【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、以及半导体装置的制造方法
[0001]本公开涉及半导体装置以及其制造方法
。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了半导体装置的一例
。
该半导体装置具备与半导体元件导通的柱状导电体
。
柱状导电体具有从封固树脂露出的背面侧露出面以及侧面侧露出面
。
并且该半导体装置具备覆盖背面侧露出面以及侧面侧露出面的外部电极
。
该半导体装置通过采用本结构，从而在将该半导体装置安装于配线基板时，焊锡到达覆盖侧面侧露出面的外部电极的部位
。
因此，能够通过目视而容易地确认该半导体装置相对于配线基板的接合状态
。
[0003]当形成专利文献1所公开的半导体装置的外部电极时，需要使柱状导电体的侧面侧露出面从封固树脂露出的工序
。
因此，有该半导体装置的制造效率降低之类的课题
。
并且，外部电极通过非电解镀敷而形成，因此成为外部电极的金属层的析出需要比较长的时间
。
这成为进一步导致该半导体装置的制造效率降低的主要原因
。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开
2020
－
27850
号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本公开鉴于上述事情，一个课题是提供一种半导体装置及其制造方法，能够更有效地形成覆盖从封固
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一引线；第二引线，其在与上述第一引线的厚度方向正交的方向上位于上述第一引线的旁边；第三引线，其在与上述厚度方向正交的方向上位于上述第二引线的旁边；第一半导体元件，其搭载于上述第一引线，而且与上述第二引线导通；封固树脂，其覆盖上述第一引线
、
上述第二引线及上述第三引线各自的一部分和上述第一半导体元件；以及包覆层，其含有金属元素，上述封固树脂具有朝向上述厚度方向的底面
、
以及与上述底面连接而且在与上述厚度方向正交的方向上朝向上述封固树脂的外方的外侧面，在上述封固树脂形成有从上述底面凹陷的凹部，上述凹部具有与上述底面连接而且在与上述厚度方向正交的方向上朝向上述封固树脂的内方的内侧面，上述第二引线具有从上述底面露出的背面
、
以及与上述背面连接而且从上述外侧面露出的侧面，上述包覆层覆盖上述背面以及上述侧面，上述凹部位于上述第一引线与上述第二引线之间，上述第一引线以及上述第三引线的至少任一个和上述第二引线具有从上述内侧面露出的内方端面
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述凹部是在与上述厚度方向正交的方向上延伸的槽，上述内侧面包含在与上述厚度方向以及上述凹部延伸的方向正交的方向上相互分离地配置的一对区域，上述内方端面从上述一对区域露出
。3.
根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述底面由上述凹部分断成多个区域
。4.
根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述凹部包含第一槽以及第二槽，上述第二槽与上述第一槽交叉
。5.
根据权利要求1至4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述第二引线的上述内方端面从上述侧面分离地配置
。6.
根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述第二引线的上述内方端面的面积比上述侧面的面积小
。7.
根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述第二引线的上述内方端面从上述背面分离地配置
。8.
根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，上述第二引线具有在上述厚度方向上朝向与上述背面相反的一侧的主面，上述内方端面与上述主面连接
。9.
根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述凹部具有在上述厚度方向上朝向与上述底面相同的一侧而且与上述内侧面连接的中间面，在上述厚度方向上，上述中间面位于比上述主面更...
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