半导体发光器件制造技术

一种半导体发光器件，包括半透明基板、多个发光元件、绝缘层、第一电极焊盘以及第二电极焊盘。每个发光元件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极。发光层形成在第一半导体层上。第一电极形成在第一半导体层上。第二电极形成在第二半导体层上。绝缘层覆盖基板上的多个发光元件使得形成第一开口和第二开口。第一开口使多个发光元件当中的在行的一端侧的发光元件的第一电极暴露。第二开口使多个发光元件当中的在行的另一端侧的发光元件的第二电极暴露。第一电极焊盘覆盖第一开口并且从绝缘层上的一个区域之上的第一开口形成。第二电极焊盘覆盖第二开口并且从与绝缘层上的一个区域间隔开的另一区域之上的第二开口形成。的第二开口形成。的第二开口形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件


[0001]本专利技术涉及一种包括发光元件的半导体发光器件。

技术介绍

[0002]近来，随着发光器件的多样化，已经开发了各种类型的发光元件。例如，已经公开了连接有多个发光元件的发光器件。JP
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2004
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06582公开了一种发光器件，该发光器件包括经由基板上的线而相互串联连接的多个发光元件、在多个发光元件的一端侧与发光元件相邻设置的电极焊盘、以及在多个发光元件的另一端侧与发光元件相邻设置的电极焊盘。

技术实现思路

[0003]在JP
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2004
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06582中公开的发光器件中，电极焊盘设置在与多个发光元件设置在基板上的区域不同的区域中。因此，发光器件的尺寸增加，这是一个问题。
[0004]此外，在JP
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2004
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06582中公开的发光器件中，多个发光元件经由线而分别串联连接。因此，当电流从彼此相邻的发光元件中的一个发光元件流向另一发光元件时，发光元件之间的电流分布的部分变得不平衡，这是一个问题。
[0005]本专利技术已经考虑到上述问题，并且本专利技术的目的是提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括多个发光元件并且允许在发光元件中流动的电流的均匀分布。
[0006]根据本专利技术的半导体发光器件包括：半透明基板、多个发光元件、绝缘层、第一电极焊盘以及第二电极焊盘。多个发光元件成行地设置在基板上。多个发光元件中的每一个包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极。第一半导体层形成在基板上并且具有第一导电类型。发光层形成在第一半导体层上。第二半导体层形成在发光层上并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第一电极形成在第一半导体层上。第二电极形成在第二半导体层上。绝缘层覆盖基板上的多个发光元件使得形成第一开口和第二开口。第一开口使多个发光元件当中的在行的一端侧的发光元件的第一电极暴露。第二开口使多个发光元件当中的在行的另一端侧的发光元件的第二电极暴露。第一电极焊盘覆盖第一开口并且从绝缘层上的一个区域之上的第一开口形成。第一电极焊盘与第一电极电连接。第二电极焊盘覆盖第二开口并且从与绝缘层上的一个区域间隔开的另一区域之上的第二开口形成。第二电极焊盘与第二电极电连接。
附图说明
[0007]图1是根据实施方式1的发光器件的俯视图；
[0008]图2是根据实施方式1的发光器件的截面图；
[0009]图3是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0010]图4是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0011]图5是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0012]图6是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0013]图7是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0014]图8是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0015]图9是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0016]图10是示出根据实施方式1的发光器件的制造工艺的一部分的截面图；
[0017]图11是示出使用根据实施方式1的发光器件的示例的发光器件的截面图；以及
[0018]图12是根据实施方式2的发光器件的俯视图。
具体实施方式
[0019]下面参照附图对本专利技术的实施方式进行详细描述。在附图中，相同的附图标记附接到相同的部件，并且将省略对重叠部件的解释。
[0020]实施方式1
[0021]参照图1和图2，将描述根据实施方式1的发光器件10的配置。图1是根据实施方式1的发光器件10的俯视图。图2是沿着图1所示的发光器件10的线2
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2截取的截面图。在下文中，为了便于解释，X、Y和Z轴被定义为如图1和图2所示。在图1和图2的描述中，X轴为发光器件10的左右方向，Y轴为发光器件10的前后方向，以及Z轴为发光器件10的上下方向。
[0022]发光器件的概述
[0023]根据实施方式1的发光器件10包括基板12、五个发光元件13A、13B、13C、13D和13E、第一绝缘层17和第二绝缘层21、过渡布线18以及第一电极焊盘23和第二电极焊盘24。五个发光元件13A、13B、13C、13D和13E成行地设置在基板12的上表面上(在下文中，当不区分五个发光元件13A至13E时，发光元件被简单地描述为发光元件13)。第一绝缘层17和第二绝缘层21覆盖发光元件13A至13E中的每一个。过渡布线18电连接在相互邻近的发光元件13A至13E之间。第一电极焊盘23和第二电极焊盘24各自电连接到发光元件的部分，同时各自覆盖第一绝缘层17和第二绝缘层21。
[0024]基板
[0025]基板12为具有绝缘性质和半透明性质的平板状本体，并且其上表面呈矩形。基板12在上表面(一个平板表面)上设置有发光元件13A至13E。基板12也是构成发光元件13A至13E的半导体晶体的生长基板。基板12具有作为发光器件10的出光表面的下表面(另一平板表面)。
[0026]对于基板12，可以使用单晶蓝宝石(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)等。在该实施方式中，单晶蓝宝石用于基板12。
[0027]在下面的描述中，沿着基板12的左右方向的一侧被称为侧面12X，而沿着前后方向的一侧被称为侧面12Y。
[0028]发光元件
[0029]发光元件13A至13E具有相互等效的矩形形状，并且各自具有沿着矩形基板12的一对相反侧面12X设置的短边和沿着基板12的另一对相反侧面12Y设置的长边。发光元件13A至13E在沿着侧面12X的方向上以这种顺序相互间隔地成行布置。换句话说，发光元件13A至13E在俯视图中各自具有其长边沿着基板12的侧面12Y的条带形状，并且沿着侧面12X方向平行布置。
[0030]发光元件13中的每一个由诸如GaN这样的氮化物半导体构成，并且是包括半导体
结构层EM、p侧电极PE和n侧电极NE的发光二极管(LED)。半导体结构层EM包括n型半导体层14、发光层15和p型半导体层16。换句话说，发光元件13中的每一个是发光二极管，该发光二极管包括沿着发光元件13的外部形状在发光元件13的内部区域中的矩形半导体结构层EM。
[0031]n型半导体层14是这样的半导体层(第一导电层)：具有设置在基板12的上表面上的平板状下部14A和在沿着下部14A的短边的方向上从中央附近突出的上部14B的半导体层。n型半导体层14的导电载流子是电子(第一导电类型)。在n型半导体层14中设置有上部14B的区域也是半导体结构层EM的下部层部分。换句话说，n型半导体层14具有台面状结构(下文也称为台面结构)。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：半透明基板；多个发光元件，所述多个发光元件成行地设置在所述基板上，所述多个发光元件中的每一个包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，所述第一半导体层形成在所述基板上并且具有第一导电类型，所述发光层形成在所述第一半导体层上，所述第二半导体层形成在所述发光层上并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第一电极形成在所述第一半导体层上，所述第二电极形成在所述第二半导体层上；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述基板上的所述多个发光元件以使得形成第一开口和第二开口，所述第一开口使所述多个发光元件当中的在行的一端侧的发光元件的第一电极暴露，并且所述第二开口使所述多个发光元件当中的在所述行的另一端侧的所述发光元件的第二电极暴露；第一电极焊盘，所述第一电极焊盘覆盖所述第一开口并且从所述绝缘层上的一个区域之上的所述第一开口形成，所述第一电极焊盘与所述第一电极电连接；以及第二电极焊盘，所述第二电极焊盘覆盖所述第二开口并且从与所述绝缘层上的所述一个区域间隔开的另一区域之上的所述第二开口形成，所述第二电极焊盘与所述第二电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个发光元件中的每一个具有矩形形状的上表面，在所述矩形形状中，沿着所述行的方向是短边方向，并且所述第一电极和所述第二电极沿着所述多个发光元件中的每一个的纵向方向延伸。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤瞬一，堀尾直史，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：