集成电路器件制造技术

本申请提出一种集成电路器件，其层间介质层上方形成金属

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件


[0001]本专利技术属于半导体制作方法
，尤其涉及一种集成电路器件
。

技术介绍

[0002]在很多功能电路中金属
‑
绝缘体
‑
金属
(MIM)
电容器已经广泛使用
。MIM
电容器通常在互连结构中形成
。
在现行互补金属氧化物半导体
(CMOS)
工艺中，后段
(BEOL)
铜制程能提供标准的金属
‑
绝缘体
‑
金属
(MIM)
电容器，但是后段
(BEOL)
铜制程的
MIM
电容器会占据大量的可利用面积，不利于后段铜连接的设计自由度
。
受于限芯片的面积，
MIM
电容器总电容太小，使得电路设计上受到局限
。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术其中一缺陷，本申请提供一种半导体元件形成方法及半导体元件
。
[0004]本申请采用的技术方案为：
[0005]一种集成电路器件，包括：
[0006]层间介质层；
[0007]金属互连层，设于所述层间介质层上方；所述金属互连层包括：由下至上依次设置的第一金属层间介质层
、
第一金属层
、
第二金属层间介质层和第二金属层；
[0008]金属
‑
绝缘体
‑
金属电容，包括：
[0009]第一电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中；
[0010]第一端点导体，所述第一端点导体与所述第一电极板电性连接，所述第一端点导体形成于所述第二金属层中；
[0011]第二电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中，位于所述第一电极板下方；
[0012]第二端点导体，所述第二端点导体形成于所述第一金属层中，并且所述第二端点导体的至少一部分与所述第二电极板相对，所述第二端点导体与所述第一端点导体电性连接；
[0013]第三端点导体，所述第三端点导体形成于所述第二金属层中，所述第三端点导体与所述第二电极板电性连接
。
[0014]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0015]第一金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第一电极板上方，所述第一金属导孔连接所述第一电极板与所述第一端点导体
。
[0016]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0017]第二金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二电极板上方，所述第二金属导孔连接所述第二电极板与所述第三端点导体
。
[0018]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0019]第三金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二端点导体
上方，所述第三金属导孔连接所述第一端点导体与所述第二端点导体
。
[0020]本申请还提供另一种集成电路器件，包括：
[0021]层间介质层；
[0022]金属互连层，设于所述层间介质层上方；所述金属互连层包括：由下至上依次设置的第一金属层间介质层
、
第一金属层
、
第二金属层间介质层和第二金属层；
[0023]金属
‑
绝缘体
‑
金属电容，包括：
[0024]第一电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中；
[0025]第一端点导体，所述第一端点导体与所述第一电极板电性连接，所述第一端点导体形成于所述第一金属层中；
[0026]第二电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中，位于所述第一电极板上方；
[0027]第二端点导体，所述第二端点导体形成于所述第二金属层中，并且所述第二端点导体的至少一部分与所述第二电极板相对，所述第二端点导体与所述第一端点导体电性连接；
[0028]第三端点导体，所述第三端点导体形成于所述第一金属层中，所述第三端点导体与所述第二电极板电性连接
。
[0029]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0030]第一金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第一电极板下方，所述第一金属导孔连接所述第一电极板与所述第一端点导体
。
[0031]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0032]第二金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二电极板下方，所述第二金属导孔连接所述第二电极板与所述第三端点导体
。
[0033]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0034]第三金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二端点导体下方，所述第二金属导孔连接所述第一端点导体与所述第二端点导体
。
[0035]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：
[0036]电容介电层，所述电容介电层位于所述第一电极板与所述第二电极板之间，并且所述电容介电层的厚度小于所述第二金属层间介质层的厚度
。
[0037]在本申请其中一些实施例中，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容在所述电极板延伸方向具有相对的第一侧和第二侧；
[0038]所述第二电极板的面积大于所述第一电极板的面积，使所述第二电极板不完全被所述第一电极板覆盖，以便所述第二金属导孔在所述第一电极板的第一侧或第二侧连接所述第二电极板和所述第三端点导体
。
[0039]与现有技术相比，本申请的优点和积极效果在于：本申请提供的集成电路器件，其层间介质层上方形成金属
‑
绝缘体
‑
金属电容，在其中一个金属层间介质层中形成一个上下层电容结构，第一电极板与第二电极板之间夹杂着第二金属层间介质层，因此在第一电极板与第二电极板之间构成一第一电容；第二电极板与第三端点导体之间也夹杂着第二金属层间介质层，因此在第二电极板与第三端点导体之间构成一第二电容
。
本申请提供的集成电路器件，其中的金属
‑
绝缘体
‑
金属电容在第二电极板的上下两侧均形成电容，充分利用了在金属层间介电层形成的电极板，在占用同样的面积时，能够获得更高的总电容量
。
附图说明
[0040]图1为本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种集成电路器件，其特征在于，包括：层间介质层；金属互连层，设于所述层间介质层上方；所述金属互连层包括：由下至上依次设置的第一金属层间介质层
、
第一金属层
、
第二金属层间介质层和第二金属层；金属
‑
绝缘体
‑
金属电容，包括：第一电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中；第一端点导体，所述第一端点导体与所述第一电极板电性连接，所述第一端点导体形成于所述第二金属层中；第二电极板，其形成于所述第二金属层间介质层中，位于所述第一电极板下方；第二端点导体，所述第二端点导体形成于所述第一金属层中，并且所述第二端点导体的至少一部分与所述第二电极板相对，所述第二端点导体与所述第一端点导体电性连接；第三端点导体，所述第三端点导体形成于所述第二金属层中，所述第三端点导体与所述第二电极板电性连接
。2.
如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：第一金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第一电极板上方，所述第一金属导孔连接所述第一电极板与所述第一端点导体
。3.
如权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：第二金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二电极板上方，所述第二金属导孔连接所述第二电极板与所述第三端点导体
。4.
如权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，所述金属
‑
绝缘体
‑
金属电容还包括：第三金属导孔，形成于所述第二金属层间介质层中，并且位于所述第二端点导体上方，所述第三金属导孔连接所述第一端点导体与所述第二端点导体
。5.
一种集成电路器件，其特征在于，包括：层间介质层；金属互连层，设于所述层间介质层上方；所述金属互连层包括：由下至上依次设置的第一金属层间介质层
、
第一金属层
、
第二金属层间介质层和第二金属层；金属
‑
绝缘体
‑
金属电容，包括：第一电极板...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕昆谚，颜天才，黄任生，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：新型
国别省市：