高压发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种高压发光二极管芯片及其制备方法，属于电子器件领域

【技术实现步骤摘要】
高压发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本公开属于电子器件领域，特别涉及一种高压发光二极管芯片及其制备方法
。

技术介绍

[0002]高压
(HV)
发光二极管芯片，是照明设备的重要组成部分，其用于实现照明设备的发光
。
[0003]在相关技术中，为了提升高压发光二极管芯片的电流扩展均匀性和可靠性，通常将多个子芯片通过
ISO
桥接工艺串联，每个子芯片包括一组
P
‑
N
结，以得到高压发光二极管芯片
。
[0004]然而，随着子芯片的尺寸增大，各子芯片的制备质量，会更多的影响到整个高压发光二极管芯片的电流扩展均匀性，所以需要进一步的提升高压发光二极管芯片的电流扩展均匀性
。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种高压发光二极管芯片及其制备方法，能够有效的提升高压发光二极管芯片的电流扩展均匀性
。
所述技术方案如下：
[0006]第一方面，本公开实施例提供了一种高压发光二极管芯片，包括：衬底和多个子芯片，多个所述子芯片在所述衬底上沿第一方向依次串联在一起，所述子芯片包括两组
P
‑
N
结，两组所述
P
‑
N
结沿第二方向并排布置，所述第二方向垂直于所述第一方向；
[0007]位于所述第一方向一端的所述子芯片具有
P
型焊盘，位于所述第一方向另一端的所述子芯片具有<br/>N
型焊盘，所述
P
型焊盘和所述
N
型焊盘之间具有隔离沟槽，所述隔离沟槽沿所述第一方向延伸，以隔离同一所述子芯片的两组所述
P
‑
N
结
。
[0008]在本公开的一种实现方式中，同一所述子芯片的两组所述
P
‑
N
结，关于所述隔离沟槽对称布置
。
[0009]在本公开的一种实现方式中，相邻两个所述子芯片之间具有分隔沟槽，所述分隔沟槽沿所述第二方向延伸；
[0010]所述隔离沟槽包括多个子沟槽，所述子沟槽与所述子芯片一一对应，所述子沟槽的端部与相邻的所述分隔沟槽相连
。
[0011]在本公开的一种实现方式中，所述子芯片包括依次叠设在所述衬底上的
N
型半导体层
、
发光层
、P
型半导体层；
[0012]除具有所述
P
型焊盘的所述子芯片之外的所述子芯片均具有
P
型电极线，所述
P
型电极线与所述
P
型半导体层相连，除具有所述
N
型焊盘的所述子芯片之外的所述子芯片均具有
N
型电极线，所述
N
型电极线与所述
N
型半导体层相连，一个所述子芯片的所述
N
型电极线，与相邻的另一个所述子芯片的所述
P
型电极线相连；
[0013]所述
P
型焊盘与所述
P
型半导体层相连，所述
N
型焊盘与所述
N
型半导体层相连
。
[0014]在本公开的一种实现方式中，所述隔离沟槽由所述子芯片远离所述衬底的一面延
伸至所述
N
型半导体层
。
[0015]在本公开的一种实现方式中，所述分隔沟槽由所述子芯片远离所述衬底的一面延伸至所述衬底
。
[0016]在本公开的一种实现方式中，所述子芯片还包括缓冲层；
[0017]所述缓冲层生长在所述衬底朝向所述
N
型半导体层的一面
。
[0018]第二方面，本公开实施例提供了一种高压发光二极管芯片的制备方法，用于制备第一方面所述的高压发光二极管芯片，所述制备方法包括：
[0019]提供一衬底；
[0020]在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括依次叠设在所述衬底上的
N
型半导体层
、
发光层和
P
型半导体层；
[0021]在所述外延层上开设隔离沟槽，所述隔离沟槽沿第一方向延伸；
[0022]在所述外延层上开设多个分隔沟槽，多个所述分隔沟槽沿所述第一方向依次间隔排布，且多个所述分隔沟槽均沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；
[0023]通过所述分隔沟槽分隔形成多个子芯片，通过所述隔离沟槽隔离形成两组
P
‑
N
结
。
[0024]在本公开的一种实现方式中，在所述外延层上开设隔离沟槽，包括：
[0025]采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述
P
型半导体层和发光层，直至形成延伸至所述
N
型半导体层的所述隔离沟槽
。
[0026]在本公开的一种实现方式中，在所述外延层上开设多个分隔沟槽，包括：
[0027]采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述
P
型半导体层
、
发光层和
N
型半导体层，直至形成延伸至所述衬底的所述分隔沟槽
。
[0028]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0029]在向
N
型焊盘和
P
型焊盘施加电压后，电流沿第一方向，由
P
型焊盘至
N
型焊盘依次流经各子芯片
。
由于各子芯片包括两组
P
‑
N
结，所以在各子芯片的内部，电流具有沿着第二方向向子芯片的中间部位流动的趋势
。
由于所述
P
型焊盘和所述
N
型焊盘之间具有隔离沟槽，在隔离沟槽的作用下，将同一所述子芯片的两组所述
P
‑
N
结进行了隔离，所以能够有效的限制电流沿第二方向流动，并促进电流沿第一方向流动，从而提高了各子芯片的电流扩散能力，进而提升了高压发光二极管芯片的电流扩展均匀性
。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0031]图1是本公开实施例提供的高压发光二极管芯片的俯视图；
[0032]图2是本公开实施例提供的高压发光二极管芯片的
A
‑
A
方向剖视图；
[0033]图3是本公开实施例提供的一种高压发光二极管芯片的制备方法的流程图；
[0034]图4是本公开实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高压发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底
(10)
和多个子芯片
(20)
，多个所述子芯片
(20)
在所述衬底
(10)
上沿第一方向依次串联在一起，所述子芯片
(20)
包括两组
P
‑
N
结
(210)
，两组所述
P
‑
N
结
(210)
沿第二方向并排布置，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述第一方向一端的所述子芯片
(20)
具有
P
型焊盘
(221)
，位于所述第一方向另一端的所述子芯片
(20)
具有
N
型焊盘
(222)
，所述
P
型焊盘
(221)
和所述
N
型焊盘
(222)
之间具有隔离沟槽
(30)
，所述隔离沟槽
(30)
沿所述第一方向延伸，以隔离同一所述子芯片
(20)
的两组所述
P
‑
N
结
(210)。2.
根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，同一所述子芯片
(20)
的两组所述
P
‑
N
结
(210)
，关于所述隔离沟槽
(30)
对称布置
。3.
根据权利要求1所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，相邻两个所述子芯片
(20)
之间具有分隔沟槽
(40)
，所述分隔沟槽
(40)
沿所述第二方向延伸；所述隔离沟槽
(30)
包括多个子沟槽
(310)
，所述子沟槽
(310)
与所述子芯片
(20)
一一对应，所述子沟槽
(310)
的端部与相邻的所述分隔沟槽
(40)
相连
。4.
根据权利要求3所述的高压发光二极管芯片，其特征在于，所述子芯片
(20)
包括依次叠设在所述衬底
(10)
上的
N
型半导体层
(231)、
发光层
(232)、P
型半导体层
(233)
；除具有所述
P
型焊盘
(221)
的所述子芯片
(20)
之外的所述子芯片
(20)
均具有
P
型电极线
(241)
，所述
P
型电极线
(241)
与所述
P
型半导体层
(233)
相连，除具有所述
N
型焊盘
(222)
的所述子芯片
(20)
之外的所述子芯片
(20)
均具有
N
型电极线
(242)
，所述
N
型电极线
(242)
与所述
N
型半导体层
(231)
相连，一个所述子芯片
(20)
的所述
N
型...

【专利技术属性】
技术研发人员：过靖，薛刚，肖佳宸，王绘凝，高艳龙，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：