晶片的处理方法和支承台技术

本发明专利技术提供晶片的处理方法和支承台，能够解决剥离保护带时晶片破损的问题。晶片的处理方法是在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的处理方法，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶片的背面的凹部进行支承的支承台。行支承的支承台。行支承的支承台。

【技术实现步骤摘要】
晶片的处理方法和支承台


[0001]本专利技术涉及晶片的处理方法和支承台，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该支承台在该晶片的处理方法中使用。

技术介绍

[0002]在正面上形成有由分割预定线划分成IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片在利用磨削装置对背面进行磨削而形成为期望的厚度之后，利用切割装置分割成各个器件芯片，用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]另外，作为对晶片的背面进行磨削的方法，本申请人提出了如下技术：按照当对变薄的晶片进行搬送和背面加工时晶片不会破损的方式，对与器件区域对应的背面区域进行磨削而形成为期望的厚度，并且在与外周剩余区域对应的背面区域形成凸状的环作为加强部(参照专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2007
‑
019461号公报
[0005]在上述专利文献1所记载的技术中对晶片的背面进行磨削加工的情况下，为了保护形成于晶片的正面的器件而敷设保护带。并且，在通过磨削加工使晶片的背面侧的与器件区域对应的区域薄化之后，在对该背面侧实施包覆金属膜等背面加工时，在该背面加工中存在伴随着热加工的处理，因此需要从晶片的正面剥离保护带。但是，如上所述，晶片的与器件区域对应的区域通过磨削而薄化，即使在与外周剩余区域对应的背面区域形成有凸状的环作为加强部，也会产生剥离保护带时晶片的器件区域破损的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的处理方法和在该晶片的处理方法中使用的支承台，能够解决剥离保护带时晶片破损的问题。
[0007]为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供晶片的处理方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶片的背面的凹部进行支承的支承台。
[0008]另外，根据本专利技术，提供支承台，其在上述的晶片的处理方法中使用，其中，该支承台构成为包含：支承部，其大小与形成于晶片的背面的凹部对应；以及阶梯差部，其与形成于晶片的背面的凸状的环对应地形成于该支承部的外周。
[0009]优选在该支承部的上表面上敷设有树脂。另外，优选在该支承部上形成有对晶片的凹部进行吸引保持的吸引部。
[0010]本专利技术的晶片的处理方法中，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和
围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶片的背面的凹部进行支承的支承台，因此，当从晶片的正面剥离保护带时，能够避免勉强的力作用于器件区域，解决晶片破损的问题。
[0011]并且，本专利技术的支承台构成为包含：支承部，其大小与形成于晶片的背面的凹部对应；以及阶梯差部，其与形成于晶片的背面的凸状的环对应地形成于该支承部的外周，因此，当从晶片的正面剥离保护带时，通过使用该支承台，能够避免对器件区域作用勉强的力，有助于解决晶片破损的问题。
附图说明
[0012]图1是通过本实施方式进行加工的晶片和保护带的立体图。
[0013]图2的(a)是示出基于磨削装置的背面磨削工序的实施方式的立体图，图2的(b)是通过背面磨削工序进行了磨削的晶片的放大剖视图。
[0014]图3是示出将晶片保持于支承台的方式的立体图。
[0015]图4是示出保护带剥离工序的实施方式的立体图。
[0016]图5的(a)是示出制作支承台的加工的实施方式的立体图，图5的(b)是示出在支承台的支承部上敷设树脂的方式的立体图，图5的(c)是示出支承台的另一实施方式的立体图。
[0017]标号说明
[0018]2：磨削装置；20：卡盘工作台；22：主轴；23：磨削磨轮；24：磨削磨具；10：晶片；10a：正面；10b：背面；11：单点划线；11a：外周剩余区域；11b：器件区域；12：器件；13：分割预定线；14：凹部；15：环；30：支承台；30
’
：母材；32：阶梯差部；34：支承部；35：吸引孔；40：磨削装置；42：旋转主轴；43：磨削磨具；44：主轴壳体；T1：保护带；T2：片。
具体实施方式
[0019]以下，参照附图对根据本专利技术构成的晶片的处理方法和在该处理方法中使用的支承台的实施方式进行详细说明。
[0020]在图1中示出了在本实施方式中作为被加工物的晶片10和配设于晶片10的正面10a的保护带T1。本实施方式的晶片10包含具有100mm的直径、700μm的厚度的由硅(Si)构成的半导体基板，晶片10在该半导体基板的正面10a侧具有：通过分割预定线13划分成多个器件12的器件区域11a；以及围绕器件区域11a的外周剩余区域11b。在晶片10的正面10a上示出了区分器件区域11a和外周剩余区域11b的单点划线11，但单点划线11是为了便于说明而标注的假想线，并未配设于实际的晶片10的正面10a。在准备了上述的晶片10之后，如图1的上部所示，实施保护带配设工序，在晶片10的正面10a侧粘贴保护带T1而进行一体化。接着，使与保护带T1一体化的晶片10翻转，如图1的下部所示，成为晶片10的背面10b向上方露出的状态。
[0021]接着，例如使用图2所示的磨削装置2(仅示出一部分)对晶片10的背面10b进行磨
削。该磨削装置2具有：对晶片10进行保持而能够旋转的卡盘工作台20；以及对晶片10实施磨削加工的磨削单元21。磨削单元21具有：能够旋转且能够升降的主轴22；安装于主轴22的前端并伴随主轴22的旋转而旋转的磨削磨轮23；以及呈环状固定于磨削磨轮23的下表面的磨削磨具24。
[0022]在卡盘工作台20上保持晶片10的保护带T1侧，晶片10的背面10b成为与磨削磨具24对置的状态。然后，使主轴22向箭头R1所示的方向旋转，并且使与主轴22一起旋转的磨削磨轮23向箭头R2所示的方向下降。此时，使卡盘工作台20向箭头R3所示的方向旋转，使磨削磨具24与晶片10的背面10b接触。设定成使磨削磨具24接触背面10b中的与正面10a的器件区域11b对应的背面区域，对于除此以外的部分即与外周剩余区域11a对应的区域不进行磨削。由此，如图2的(b)和图3的上部所示，在磨削后的与器件区域11b对应的背面10b的中央区域形成凹部14，在与凹部14本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的处理方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的处理方法至少具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；背面磨削工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台并对晶片的背面进行磨削，在与器件区域对应的区域形成凹部并且在与外周剩余区域对应的区域形成凸状的环；以及保护带剥离工序，从晶片的正面剥离保护带，在该保护带剥离工序中，使用对形成于晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：大前卷子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：