨量转移主要包括物理转移

化学转移和激光转移技术

其中,物理转移方法主要为静电吸附转移技术;化学转移方法主要为微转移打印技术
(
μ
TP
技术
)
;激光转移方法采用激光剥离技术
(LLO)
将成品
μ
LED
与蓝宝石生长晶圆分离;再通过巨量转移
(LIFT)

μ
LED
从供体移至基板

[0005]现有技术中的巨量转移需要特定的高精度设备,成本较高,且操作难度较大,导致封装成本较高

为了推进
micro

led
显示技术的广泛使用,需要寻找能够替代巨量转移的封装方法


技术实现思路

[0006]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的问题之一

为此,本专利技术的目的在于提供一种
micro

led
芯片的封装方法,操作简单,设备成本低,能够有效降低
micro

led
芯片的封装成本,扩大
micro

led
显示技术的应用范围

[0007]为了实现上述目的,本申请采用如下技术方案:一种
micro

led
芯片的封装方法,包括:
[0008]对载板中封装区域进行带电处理;
[0009]将载板放置在安装腔室内部,在惰性气体氛围下,将
micro

led
芯片输入至安装腔室内部,使得
micro

led
芯片吸附在封装区域

[0010]进一步的,所述安装腔室包括进气口,所述
micro

led
芯片被氮气包裹,形成
micro

led
芯片的悬浮体;所述
micro

led
芯片的悬浮体从所述进气口进入所述安装腔室内部

[0011]进一步的,所述安装腔室内部的
micro

led
芯片和
/
或载板处于震动状态

[0012]进一步的,所述带电处理包括:将载板进行通电处理,或者采用带电等离子体对载板进行处理

[0013]进一步的,还包括:对吸附在封装区域的
micro

led
芯片进行整平,使得
micro

led
芯片与封装区域一一对应

[0014]进一步的,对吸附在封装区域的
micro

led
芯片进行整平,包括:采用软板对吸附后的
micro

led
芯片进行刮板,使得
micro

led
芯片与封装区域一一对应

[0015]进一步的,所述
micro

led
芯片包括第一芯片

第二芯片和第三芯片,所述载板中封装区域包括第一封装区域

第二封装区域和第三封装区域;第一芯片

第二芯片和第三芯片依次吸附在第一封装区域

第二封装区域和第三封装区域

[0016]进一步的,包括:
[0017]S1
:采用干膜覆盖载板,曝光显影,使得第一封装区域裸露出来;
[0018]S2
:对载板中第一封装区域进行带电处理;使得第一封装区域带电,其他区域不带电;
[0019]S3
:将载板放置在安装腔室内部,在惰性气体氛围下,将第一芯片输入至安装腔室内部,使得第一芯片吸附在第一封装区域;
[0020]S4
:将第二封装区域的干膜刻蚀掉,重复步骤
S2

S3
,使得第二芯片吸附在第二封装区域;
[0021]S5
:将第三封装区域的干膜刻蚀掉,重复步骤
S2

S3
,使得第三芯片吸附在第三封装区域

[0022]进一步的,步骤
S3
还包括将第一芯片和第一封装区域进行焊接;
[0023]步骤
S4
还包括将第二芯片和第二封装区域进行焊接;
[0024]步骤
S5
还包括将第三芯片和第三封装区域进行焊接

[0025]进一步的,所述第一芯片

第二芯片和第三芯片分别为
R
芯片
、G
芯片和
B
芯片

[0026]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:本申本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,包括:对载板中封装区域进行带电处理;将载板放置在安装腔室内部,在惰性气体氛围下,将
micro

led
芯片输入至安装腔室内部,使得
micro

led
芯片吸附在封装区域
。2.
根据权利要求1所述的一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,所述安装腔室包括进气口,所述
micro

led
芯片被氮气包裹,形成
micro

led
芯片的悬浮体;所述
micro

led
芯片的悬浮体从所述进气口进入所述安装腔室内部
。3.
根据权利要求1所述的一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,所述安装腔室内部的
micro

led
芯片和
/
或载板处于震动状态
。4.
根据权利要求1所述的一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,所述带电处理包括:将载板进行通电处理,或者采用带电等离子体对载板进行处理
。5.
根据权利要求1所述的一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,还包括:对吸附在封装区域的
micro

led
芯片进行整平,使得
micro

led
芯片与封装区域一一对应
。6.
根据权利要求5所述的一种
micro

led
芯片的封装方法,其特征在于,对吸附在封装区域的
micro

led
芯片进行整平,包括:采用软板对吸附后的
micro

led
芯片进行刮板,使得
...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜怡锋胡诗益陈蓓刘勇
申请(专利权)人:深圳明阳电路科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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