滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种滤波器

【技术实现步骤摘要】
滤波器、多工器、射频前端模组及滤波器的制备方法


[0001]本专利技术属于射频滤波
，涉及一种滤波器
、
多工器
、
射频前端模组及滤波器的制备方法
。

技术介绍

[0002]声波滤波器包括声表面波滤波器和体声波滤波器，其中，体声波滤波器由体声波谐振器组成，其由上而下依次设有上电极
、
压电层
、
下电极
、
声学镜以及支撑这四者的衬底
。
[0003]在梯形结构的滤波器中，一般可以分为串联臂谐振器和并联臂谐振器，为了改善滤波器的矩形度，通常会设置相应的电容器，该电容器可以是与串联臂谐振器并联，也可以是与并联臂谐振器并联或者串联
。
[0004]但现有技术中，电容器的设置往往会增加额外的工艺，使得整个滤波器的生产工艺复杂，工艺成本增加
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种滤波器
、
多工器
、
射频前端模组及滤波器的制备方法，旨在解决现有技术中电容器的设置往往会增加额外的工艺，使得整个滤波器的生产工艺复杂，工艺成本增加的问题
。
[0006]本专利技术实施例提供一种滤波器，包括电容器
、
金属层以及至少一个体声波谐振器；所述至少一个体声波谐振器和所述电容器均包括衬底
、
声学镜
、
下电极
、
压电层以及上电极；所述下电极位于所述压电层的下表面，所述上电极位于所述压电层的上表面，所述声学镜位于所述下电极和所述衬底之间，其中，所述至少一个体声波谐振器的衬底与所述电容器的衬底为同一衬底，所述至少一个体声波谐振器的压电层与所述电容器的压电层为同一压电层；所述电容器的下电极和所述电容器的上电极重叠的区域形成电容区；所述金属层位于所述压电层的上方，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，所述第一金属区和所述第二金属区同层设置，所述第一金属区与所述电容区重叠，所述第二金属区位于所述至少一个体声波谐振器的谐振区的边缘
。
[0007]可选的，所述电容器的频率不在所述滤波器的通带范围内
。。
[0008]可选的，在所述至少一个体声波谐振器的谐振区与所述电容区之间的区域内，所述金属层与所述下电极不重叠，所述上电极与所述下电极不重叠
。
[0009]可选的，所述至少一个体声波谐振器为并联臂谐振器；所述滤波器还包括质量加载层，所述质量加载层位于所述压电层的上方；在所述至少一个体声波谐振器的谐振区与所述电容区之间的区域内，所述质量加载层与所述下电极不重叠；所述质量加载层包括第一加载区和第二加载区，所述第一加载区与所述电容区重叠，所述第二加载区与所述至少一个体声波谐振器的谐振区重叠
。
[0010]可选的，所述至少一个体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，所述滤波器还包括走线和介质层；所述第一体声波谐振器与所述第二体声波谐振器之
间的上电极或下电极通过所述走线电性连接；所述介质层的至少一部分位于所述走线和所述衬底之间
。
[0011]可选的，所述介质层包括第一介质区和第二介质区；所述第一介质区与所述电容区重叠，所述第二介质区位于所述走线和所述衬底之间
。
[0012]可选的，所述压电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述电容区，所述第二区域位于所述至少一个体声波谐振器的谐振区；所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度
。
[0013]可选的，所述滤波器为梯型结构滤波器或混合型结构滤波器
。
[0014]可选的，所述电容器与所述至少一个体声波谐振器并联或者串联
。
[0015]本专利技术实施例还提供一种多工器，包括上述任一项所述的滤波器
。
[0016]本专利技术实施例还提供一种射频前端模组，包括上述任一项所述的滤波器
。
[0017]本专利技术实施例还提供一种滤波器的制备方法，包括：在衬底的上表面制备电容器的声学镜和至少一个体声波谐振器的声学镜；在所述衬底的上表面制备下电极，所述电容器的声学镜以及所述至少一个体声波谐振器的声学镜位于所述衬底与所述下电极之间，所述下电极包括所述电容器的下电极和所述至少一个体声波谐振器的下电极；制备压电层，所述压电层覆盖所述电容器的下电极的上表面和所述至少一个体声波谐振器的下电极的上表面；制备上电极和金属层；其中，所述上电极位于所述压电层的上表面，所述上电极包括所述电容器的上电极和所述至少一个体声波谐振器的上电极，所述电容器的下电极与所述电容器的上电极之间重叠的区域形成电容区；所述金属层位于所述压电层的上方，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，所述第一金属区和所述第二金属区同层设置，所述第一金属区与所述电容区重叠，所述第二金属区位于所述至少一个体声波谐振器的谐振区的边缘
。
[0018]可选的，所述制备上电极和金属层，包括：在所述压电层的上表面制备第一金属导电层；图案化所述第一金属导电层，以得到所述上电极；在所述第一金属导电层的上表面制备第二金属导电层；图案化所述第二金属导电层，以得到所述金属层
。
[0019]可选的，所述制备上电极和金属层，包括：在所述压电层的上表面制备第一金属导电层；图案化所述第一金属导电层，以得到所述金属层；在所述第一金属导电层的上表面制备第二金属导电层；图案化所述第二金属导电层，以得到所述上电极
。
[0020]在本专利技术实施例提供的滤波器
、
多工器
、
射频前端模组及滤波器的制备方法中，滤波器和体声波谐振器共用一个衬底和一个压电层，且电容器和体声波谐振器二者的声学镜同层设置
、
电容器和体声波谐振器二者的下电极同层设置
、
电容器和体声波谐振器二者的上电极同层设置
。
生产时，电容器和体声波谐振器二者的声学镜可以在同一工序中制备，电容器和体声波谐振器二者的下电极可以在同一工序中制备，电容器和体声波谐振器二者的上电极可以在同一工序中制备，这样制备滤波器时，不会额外增加工艺，从而可以简化滤波器的生产工艺
、
降低工艺成本
、
提高生产效率
。
[0021]第一金属区可以降低电容器的频率，第二金属区可以有效防止体声波谐振器的能量横向泄露
。
而且第一金属区和第二金属区同层设置，这样可以在同一工序中制备第一金属区和第二金属区，不会额外增加工艺，从而可以提高生产效率
。
附图说明
[0022]图1是本专利技术实施例一提供的滤波器的示意图一；
[0023]图2是本专利技术实施例一提供的滤波器的示意图二；
[0024]图3是本专利技术实施例一提供的滤波器的示意图三；
[0025]图4是本专利技术实施例一提供的滤波器的剖面示意图；
[0026]图5是本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种滤波器，其特征在于，包括电容器
、
金属层以及至少一个体声波谐振器；所述至少一个体声波谐振器和所述电容器均包括衬底
、
声学镜
、
下电极
、
压电层以及上电极；所述下电极位于所述压电层的下表面，所述上电极位于所述压电层的上表面，所述声学镜位于所述下电极和所述衬底之间，其中，所述至少一个体声波谐振器的衬底与所述电容器的衬底为同一衬底，所述至少一个体声波谐振器的压电层与所述电容器的压电层为同一压电层；所述电容器的下电极和所述电容器的上电极重叠的区域形成电容区；所述金属层位于所述压电层的上方，所述金属层包括第一金属区和第二金属区，所述第一金属区和所述第二金属区同层设置，所述第一金属区与所述电容区重叠，所述第二金属区位于所述至少一个体声波谐振器的谐振区的边缘
。2.
根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述电容器的频率不在所述滤波器的通带范围内
。3.
根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在所述至少一个体声波谐振器的谐振区与所述电容区之间的区域内，所述金属层与所述下电极不重叠，所述上电极与所述下电极不重叠
。4.
根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器为并联臂谐振器；所述滤波器还包括质量加载层，所述质量加载层位于所述压电层的上方；在所述至少一个体声波谐振器的谐振区与所述电容区之间的区域内，所述质量加载层与所述下电极不重叠；所述质量加载层包括第一加载区和第二加载区，所述第一加载区与所述电容区重叠，所述第二加载区与所述至少一个体声波谐振器的谐振区重叠
。5.
根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器包括第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，所述滤波器还包括走线和介质层；所述第一体声波谐振器与所述第二体声波谐振器之间的上电极或下电极通过所述走线电性连接；所述介质层的至少一部分位于所述走线和所述衬底之间
。6.
根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，所述介质层包括第一介质区和第二介质区；所述第一介质区与所述电容区重叠，所述第二介质区位于所述走线和所述衬底之间
。7.
根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述压电层包括第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜波，王华磊，霍振选，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：