一种制造技术

一种

【技术实现步骤摘要】
一种Qdyes面画素micro LED显示设备的制作方法


[0001]本专利技术属于显示设备的
，具体是指一种
Qdyes
面画素 micro LED
显示设备的制作方法
。

技术介绍

[0002]Micro LED
显示技术是以自发光的微纳米量级的
LED
为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成
LED
阵列的显示
。
由于其高亮度
、
高对比度
、
快速响应
、
低能耗
、
长寿命
、
高可靠度
、
轻薄等特性，使其在显示方面比
LCD、OLED
相比具有更大的优势
。
[0003]然而，现有技术中，在制作
micro RGB LED
器件时，往往需要对红（
R
）
、
绿（
G
）
、
蓝（
B
）三个波段的芯片进行单独封装，
R、G、B
芯片共同组成一个显示芯片，成为显示设备的最小显示像素单元
。
因在巨量转移过程中，对平面上微纳级的芯片进行有序排布是困难的，尤其还需要区分
R、G、B
芯片
。
因此，需要提出一种技术方案旨在解决红绿蓝芯片在
micro LED
显示中巨量转移的技术难点
。
专利技术内容
[0004] 本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种
Qdyes
面画素 micro LED
显示设备的制作方法，实现有利于芯片的排布
。
[0005]本专利技术是这样实现的：一种
Qdyes
面画素 micro LED
显示设备的制作方法，包括如下步骤：步骤
S1
：在蓝光
micro B
‑
LED
基板涂布黑色矩阵；步骤
S2
：通过光罩对黑色矩阵进行曝光以形成掩膜图形
;
步骤
S3
：形成图案化黑色矩阵层；步骤
S4
：在图案化黑色矩阵层涂布
RGB
混合
Qdyes
光阻层，使灯板位置处的蓝光
micro LED
光线被完全转换成白光
;
步骤
S5
：涂布
R
光阻层；步骤
S6
：采用紫外光光源通过光罩对
R
光阻层进行照射，以形成网格状的掩膜图形；步骤
S7
：形成图案化
R
光阻层；步骤
S8
：重复图案化
R
光阻层的制作工艺得到
G
光阻层
;
步骤
S9
：重复图案化
R
光阻层的制作工艺得到
B
光阻层
; RGB
光阻层共同组成
CF
层，其中
R、G、B
光阻分别与
micro B
‑
LED
一一对应；步骤
S10: 接着涂布
OC
光阻层，形成
Qdyes
面画素
Micro
‑
Qdyes LED
结构；将
Qdyes
面画素
Micro
‑
Qdyes LED
结构进行封装，即可得到
Micro
显示设备
。
[0006]本专利技术的优点在于：以
Qdyes
技术（有机色转化技术）替代红
、
绿
、
蓝芯片完成彩色显示，旨在解决红
、
绿
、
蓝芯片在
micro LED
显示技术巨量转移技术难点
。
附图说明
[0007]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述
。
[0008]图1是本专利技术的方法流程示意图
。
[0009]图2是本专利技术的流程结构示意图
。
[0010]图3是本专利技术的方法制得的 micro LED
显示设备的结构示意图
。
具体实施方式
[0011]如图1至图3所示，一种
Qdyes
面画素 micro LED
显示设备的制作方法，包括如下步骤：步骤
S1
：在蓝光
micro B
‑
LED
基板
101
涂布黑色矩阵；步骤
S2
：通过光罩对黑色矩阵层进行曝光以形成掩膜图形
;
步骤
S3
：形成图案化黑色矩阵层
104
；步骤
S4
：在图案化黑色矩阵层
104
涂布
RGB
混合
Qdyes
光阻层
102
，使灯板位置处的蓝光
micro LED
光线可以被完全转换成白光
;
步骤
S5
：涂布
R
光阻层；步骤
S6
：采用紫外光光源通过光罩对光阻层进行照射，以形成网格状的掩膜图形；步骤
S7
：形成图案化
R
光阻层；步骤
S8
：重复图案化
R
光阻层的制作工艺得到
G
光阻层
;
步骤
S9
：重复图案化
R
光阻层的制作工艺得到
B
光阻层
; RGB
光阻层共同组成
CF
层
105
，其中
R、G、B
光阻分别与
micro B
‑
LED
一一对应；步骤
S10: 接着涂布
OC
光阻层
103
，
OC
光阻层
103
的作用在于填平，同时使对应灯板位置处的
micro LED
光线可以被完全穿透，最终形成
Qdyes
面画素
Micro
‑
Qdyes LED
结构；将
Qdyes
面画素
Micro
‑
Qdyes LED
结构进行封装，即可得到
Micro
显示设备
。
[0012]本专利技术以
Qdyes
技术（有机色转化技术）替代红
、
绿
、
蓝芯片完成彩色显示，旨在解决红...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
Qdyes
面画素
microLED
显示设备的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤
S1
：在蓝光
micro B
‑
LED
基板涂布黑色矩阵；步骤
S2
：通过光罩对黑色矩阵进行曝光以形成掩膜图形；步骤
S3
：形成图案化黑色矩阵层；步骤
S4
：在图案化黑色矩阵层涂布
RGB
混合
Qdyes
光阻层，使灯板位置处的蓝光
micro LED
光线被完全转换成白光；步骤
S5
：涂布
R
光阻层；步骤
S6
：采用紫外光光源通过光罩对
R
光阻层进行照射，以形成网格状的掩膜图形；步骤
S7
：形成图案化
R
光...

【专利技术属性】
技术研发人员：余剑辉，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：