用于制造技术

本发明专利技术公开了一种用于

【技术实现步骤摘要】
岛被填平淹没
。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述
V
型坑开口延伸层的周期数为3‑
10
，其中，所述
InGaN
层中
In
组分的占比为
0.05
‑
0.3
，单个所述
InGaN
层的厚度为
1nm
‑
3nm
，所述第一
AlGaN
层中
Al
组分的占比为
0.1
‑
0.4
，单个所述第一
AlGaN
层的厚度为
5nm
‑
10nm。
[0014]作为上述技术方案的改进，所述
SiO2岛填平层为
AlN
层和第二
AlGaN
层交替生长形成的周期性结构，周期数为3‑
10
，其中，单个所述
AlN
层的厚度为
5nm
‑
10nm
；所述第二
AlGaN
层中
Al
组分的占比为
0.1
‑
0.3
，单个所述第二
AlGaN
层的厚度为
2nm
‑
3nm。
[0015]相应的，本专利技术还公开了一种用于
Micro
‑
LED
的外延片的制备方法，用于制备上述的用于
Micro
‑
LED/>的外延片，其包括：
[0016]提供衬底，在所述衬底上依次生长形核层
、
本征
GaN
层
、N
‑
GaN
层
、V
型坑开口层
、
多量子阱层
、
电子阻挡层和
P
‑
GaN
层；所述
V
型坑开口层包括依次层叠的
SiO2岛层
、SiO2岛填平层和
V
型坑开口延伸层；
[0017]所述
SiO2岛层包括多个阵列分布于所述
N
‑
GaN
层上的
SiO2岛；
[0018]所述
SiO2岛填平层包括
AlN
层；
[0019]所述
V
型坑开口延伸层为
InGaN
层和第一
AlGaN
层交替生长形成的周期性结构
。
[0020]作为上述技术方案的改进，在
PECVD
反应腔中沉积
SiO2薄膜层，其中，所述
SiO2薄膜的沉积温度为
250℃
‑
300℃
；
[0021]再通过对所述
SiO2薄膜层经
ICP
刻蚀得到所述
SiO2岛层，刻蚀时间为
10min
‑
20min
，刻蚀使用的气体为
Cl2和
BCl3的混合气体，其中，
Cl2和
BCl3的体积比为
10
：
(1
‑
2)
；
[0022]所述
SiO2岛填平层的生长温度为
1000℃
‑
1100℃
，生长压力为
100torr
‑
500torr
；
[0023]所述
V
型坑开口延伸层的生长温度为
850℃
‑
950℃
，生长压力为
100torr
‑
500torr。
[0024]作为上述技术方案的改进，所述
SiO2岛填平层为
AlN
层和第二
AlGaN
层交替生长形成的周期性结构，所述
SiO2岛填平层的生长温度为
1000℃
‑
1100℃
，生长压力为
100torr
‑
500torr。
[0025]相应的，本专利技术还公开了一种
Micro
‑
LED
，其包括上述的用于
Micro
‑
LED
的外延片
。
[0026]实施本专利技术，具有如下有益效果：
[0027]1.
本专利技术的用于
Micro
‑
LED
的外延片中，
V
型坑开口层包括依次层叠的
SiO2岛层
、SiO2岛填平层和
V
型坑开口延伸层
。
[0028]首先，本专利技术的
SiO2岛可以减少多量子阱有源区发出的光在内部的全反射，在距离有源区最近的位置设置，可以增加漫反射，提高发光亮度，符合
Micro
‑
LED
对发光二极管高发光强度的需求；并且，采用
SiO2岛作为引导开
V
型坑，分布均匀的
V
型坑很好地起到了引导载流子扩展均匀的作用，提高发光二极管的抗静电能力
。
[0029]其次，本专利技术使用
AlN
层作为
SiO2岛填平层，由于
Al
原子很小，可以形成致密的结构，使得
SiO2岛在填平时平整度高，晶格质量好，并且
AlN
材料能阶高，具有电子阻挡的作用，可以阻止电子溢流，提高电子空穴对的复合，提高发光效率；在
SiO2岛填平层生长完后，每个
SiO2岛顶端处会形成填平时产生的刃型位错缺陷，垂直向上延伸，由于
SiO2岛均匀分布，所以所形成的刃型位错缺陷也是均匀分布的，有利于形成大小一致
、
分布均匀的
V
型坑，提高发光区发光亮度均匀性，提高波长一致性，符合
Micro
‑
LED
对发光二极管的需求
。
[0030]再次，本专利技术使用
InGaN
层和第一
AlGaN
层重复层叠生长的周期性结构作为
V
型坑
开口延伸层，既可以增大
V
型坑开口，又增加了
V
型坑开口层与多量子阱层的晶格匹配，减少多量子阱层的极化效应，提高发光效率；并且，与传统的
InGaN/GaN
重复层叠的周期性结构相比，第一
AlGaN
层晶格质量更高，在
V
型坑延伸过程中产生的缺陷很少
。
[0031]2.
本专利技术的用于
Micro
‑
LED
的外延片中，
SiO2岛填平层为
AlN<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层
、
本征
GaN
层
、N
‑
GaN
层
、V
型坑开口层
、
多量子阱层
、
电子阻挡层和
P
‑
GaN
层；所述
V
型坑开口层包括依次层叠的
SiO2岛层
、SiO2岛填平层和
V
型坑开口延伸层；所述
SiO2岛层包括多个阵列分布于所述
N
‑
GaN
层上的
SiO2岛；所述
SiO2岛填平层包括
AlN
层；所述
V
型坑开口延伸层为
InGaN
层和第一
AlGaN
层交替生长形成的周期性结构
。2.
如权利要求1所述的用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，所述
SiO2岛层为
SiO2薄膜层经
ICP
刻蚀得到，其中，所述
SiO2薄膜层的厚度为
10nm
‑
100nm。3.
如权利要求1所述的用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，所述
SiO2岛的直径为
100nm
‑
500nm
，分布密度为1×
106个
/cm2‑1×
108个
/cm2。4.
如权利要求1所述的用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，所述
SiO2岛填平层的厚度为
20nm
‑
130nm
，以使所述
SiO2岛被填平淹没
。5.
如权利要求1所述的用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，所述
V
型坑开口延伸层的周期数为3‑
10
，其中，所述
InGaN
层中
In
组分的占比为
0.05
‑
0.3
，单个所述
InGaN
层的厚度为
1nm
‑
3nm
，所述第一
AlGaN
层中
Al
组分的占比为
0.1
‑
0.4
，单个所述第一
AlGaN
层的厚度为
5nm
‑
10nm。6.
如权利要求1‑5任一项所述的用于
Micro
‑
LED
的外延片，其特征在于，所述
SiO2岛填平层为
AlN
层和第二
AlGaN
层交替生长形成的周期性结构，周期数为3‑
10
，其中，单个所述
AlN
层的厚度为
5nm
‑
10nm
；所述第二
AlGaN
层中

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，程金连，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：