【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及控制半导体设备的系统和方法，并且更特别地，涉及使用单个电池充电器的双向功率流控制。
技术介绍
1、除非本文另有说明，否则本节中描述的材料不是本申请中权利要求的现有技术，并且不因为被包括在本节中而被承认是现有技术。
2、可充电消费电子设备通常包括电池和充电端口。通常，电子设备包括从充电端口对电池进行充电的电池充电器以及独立转换器(诸如dc-dc功率转换器)以将来自充电电池的功率输送到电子设备内的负载。在具有充电器和转换器两者的电子设备中，这些部件通常消耗大量的功率，因为它们通常同时通电，并且这两个部件通常需要相对较大的空间(例如，印刷电路板覆盖区)。此外，充电器和转换器是相对复杂且昂贵的部件。因此，同时具有电池充电器和转换器两者会影响电子设备的尺寸、重量、功耗和成本。随着消费电子设备变得越来越小，并且越来越一次性(disposable)，尺寸、重量和成本方面变得越来越重要。
技术实现思路
1、根据一个示例，大体上描述了一种半导体设备。该半导体设备可以包括充电器，该充电器被配置为以正向模式从充电接口向电池供电，并且以反向模式从电池向负载供电。该半导体设备可以包括：第一隔离开关，设置在充电接口与充电器之间；第二隔离开关，设置在充电器与负载之间；以及控制器，被配置为启用第一隔离开关并且以正向模式操作充电器，并且启用第二隔离开关并且以反向模式操作充电器。
2、根据此示例，充电器可以包括充电器控制器和功率级，并且充电器可以是单个双向降压-升压充电器。可以
3、根据另一示例，大体上描述了一种半导体设备。一种半导体设备可以包括控制器，该控制器被配置为启用设置在充电接口与充电器之间的第一隔离开关。响应于启用第一隔离开关以正向模式操作充电器以从充电接口向电池供电，启用设置在充电器与负载之间的第二隔离开关。响应于启用第二隔离开关以反向模式操作充电器以从电池向负载供电。
4、根据该示例，充电器可以包括充电器控制器和功率级，并且充电器可以是单个双向降压-升压充电器。可以响应于正向模式被启用而禁用反向模式，并且可以响应于反向模式被启用而禁用正向模式。控制器可以被配置为响应于电源被连接到充电接口而启用第一隔离开关，并且响应于电源从充电接口断开而启用第二隔离开关。第一隔离开关和第二隔离开关可以各自包括以共源极配置背靠背连接的一对n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)以用于反向电流阻断。该电池可以包括至少一个电池单元。充电接口可以是通用串行总线(usb)端口。负载可以是电阻性负载。
5、根据又一个示例，大体上描述了一种用于操作充电器的方法。该方法可以包括由控制器启用设置在充电接口与充电器之间的第一隔离开关。响应于启用第一隔离开关以正向模式操作充电器以从充电接口向电池供电，由控制器启用设置在充电器与负载之间的第二隔离开关，并且响应于启用第二隔离开关以反向模式操作充电器以从电池向负载供电。
6、根据该示例，充电器可以包括充电器控制器和功率级，并且充电器可以是单个双向降压-升压充电器。在启用第一隔离开关之前，该方法还可以包括确定电源连接到充电接口，并且如果第二隔离开关被启用，则禁用第二隔离开关。在启用第二隔离开关之前，该方法还可以包括确定电源没有连接到充电接口，并且如果第一隔离开关被启用，则禁用第一隔离开关。第一隔离开关和第二隔离开关可以各自包括以共源极配置背靠背连接的一对n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)以用于反向电流阻断。该电池可以包括至少一个电池单元。充电接口可以包括通用串行总线(usb)端口。负载可以是电阻性负载。
7、前述的
技术实现思路
仅是说明性的并且不旨在以任何方式进行限制。除了上面所描述的说明性的方面、实施例和特征之外，通过参考附图和以下具体实施方式，进一步的方面、实施例和特征将变得显而易见。在附图中，相同的附图标记指示相同或功能类似的元件。
【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述充电器包括充电器控制器和功率级，并且其中所述充电器是单个双向降压-升压充电器。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制器被配置为：
5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一隔离开关和所述第二隔离开关各自包括一对N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述一对N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以共源极配置背靠背连接以用于反向电流阻断。
6.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述电池包括至少一个电池单元。
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述充电接口是通用串行总线端口。
8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述负载是阻性负载。
9.一种半导体设备，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述充电器包括充电器控制器和功率级，并且其中所述充电器是单个双向降压-升压充电器。
11.根据权利要求9所述的半导体设备，其中：<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述充电器包括充电器控制器和功率级，并且其中所述充电器是单个双向降压-升压充电器。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制器被配置为：
5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述第一隔离开关和所述第二隔离开关各自包括一对n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述一对n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以共源极配置背靠背连接以用于反向电流阻断。
6.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述电池包括至少一个电池单元。
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述充电接口是通用串行总线端口。
8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述负载是阻性负载。
9.一种半导体设备，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述充电器包括充电器控制器和功率级，并且其中所述充电器是单个双向降压-升压充电器。
11.根据权利要求9所述的半导体设备，其中：
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦模，R·拉梅什，S·J·尼比尔，林成根，
申请(专利权)人：瑞萨电子美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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