【技术实现步骤摘要】
一种非理想椭偏系统的校准方法
[0001]本专利技术涉及光谱测量领域,更具体地,涉及一种非理想椭偏系统的校准方法
。
技术介绍
[0002]在半导体行业中,对光学关键尺度
(OCD)
的测量以及精细结构膜厚的测量,直接关系到生产样品的精度以及良率
。
椭偏仪因其非接触
、
无破坏
、
快速
、
高精度等优点,被广泛应用于半导体工艺监测
。
[0003]椭偏仪的基本配置可参见图1,主要包括光源1,起偏片2,第一旋转电机3,起偏复合波片4,待测样品5,检偏复合波片6,第二旋转电机7,检偏复合波片8以及光谱仪
9。
[0004]椭偏仪的系统校准与测量的基本原理过程为:
[0005]1、
自然光通过偏振片以及
(
旋转
)
波片后得到偏振光;
[0006]2、
偏振光经过标准样品材料的反射或者透射得到的新的偏振光;
[0007]3、
新 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种非理想椭偏系统的校准方法,其特征在于,包括:获取标准样件在测量系统的实测光强信息并进行归一化,得到标准样件的实测归一化光强信息;根据标准样件的实测归一化光强信息和理论归一化光强信息,拟合迭代出测量系统的系统参数,所述系统参数包括检偏复合波片的中心波长
、
检偏复合波片的光轴夹角
、
检偏复合波片的方位角
、
检偏复合波片的倾斜角
、
检偏电机转轴的倾斜角
、
检偏电机转轴的初始相位
、
起偏复合波片的中心波长
、
起偏复合波片的光轴夹角
、
起偏复合波片的方位角
、
起偏复合波片的倾斜角
、
起偏电机转轴的倾斜角
、
起偏电机转轴的初始相位
、
检偏片的方位角以及起偏片的方位角;获取待测样件的实测光强信息并进行归一化,得到待测样件的实测归一化光强信息;根据拟合迭代出的所述测量系统的系统参数,基于待测样件的实测归一化光强信息和理论归一化光强信息,拟合迭代出待测样件参数
。2.
根据权利要求1所述的非理想椭偏系统的校准方法,其特征在于,所述获取标准样件在测量系统的实测光强信息并进行归一化,得到标准样件的实测归一化光强信息,包括:获取标准样件设定时间段内多个不同时刻
t1、t2、t3、...、t
n
在测量系统中的实测光强信息,得到标准样件在设定时间段内的实测光强信息序列;对标准样件在设定时间段内的实测光强信息序列进行归一化,得到标准样件的实测归一化光强信息
。3.
根据权利要求2所述的非理想椭偏系统的校准方法,其特征在于,所述根据标准样件的实测归一化光强信息和理论归一化光强信息,拟合迭代出测量系统的系统参数,包括:当波片存在倾斜以及电机转轴存在倾斜时,构建测量系统的波片模型:其中
λ
i
为复合波片模型的第
i
个波片的中心波长,为复合波片模型的中第
i+1
个波片与第一个波片的光轴夹角,
M
t
为复合波片的等效穆勒矩阵,
θ
wp
为波片倾斜角,
θ
e
为电机转轴倾斜角,
ω
t+C0为复合波片快轴方位角,
λ
为波长,
φ
为电机转轴的初始相位;基于构建的测量系统的波片模型,构建测量系统的系统模型:其中
M
S
为样件穆勒矩阵,
M
P
、M
A
为起偏臂以及检偏臂的偏振片穆勒矩阵,
ω1、
ω2为第一旋转电机与第二旋转电机的转速,
M
wp01
以及
M
wp02
为起偏复合波片和检偏复合波片的穆勒矩阵,
R(A)
技术研发人员:刘亚鼎,陶泽,李江辉,王瑞,高威,夏小荣,
申请(专利权)人:武汉颐光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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