一种电子器件，该电子器件包括衬底和形成在第一半导体管芯上、电耦接到该衬底的第一氮化镓(GaN)晶体管。第二GaN晶体管形成在第二半导体管芯上并且也电耦接到该衬底。一体式散热器热耦接到该第一氮化镓半导体管芯和该第二氮化镓半导体管芯，并且电...

本公开涉及使用GAN同步整流的用于电机驱动的系统和方法。公开了使用同步整流的用于GaN基电机驱动电路的系统和方法。在一个方面中，一种操作电机驱动电路的方法包括：提供半桥电路，该半桥电路包括在输出节点处串联耦接的高侧GaN开关和低侧GaN...

使用电容器进行电平转换的单片高侧基于GaN的电路。在一方面，功率转换器包括：基于GaN的管芯；开关，其形成在基于GaN的管芯上并具有栅极端子，其中该开关被设置成根据施加到栅极端子的驱动信号而选择性地导通；缓冲电路，其形成在基于GaN的管...

本申请涉及用于降低反激式DC

公开了用于减少辅助变压器绕组匝数的系统和方法。在一个方面，该电路包括变压器、二极管和电容器，其中所述变压器具有初级绕组、次级绕组和具备第一末端与第二末端的辅助绕组，所述二极管具有负极和正，所述正极耦合于辅助绕组的第一末端，所述电容器具有...

本公开涉及具有能量收集栅极驱动器的集成功率器件。公开了一种电子电路。所述电子电路包括：晶体管，所述晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子；和栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路包括：下拉晶体管，所述下拉晶体管耦合到所述栅极端子；和输入端子...

本公开涉及具有多种磁性材料的平面变压器。公开用于改进变压器中的绕组损耗的系统和方法。在一个方面中，变压器包含：第一磁芯，其具有内部部分和外部部分；第二磁芯，其与所述内部部分和所述外部部分接触；围绕所述内部部分形成的多个初级和次级绕组，其...

本公开涉及用于硅上GaN晶片的单粒化的系统和方法。公开了用于单粒化Si上GaN晶片的结构和相关技术。在一个方面中，一种半导体晶片包含硅层，以及安置在所述硅层上且限定各自延伸到所述硅层的多个沟槽的氮化镓(GaN)层。在另一方面中，所述Ga...

本公开涉及用于改善平面变压器中绕组损耗的系统和方法。在一个方面，一种变压器包括：第一磁芯，其具有与第二磁芯接触的第一部分和与所述第二磁芯分离距离d的第二部分；多个初级绕组，其围绕所述第二部分形成；第一次级绕组，其形成具有第一内径的第一层...

本公开提供了一种关断电路和功率转换器，并且涉及功率转换器技术领域。具体实施方式包括：电路系统，所述电路系统被布置为将晶体管的栅极端子处的电压从导通电压改变为关断电压，所述电路系统包括：第一电路，所述第一电路被布置为相对于时间以第一电压速...

本公开涉及二维电子气电荷密度控制。公开了用于控制氮化镓(GaN)装置中的二维电子气(2DEG)电荷密度的结构和相关技术。在一个方面，一种GaN装置包含化合物半导体衬底、形成于所述化合物半导体衬底中的源极区、形成于所述化合物半导体衬底中并...

公开用于氮化镓(GaN)高电压晶体管的场板结构。在一个方面中，一种晶体管包含GaN衬底、形成于所述GaN衬底上的源极区、形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离的漏极区、形成于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区、形成于所述GaN衬底上且...

公开自动检测功率转换器中的开关状态的系统及方法。在一个方面中，一种电力开关包含：第一开关，其联接在电力输入节点与负载的第一端子之间；第二开关，其联接在所述电力输入节点与所述负载的第二端子之间；第一电流感测装置及第二电流感测装置，其经布置...

一种电子变压器，包含：磁芯；以及围绕磁芯形成的第一初级绕组和第二初级绕组。第一次级绕组和第二次级绕组同样围绕磁芯形成，并且通过第一屏蔽绕组和第二屏蔽绕组与第一初级绕组和第二初级绕组屏蔽。辅助绕组提供辅助功率且位于与第一屏蔽绕组同一层上。...

本公开涉及用于GaN功率集成电路的热增强电子封装。一种电子功率转换组件包含导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子、至少一个I/O端子及裸片附接衬垫，其中所述源极端子与所述裸片附接衬垫电隔离。GaN基半导体裸片紧固到所述裸片...

本发明涉及利用一或多个基于GaN的半导体装置的功率转换电路。本发明揭示一种半桥式GaN电路。所述电路包含低侧功率开关、高侧功率开关以及高侧功率开关控制器，所述高侧功率开关控制器经配置以基于一或多个输入信号控制所述高侧功率开关的传导性。所...

本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基...