一种微尺寸制造技术

本发明专利技术公开一种微尺寸

【技术实现步骤摘要】
一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示用
Micro
‑
LED
器件
，具体涉及一种微尺寸
LED
正装阵列芯片及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着信息化时代的发展，显示技术已经成为实现信息交互的关键环节
。Micro
‑
LED
以其自发光
、
高集成度
、
高效率
、
高稳定性和低功耗的优势，成为目前众多公司和研究者们的关注热点
。
相比较液晶显示
(liquid crystal display
，
LCD)
和有机发光二极管
(organic light
‑
emitting diode
，
OLED)
，
Micro
‑
LED
能够具有更加明显的显示优势
。
[0003]当
LED<br/>芯片尺寸减小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，正装阵列芯片的外延层通过选区生长形成；所述外延层包括衬底
(1)、n
‑
GaN
层
(2)、
和绝缘介质层
(5)
；其中，
n
‑
GaN
层
(2)
位于衬底
(1)
上，绝缘介质层
(5)
设置于的上表面；绝缘介质层
(5)
中，通过外延选区生长构成
X
行
Y
列的阵列的多个发光单元，每一个发光单元均包括多量子阱层
(3)
和
p
‑
GaN
层
(4)
；每一个发光单元中，多量子阱层
(3)
位于
n
‑
GaN
层
(2)
的上表面，
p
‑
GaN
层
(4)
位于多量子阱层
(3)
的上表面；各组发光单元被绝缘介质层
(5)
间隔开，同一行中相邻发光单元之间的绝缘介质层
(5)
中均设置有阳极电极
(7)
，所述阳极电极
(7)
和位于阳极电极
(7)
与发光单元之间的绝缘介质层
(5)
构成侧壁场板结构；相邻的两行发光单元之间设置有共阴极
(8)。2.
根据权利要求1所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，每一个发光单元中的
p
‑
GaN
层
(4)
上表面均设置有
p
电极
(6)
，并引出至绝缘介质层
(5)
上形成
p
电极焊盘
(9)。3.
根据权利要求1所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，共阴极
(8)
在水平方向上的长度大于同一行的芯片的总长度，共阴极
(8)
的两端设置有
n
电极焊盘
(10)。4.
根据权利要求1所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，
X
行
Y
列的阵列中，
X
为大于2小于8的偶数，
Y
为大于4小于
16
的数
。5.
根据权利要求3所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，
X
行
Y
列的阵列中，相邻两行中的发光单元之间的阳极电极
(7)
基于两行发光单元之间的共阴极
(8)
对称分布；相邻两行中的发光单元对应的
p
电极焊盘
(9)
基于两行发光单元之间的共阴极
(8)
对称分布
。6.
根据权利要求1所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，所述多量子阱层
(3)
和
p
‑
GaN
层
(4)
均为圆柱体结构，底面圆直径为5～
10
μ
m。7.
根据权利要求1所述的一种微尺寸
LED
正装阵列芯片，其特征在于，所述多量子阱层
(3)
加
p

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪，耿魁伟，徐香琴，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：