【技术实现步骤摘要】
所描述的实施方案整体涉及电源转换器，并且更具体地，本实施方案涉及用于操作具有zvs绕组的非对称半桥反激式电源转换器的系统和方法。
技术介绍
1、电子设备(诸如，计算机、服务器和电视等)采用一个或多个电力转换电路将一种形式的电能转换为另一种形式的电能。一些电力转换电路使用开关电源，诸如，反激式转换器。开关电源可有效地将电力从电源转换为负载。与其他类型的电源转换器相比，开关电源可具有相对较高的电源转换效率。由于变压器尺寸和重量较小，开关电源也可能比线性电源更小更轻。
技术实现思路
1、在一些实施方案中，公开了一种电路。该电路包括：变压器，该变压器具有在第一端子与第二端子之间延伸的初级绕组，并且还包括在第三端子与第一输出端子之间延伸的次级绕组；第一开关，该第一开关具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子，该第一漏极端子耦接到该第二端子，并且该第一源极端子耦接到电源；第二开关，该第二开关具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子，该第二源极端子耦接到该第二端子，并且该第二漏极端子耦接到该电源；第三开关，该第三开关具有第三栅极端子、第三源极端子和第三漏极端子，该第三源极端子耦接到该第三端子，并且该第三漏极端子耦接到第二输出端子；和第一绕组，该第一绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向并且电磁耦接到该初级绕组。
2、在一些实施方案中，该电路还包括第四开关，该第四开关具有第四栅极端子、第四源极端子和第四漏极端子，其中该第四漏极端子耦接到该第一绕组。
3、在一些
4、在一些实施方案中，该第四开关被布置为在第一开关接通之前被接通。
5、在一些实施方案中，该第四开关是基于氮化镓(gan)的晶体管。
6、在一些实施方案中，该电路还包括耦接在该第一输出端子和该第二输出端子之间的负载，该负载两端具有输出电压。
7、在一些实施方案中，当该输出电压为高时，该第四开关被布置为减少该第四开关的接通时间，并且当该输出电压为低时，该第四开关被布置为增加该第四开关的该接通时间。
8、在一些实施方案中，该第一绕组被布置为具有大于该次级绕组的匝数和该第一绕组两端的电压的乘积除以该输出电压的匝数。
9、在一些实施方案中，该第四开关是硅基晶体管。
10、在一些实施方案中，该次级绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向。
11、在一些实施方案中，公开了一种电路。该电路包括：变压器，该变压器具有在第一端子与第二端子之间延伸的初级绕组，并且还包括在第三端子与第一输出端子之间延伸的次级绕组；第一开关，该第一开关具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子，该第一漏极端子耦接到该第二端子，并且该第一源极端子耦接到电源；第二开关，该第二开关具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子，该第二源极端子耦接到该第二端子，并且该第二漏极端子耦接到该电源；第三开关，该第三开关具有第三栅极端子、第三源极端子和第三漏极端子，该第三源极端子耦接到该第三端子，并且该第三漏极端子耦接到第二输出端子；第一绕组，该第一绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向并且电磁耦接到该初级绕组；低侧绕组，该低侧绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向，该低侧绕组耦接到该第一绕组；和高侧绕组，该高侧绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向，该高侧绕组耦接到该第一绕组。
12、在一些实施方案中，公开了一种电路。该电路包括：变压器，该变压器具有在第一端子与第二端子之间延伸的初级绕组，并且还包括在第三端子与第一输出端子之间延伸的次级绕组；第一开关，该第一开关具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子，该第一漏极端子耦接到该第二端子，并且该第一源极端子耦接到电源；第二开关，该第二开关具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子，该第二源极端子耦接到该第二端子，并且该第二漏极端子耦接到该电源；第三开关，该第三开关具有第三栅极端子、第三源极端子和第三漏极端子，该第三源极端子耦接到该第三端子，并且该第三漏极端子耦接到第二输出端子；低侧绕组，该低侧绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向并且电磁耦接到该初级绕组；和高侧绕组，该高侧绕组具有与该初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向，该高侧绕组耦接到该低侧绕组。
13、在一些实施方案中，该第一开关是gan基晶体管。
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1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，还包括第四开关，所述第四开关具有第四栅极端子、第四源极端子和第四漏极端子，其中所述第四漏极端子耦接到所述第一绕组。
3.根据权利要求2所述的电路，还包括第二绕组，所述第二绕组具有与所述初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向，所述第二绕组耦接到所述第一绕组。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第四开关被布置为在第一开关接通之前被接通。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第四开关是基于氮化镓(GaN)的晶体管。
6.根据权利要求2所述的电路，还包括耦接在所述第一输出端子和所述第二输出端子之间的负载，所述负载两端具有输出电压。
7.根据权利要求6所述的电路，其中当所述输出电压为高时，所述第四开关被布置为减少所述第四开关的接通时间，并且当所述输出电压为低时，所述第四开关被布置为增加所述第四开关的所述接通时间。
8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一绕组被布置为具有大于所述次级绕组的匝数和所述第一绕组两端的电压的乘积除以所述输出电压的匝数。
<...【技术特征摘要】
1.一种电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，还包括第四开关，所述第四开关具有第四栅极端子、第四源极端子和第四漏极端子，其中所述第四漏极端子耦接到所述第一绕组。
3.根据权利要求2所述的电路，还包括第二绕组，所述第二绕组具有与所述初级绕组的缠绕方向相反的缠绕方向，所述第二绕组耦接到所述第一绕组。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第四开关被布置为在第一开关接通之前被接通。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第四开关是基于氮化镓(gan)的晶体管。
6.根据权利要求2所述的电路，还包括耦接在所述第一输出端子和所述第二输出端子之间的负载，所述负载两端具有输出电压。
7.根据权利要求6所述的电路，其中当所述输出电压为高时，所述第四开关被布置为减少所述第四开关的接通时间，并且当所述输出电压为低时，所述第四开关被布置为增加所述第四开关的所述接通时间。
8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一绕组被布置为具有大于所述次级绕组的匝数和所述第一绕组两端的电压的乘积除以所述输出电压的匝数。
9.根据权利要求2所述的电路，其中所述第四开关是硅基晶体管。
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄秀成，杜韦静，周云，张国兴，
申请(专利权)人：纳维达斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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