【技术实现步骤摘要】
立式炉用上下料机构
[0001]本申请涉及晶圆加工设备的领域,尤其是涉及一种立式炉用上下料机构
。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,随后慢慢拉出,以形成圆柱形的单晶硅;硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成的硅晶圆片即为晶圆
。
[0003]晶圆在生产完成之后,其表面会携带一些杂质,因而需要对生产后的晶圆进行加工处理,以去除晶圆表面上存有的杂质
。
工业中通常使用立式炉对晶圆进行高温处理,立式炉底部开通入口,通过将多个晶圆放置于晶圆架上,随后将装载有晶圆的晶圆架通过入口送入立式炉中;立式炉运作的过程中,炉内需填充气体并保持一定的压力,因此,将晶圆架送入炉中后,需要将炉门关闭,立式炉方可进行运作以对晶圆进行高温处理
。
[0004]在实际作业中,需要人工将晶圆架送入立式炉中,再通过人工将炉门关闭,由于立式炉运作过程中会产生高温气体,导致人工进行操作时,操作人员易被高温气体烫伤,具有一定的安全隐患,且人工操作的过程中也易对晶圆产生一定的污染
。
技术实现思路
[0005]为了解决上述技术中存在的问题,本申请提供一种立式炉用上下料机构
。
[0006]本申请提供的一种立式炉用上下料机构采用如下的技术方案:一种立式炉用上下料机构包括配合座和滑动架,所述配合座设置于一立式炉的入口处,所述滑动架上竖向滑设有一支撑架,所述滑动架上设置有用以驱动所述支撑架沿远离 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种立式炉用上下料机构,其特征在于:包括配合座
(1)
和滑动架
(2)
,所述配合座
(1)
设置于一立式炉
(3)
的入口
(4)
处,所述滑动架
(2)
上竖向滑设有一支撑架
(6)
,所述滑动架
(2)
上设置有用以驱动所述支撑架
(6)
沿远离或靠近立式炉
(3)
的入口
(4)
处滑动的第一驱动件
(7)
;所述支撑架
(6)
上设置有密封座
(8)
,所述密封座
(8)
上设置有一用于放置晶圆的晶圆架
(9)
,所述密封座
(8)
滑动至与所述配合座
(1)
抵接以将立式炉
(3)
的入口
(4)
封闭
。2.
根据权利要求1所述的一种立式炉用上下料机构,其特征在于:所述密封座
(8)
包括设置于所述支撑架
(6)
上的密封盘
(801)
,所述支撑架
(6)
上转设有旋转座
(802)
,所述密封盘
(801)
位于所述旋转座
(802)
底端,所述支撑架
(6)
上设置有用以驱动所述旋转座
(802)
转动的第二驱动件
(10)。3.
根据权利要求2所述的一种立式炉用上下料机构,其特征在于:所述支撑架
(6)
上设置有沿所述密封盘
(801)
周向均匀设置有多个调节座
(13)
,所述调节座
(13)
内设置有弹性件,所述弹性件与所述密封盘
(801)
抵接
。4.
根据权利要求3所述的一种立式炉用上下料机构,其特征在于:所述弹性件包括设置于所述调节座
(13)
内的弹性螺旋片
(14)
,所述弹性螺旋片
(14)
内插设有一推杆
(15)
,所述密封盘
(801)
上开设有供推杆
(15)
插接的插槽
(16)。5.
根据权利要求2所述的一种立式炉用上下料机构,其特征在于:所述旋...
【专利技术属性】
技术研发人员:田杰成,徐有根,李克,
申请(专利权)人:湖南艾科威半导体装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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