晶片的处理方法和支承台技术

本发明专利技术提供晶片的处理方法和支承台，能够解决剥离保护带时晶片破损的问题。晶片的处理方法是在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的处理方法，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶片的背面的凹部进行支承的支承台。行支承的支承台。行支承的支承台。

【技术实现步骤摘要】
晶片的处理方法和支承台


[0001]本专利技术涉及晶片的处理方法和支承台，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该支承台在该晶片的处理方法中使用。

技术介绍

[0002]在正面上形成有由分割预定线划分成IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片在利用磨削装置对背面进行磨削而形成为期望的厚度之后，利用切割装置分割成各个器件芯片，用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]另外，作为对晶片的背面进行磨削的方法，本申请人提出了如下技术：按照当对变薄的晶片进行搬送和背面加工时晶片不会破损的方式，对与器件区域对应的背面区域进行磨削而形成为期望的厚度，并且在与外周剩余区域对应的背面区域形成凸状的环作为加强部(参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2007
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019461号公报
[0005]在上述专利文献1所记载的技术中对晶片的背面进行磨削加工的情况下，为了保护形成于晶片的正面的器件而敷设保护带。并且，在通过磨削加工使晶片的背面侧的与器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的处理方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：大前卷子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：