【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及功率转换电路，且具体地说涉及利用一或多个基于gan的半导体装置的功率转换电路。
技术介绍
1、例如计算机、服务器和电视等等电子装置使用一或多个电能转换电路以将一种形式的电能转换成另一种形式的电能。一些电能转换电路使用称为半桥转换器的电路拓扑来将高dc电压转换成更低dc电压。因为许多电子装置对电力转换电路的大小和效率敏感，所以可能需要新型半桥转换器电路和组件来满足新型电子装置的需要。
技术实现思路
1、一个一般方面包含一种半桥式gan电路，其包含：经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电的低侧电源开关。所述半桥式gan电路还包含经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电的高侧电源开关和经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性的高侧电源开关控制器。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路。所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
2、实施方案可包含以下特征中的一或多个。在所述电路中，所述输入信号参考第一电压且电容耦合式信号参考第二电压。在所述电路中，所述第一电压是接地电压且所述第二电压根据所述输入信号而改变。所述电路进一步包含反相或非反相逻辑门，其具有基于功率节点的电压的输入阈值，其中所述功率节点的电压具有根据所述输入信号而改变的电压。在所述电路中，所述逻辑门的所述输入阈值根据所述功率节点的电压的改变而改变。在所述电路中，
3、一个一般方面包含一种电子组件，其包含：封装基底；以及固定到所述封装基底并包含电子电路的至少一个基于gan的裸片。所述电子电路包含经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电的低侧电源开关。所述电子电路还包含经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电的高侧电源开关和经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性的高侧电源开关控制器。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路。所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
4、实施方案可包含以下特征中的一或多个。在所述电子组件中，所述输入信号参考第一电压且电容耦合式信号参考第二电压。在所述电子组件中，所述第一电压是接地电压且所述第二电压根据所述输入信号而改变。所述电子组件进一步包含反相或非反相逻辑门，其具有基于功率节点的电压的输入阈值，其中所述功率节点的电压具有根据所述输入信号而改变的电压。在所述电子组件中，所述逻辑门的所述输入阈值根据所述功率节点的电压的改变而改变。在所述电子组件中，所述逻辑门的电源端连接到所述功率节点。所述电子组件进一步包含经配置以在vmid节点处产生供电电压的电压产生器，其中所述供电电压是基于所述功率节点的电压，其中所述逻辑门的接地端连接到所述vmid节点，且其中所述逻辑门的输入阈值电压介于所述功率节点的电压与所述vmid节点处的所述供电电压之间。在所述电子组件中，所述电压产生器包含齐纳二极管，且其中所述vmid节点处的所述供电电压大体上比所述功率节点的电压小了所述齐纳二极管的击穿电压。在所述电子组件中，所述高侧电源开关控制器进一步包含锁存器，其中所述逻辑电路经配置以基于所述锁存器的电容耦合式信号而产生一或多个锁存器输入信号，其中所述锁存器经配置以接收所述锁存器输入信号并基所述锁存器输入信号于而产生一或多个锁存器输出信号，且其中所述锁存器输出信号控制所述高侧电源开关的导电性。在所述电子组件中，所述高侧电源开关控制器进一步包含电源开关驱动器，其中所述驱动器经配置以接收所述锁存器输出信号并基于所述锁存器输出信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
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1.一种半桥式电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括控制电平移位电路，所述控制电平移位电路包括电平移位晶体管，其中所述控制电平移位电路经配置以通过产生电平移位信号而致使所述第一逻辑电路使所述高侧电源开关导电，其中所述电平移位信号的电压的温度相关性由所述电平移位晶体管的栅极到源极阈值电压的温度相关性决定，
3.根据权利要求2所述的半桥式电路，其进一步包括连接到所述电平移位晶体管的源极的电阻器，其中从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流比在所述电阻器的电阻为0的条件下从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流小大约50％。
4.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半桥式电路，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述DC电压。
8.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述DC电
9.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定电压产生器包括电平移位电路，所述电平移位电路包括电平移位晶体管，其中所述电平移位电路经配置以接收输入电压并产生输出电压，所述输出电压大体上等于所述第一供电电压减去所述输入电压减去所述电平移位电路的栅极到源极阈值电压。
10.根据权利要求9所述的半桥式电路，其中所述特定电压产生器进一步包括源极随耦器电路，所述源极随耦器电路经配置以产生所述特定供电电压。
11.一种使用GaN半桥式电路的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半桥式GaN电路进一步包括具有电平移位晶体管的控制电平移位电路，并且其中所述方法进一步包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述半桥式GaN电路进一步包括连接到所述电平移位晶体管的源极的电阻器，其中从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流比在所述电阻器的电阻为0的条件下从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流小大约50％。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述半桥式GaN电路进一步包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述半桥式GaN电路进一步包括Vdd产生器，并且其中所述方法进一步包括：
16.根据权利要求11所述的方法，其中所述半桥式GaN电路进一步包括特定电压产生器，并且其中所述方法进一步包括，利用所述特定电压产生器，接收所述DC电压并基于所述DC电压产生所述特定供电电压。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述DC电压。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述DC电压减去所述特定电压产生器的晶体管的栅极到源极阈值电压。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述特定电压产生器包括电平移位电路，所述电平移位电路包括电平移位晶体管，其中所述方法进一步包括利用所述电平移位电路接收输入电压并产生输出电压，所述输出电压大体上等于所述第一供电电压减去所述输入电压减去所述电平移位电路的栅极到源极阈值电压。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述特定电压产生器进一步包括源极随耦器电路，并且其中所述方法进一步包括利用所述源极随耦器电路产生所述特定供电电压。
...【技术特征摘要】
1.一种半桥式电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括控制电平移位电路，所述控制电平移位电路包括电平移位晶体管，其中所述控制电平移位电路经配置以通过产生电平移位信号而致使所述第一逻辑电路使所述高侧电源开关导电，其中所述电平移位信号的电压的温度相关性由所述电平移位晶体管的栅极到源极阈值电压的温度相关性决定，
3.根据权利要求2所述的半桥式电路，其进一步包括连接到所述电平移位晶体管的源极的电阻器，其中从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流比在所述电阻器的电阻为0的条件下从所述电平移位晶体管向所述电阻器传导的电流小大约50％。
4.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半桥式电路，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的半桥式电路，其进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述dc电压。
8.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定供电电压大体上等于所述第一供电电压减去所述dc电压减去所述特定电压产生器的晶体管的栅极到源极阈值电压。
9.根据权利要求6所述的半桥式电路，其中所述特定电压产生器包括电平移位电路，所述电平移位电路包括电平移位晶体管，其中所述电平移位电路经配置以接收输入电压并产生输出电压，所述输出电压大体上等于所述第一供电电压减去所述输入电压减去所述电平移位电路的栅极到源极阈值电压。
10.根据权利要求9所述的半桥式电路，其中所述特定电压产生器进一步包括源极随耦器电路，所述源极随耦器电路经配置以产生所述特定供电电压。
11.一种使用gan半桥式电路的方法，其包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：S·夏尔马，M·詹代利亚，D·M·金策，T·普尔巴里奇，
申请(专利权)人：纳维达斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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