基于零电流检测的谐振转换器控制制造技术

本申请案是针对基于零电流检测的谐振转换器控制

【技术实现步骤摘要】
基于零电流检测的谐振转换器控制
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请是申请号为
201911115077.2、
申请日为
2019
年
11
月
14
日
、
专利技术名称为“基于零电流检测的谐振转换器控制”的中国专利技术专利申请的分案申请
。
[0003]交叉相关申请参考
[0004]本专利申请案要求
2018
年
11
月
14
日提交的标题为“基于零电流检测的谐振转换器控制
(RESONANT CONVERTER CONTROL BASED ON ZERO CURRENT DETECTION)”的第
16/190,794
号美国专利申请案以及还有
2019
年4月8日提交的第
16/378,529
号美国专利申请案的优先权
。
每一前述公开案的内容的全文特此以引用的方式并入
。


[0005]本专利技术大体上涉及功率转换电路，且特定来说涉及利用一或多个基于
GaN
的半导体装置的功率转换电路
。

技术介绍

[0006]例如计算机
、
服务器和电视等等电子装置使用一或多个电能转换电路以将一种形式的电能转换成另一种形式的电能
。
一些电能转换电路使用称为半桥转换器的电路拓扑来将高
DC
电压转换成更低
DC
电压
。
因为许多电子装置对功率转换电路的大小和效率敏感，所以可能需要新型半桥转换器电路和组件来满足新型电子装置的需要
。

技术实现思路

[0007]一个专利技术性方面是一种
GaN
谐振电路
。
所述
GaN
谐振电路包含功率开关，所述功率开关经配置以根据一或多个栅极信号选择性地传导，且经配置以产生指示流过功率开关中的电流的值的开关信号
。
所述
GaN
谐振电路还包含经配置以响应于一或多个控制信号而产生栅极信号的功率开关驱动器，其中所述功率开关驱动器经配置以响应于所述开关信号指示流过功率开关的电流的值已转变越过阈值而使功率开关变为不传导
。
[0008]另一专利技术性方面是一种操作
GaN
谐振电路的方法
。
所述方法包含提供一或多个栅极信号以使功率开关变为选择性地传导
。
所述方法还包含以所述功率开关产生指示流过所述功率开关的电流的值的开关信号
。
所述方法还包含以功率开关驱动器响应于一或多个控制信号而产生栅极信号
。
所述方法还包含以功率开关驱动器响应于开关信号指示流过功率开关的电流的值已转变跨越阈值而使功率开关变为不传导
。
附图说明
[0009]图1是根据本专利技术的实施例的半桥式功率转换电路的简化示意图；
[0010]图2是图1中所说明的低侧控制电路内的电路的简化示意图；
[0011]图3是图1中所说明的第一电平移位晶体管的示意图；
[0012]图4是图1中所说明的电平移位驱动电路的示意图；
[0013]图5是图1中所说明的消隐脉冲产生器电路的示意图；
[0014]图6是图5中说明的消隐脉冲产生器内的波形的实例；
[0015]图7是图1中所说明的自举晶体管驱动电路的示意图；
[0016]图8是图1中所说明的低侧晶体管驱动电路的框图
[0017]图9是图1中所说明的启动电路的示意图；
[0018]图
10
是可用作图9的示意图中的二极管箝位器的一系列二极管连接式基于
GaN
的增强型晶体管；
[0019]图
11
是图1中所说明的
UVLO
电路的示意图；
[0020]图
12
是图1中所说明的自举电容器充电电路的示意图；
[0021]图
13
是相比于图
12
中所说明的电路的替代自举电容器充电电路的示意图；
[0022]图
14
是图1中所说明的高侧逻辑和控制电路的示意图；
[0023]图
15
是图
14
中所说明的第一电平移位接收器电路的示意图；
[0024]图
16
是图
14
中所说明的第二电平移位接收器电路的示意图；
[0025]图
17
是图
14
中说明的上拉触发电路的示意图；
[0026]图
18
是图
14
中所说明的高侧
UVLO
电路的示意图；
[0027]图
19
是图
14
中所说明的高侧晶体管驱动器电路的示意图；
[0028]图
20
是图
14
中说明的高侧参考电压产生电路的示意图；
[0029]图
21
是根据本专利技术的另一实施例的半桥式功率转换电路的简化示意图；
[0030]图
22
是图
21
中所说明的低侧控制电路内的电路的简化示意图；
[0031]图
23
是图
22
中所说明的第一电平移位晶体管的示意图；
[0032]图
24
是图
22
中所说明的反相器
/
缓冲器电路的示意图；
[0033]图
25
是图
22
中所说明的接通脉冲产生器电路的示意图；
[0034]图
26
是图
22
中所说明的关断脉冲产生器电路的示意图；
[0035]图
27
是图
22
中所说明的消隐脉冲产生器电路的示意图；
[0036]图
28
是图
22
中所说明的低侧晶体管驱动电路的示意图；
[0037]图
29
是图
21
中所说明的高侧控制电路内的电路的简化示意图；
[0038]图
30
是图
29
中所说明的电平移位1接收器电路的示意图；
[0039]图
31
是图
29
中所说明的电平移位2接收器电路的示意图；
[0040]图
32
是图
29
中所说明的高侧
UVLO
电路的示意图；
[0041]图
33
是图
29
中所说明的高侧晶体管驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电流感测电路，其包括：包括
GaN
的衬底；所述衬底上的第一基于
GaN
的开关，其中所述第一基于
GaN
的开关包括第一漏极
、
第一栅极和第一源极；及所述衬底上的第二基于
GaN
的开关，其中所述第二基于
GaN
的开关包括第二漏极
、
第二栅极和第二源极，其中通过所述第一基于
GaN
的开关的电流与通过所述第二基于
GaN
的开关的电流的比率大体上等于所述第一基于
GaN
的开关的宽度除以长度与所述第二基于
GaN
的开关的宽度除以长度的比率，且其中所述第一漏极电连接到所述第二漏极，且其中所述第一栅极电连接到所述第二栅极
。2.
根据权利要求1所述的电流感测电路，其进一步包括连接到所述第一源极且连接到所述第二源极的电阻元件
。3.
根据权利要求1所述的电流感测电路，其中所述第一基于
GaN
的开关包括第一场板，且其中所述第二基于
GaN
的开关包括第二场板
。4.
根据权利要求3所述的电流感测电路，其中所述第一场板电连接到所述第二场板
。5.
根据权利要求4所述的电流感测电路，其中所述第一场板和所述第二场板电连接到所述第二源极
。6.
根据权利要求1所述的电流感测电路，其进一步包括开关驱动器，所述开关驱动器具有连接到所述第一栅极和所述第二栅极的输出
。7.
根据权利要求6所述的电流感测电路，其进一步包括数字电路，所述数字电路具有连接到所述开关驱动器的输入的输出
。8.
根据权利要求7所述的电流感测电路，其中所述数字电路包括控制电路
。9.
根据权利要求1所述的电流感测电路，其进一步包括放大器，所述放大器具有连接到所述第二源极的输入
。10.
根据权利要求9所述的电流感测电路，其中所述放大器包括：运算跨导放大器
OTA
，其具有连接到所述第二源极的输入；和连接到所述
OTA
的输出的电阻元件
。11.
根据权利要求9所述的电流感测电路，其中所述放大器包括连接到控制电路的模拟输入的输出
。12.
根据权利要求
11
所述的电流感测电路，其中所述控制电路具有连接到开关驱动器的输入的输出，所述开关驱动器具有连接到所述第一栅极和所述第二栅极的输出
。13.
根据权利要求1所述的电流感测电路，其中所述第一基于<...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：纳维达斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：