【技术实现步骤摘要】
发光二极管器件和制品
[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管器件和制品
。
技术介绍
[0002]发光二极管
(
英文：
Light Emitting Diode
，简称：
LED)
是常见的制品
。LED
通常是在衬底上制造各种膜层并进行图形化处理后，对衬底进行切割，形成的一颗一颗的
LED
芯粒
。
[0003]相关技术中，
LED
芯粒通常包括衬底
、
外延层
、
透明导电层和电极
。
其中，外延层包括依次层叠在衬底上的第一半导体层
、
多量子阱层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层上，电极位于透明导电层上，通过透明导电层将电流扩展至第二半导体层的各处区域
。
透明导电层通常采用蒸镀机制作
。
[0004]由于蒸镀机台的波动性，会导致衬底上不同区域形成的透明导电层的厚度不均的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种制品，其特征在于，所述制品包括衬底
(10)
和位于所述衬底
(10)
上的多个
LED
器件
(200)
，各所述
LED
器件
(200)
包括依次层叠在所述衬底
(10)
上的外延层
(210)、
绝缘层
(220)
和透明导电层
(230)
，所述绝缘层
(220)
具有露出所述外延层
(210)
的第一通孔
(221)
，所述透明导电层
(230)
通过所述第一通孔
(221)
与所述外延层
(210)
相连；所述衬底
(10)
具有中心区域
(11)
和至少一个环形区域
(12)
，所述环形区域
(12)
与所述中心区域
(11)
同心分布，且所述环形区域
(12)
围绕所述中心区域
(11)
，所述中心区域
(11)
和所述环形区域
(12)
中均排布有多个所述
LED
器件
(200)
；所述中心区域
(11)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度大于各所述环形区域
(12)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度，从所述衬底
(10)
的中心至所述衬底
(10)
的边缘的方向上，各所述环形区域
(12)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度逐渐减小
。2.
根据权利要求1所述的制品，其特征在于，所述衬底
(10)
为圆片，所述中心区域
(11)
呈圆形，所述环形区域
(12)
呈圆环形；所述中心区域
(11)
的半径与所述衬底
(10)
的半径的比值为
0.8
至
0.9
，所述环形区域
(12)
的宽度与所述衬底
(10)
的半径的比值为
0.1
至
0.2。3.
根据权利要求2所述的制品，其特征在于，所述衬底
(10)
具有依次围绕在所述中心区域
(11)
外的第一环形区
(121)、
第二环形区
(122)
和第三环形区
(123)
；所述第一环形区
(121)
的宽度与所述衬底
(10)
的半径的比值为
0.05
至
0.15
，所述第二环形区
(122)
的宽度与所述衬底
(10)
的半径的比值为
0.03
至
0.1
，所述第三环形区
(123)
的宽度与所述衬底
(10)
的半径的比值为
0.02
至
0.05。4.
根据权利要求3所述的制品，其特征在于，所述第一环形区
(121)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度为6μ
m
至8μ
m
，所述第二环形区
(122)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度为4μ
m
至6μ
m
，所述第三环形区
(123)
的
LED
器件
(200)
的最大宽度为3μ
m
至5μ
m。5.
根据权利要求1至4任一项所述的制品，其特征在于，所述中心区域
(11)
的
LED
器件
(200)
的第一通孔
(221)
的最大宽度为9...
【专利技术属性】
技术研发人员：芮哲，魏柏林，田艳红，吴俊磊，刘良霞，尹灵峰，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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