双向升降压直流固态变压器及其控制方法技术

本发明专利技术涉及变压器控制技术领域，提出了一种双向升降压直流固态变压器及其控制方法

【技术实现步骤摘要】
双向升降压直流固态变压器及其控制方法、装置和介质


[0001]本专利技术涉及变压器控制
，具体而言，涉及一种双向升降压直流固态变压器及其控制方法
、
装置和介质
。

技术介绍

[0002]储能系统为通过电源储存电能的系统，储能系统包括多个直流电源和直流变压器，直流变压器用于调整多个直流电源之间的传输电压，但现阶段的直流变压器存在变压系数调整困难，变压效率较低等问题
。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的变压系数调整困难，变压效率较低等技术问题
。
[0004]为此，本专利技术的第一个方面在于提出一种双向升降压直流固态变压器
。
[0005]本专利技术的第二个方面在于提出一种双向升降压直流固态变压器的控制方法
。
[0006]本专利技术的第三个方面在于提出一种双向升降压直流固态变压器的控制装置
。
[0007]本专利技术的第四个方面在于提出另一种双向升降压直流固态变压器的控制装置
。
[0008]本专利技术的第五个方面在于提出一种可读存储介质
。
[0009]有鉴于此，根据本专利技术的第一个方面，提出了一种双向升降压直流固态变压器，双向升降压直流固态变压器用于第一直流电源和第二直流电源之间的电压转换，双向升降压直流固态变压器包括：第一连接端和第二连接端，第一连接端用于与第一直流电源连接，第二连接端用于与第二直流电源连接；第一半导体组件，第一半导体组件和第一连接端连接；在第一直流电源的电压大于第二直流电源的电压的情况下，第一半导体组件用于调整第一直流电源和第二直流电源之间的降压系数；第二半导体组件，第二半导体组件和第二连接端连接；在第一直流电源的电压小于第二直流电源的电压的情况下，第二半导体组件用于调整第一直流电源和第二直流电源之间的升压系数；电感组件，电感组件分别与第一半导体组件和第二半导体组件连接，电感组件储存第一直流电源或第二直流电源的电能
。
[0010]本技术方案中的双向升降压直流固态变压器包括第一半导体组件和第二半导体组件，在第一直流电源的电压大于第二直流电源的电压的情况下，通过第一半导体组件调整第一直流电源和第二直流电源之间的降压系数，在第一直流电源的电压小于第二直流电源的电压的情况下，通过第二半导体组件调整第一直流电源和第二直流电源之间的升压系数，大幅度提升了双向升降压直流固态变压器中变压系数的调整效率，进而提升了双向升降压直流固态变压器的变压效率，同时实现了直流固态变压器的双向升降压，扩展了双向升降压直流固态变压器的应用范围
。
[0011]根据本专利技术的第二个方面，提出了一种双向升降压直流固态变压器的控制方法，双向升降压直流固态变压器为上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器，双向升降压直流固态变压器用于储能系统，储能系统包括第一直流电源
、
第二直流电源和双向升
降压直流固态变压器，双向升降压直流固态变压器分别与第一直流电源和第二直流电源连接，双向升降压直流固态变压器的控制方法包括：获取第一直流电源和第二直流电源之间的第一变压系数；获取双向升降压直流固态变压器中第一半导体组件的第一温度和第二半导体组件的第二温度；根据第一温度和第二温度，将双向升降压直流固态变压器的第二变压系数调整为第一变压系数
。
[0012]本技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制方法根据第一温度和第二温度，将双向升降压直流固态变压器的第二变压系数调整为第一变压系数，保证了双向升降压直流固态变压器的运行性能，扩展了双向升降压直流固态变压器的应用范围
。
[0013]根据本专利技术的第三个方面，提出了一种双向升降压直流固态变压器的控制装置，双向升降压直流固态变压器为上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器，双向升降压直流固态变压器用于储能系统，储能系统包括第一直流电源
、
第二直流电源和双向升降压直流固态变压器，双向升降压直流固态变压器分别与第一直流电源和第二直流电源连接，双向升降压直流固态变压器的控制装置包括：获取模块，用于获取第一直流电源和第二直流电源之间的第一变压系数；获取模块，还用于获取双向升降压直流固态变压器中第一半导体组件的第一温度和第二半导体组件的第二温度；控制模块，用于根据第一温度和第二温度，将双向升降压直流固态变压器的第二变压系数调整为第一变压系数
。
[0014]本技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制装置根据第一温度和第二温度，将双向升降压直流固态变压器的第二变压系数调整为第一变压系数，保证了双向升降压直流固态变压器的运行性能，扩展了双向升降压直流固态变压器的应用范围
。
[0015]根据本专利技术的第四个方面，提出了一种双向升降压直流固态变压器的控制装置，包括处理器和存储器，存储器中存储有程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现如上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的步骤
。
因此，该双向升降压直流固态变压器的控制装置具备上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的全部有益效果，在此不再赘述
。
[0016]根据本专利技术的第五个方面，提出了一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，程序或指令被处理器执行时实现如上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制方法
。
因此，该可读存储介质具备上述任一技术方案中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的全部有益效果，在此不再赘述
。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到
。
附图说明
[0018]本专利技术的上述和
/
或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的电路示意图之一；图2示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的电路示意图之二；图3示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的电路示意图之三；图4示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的电路示意图之四；图5示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的电路示意图之五；
图6示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的流程示意图之一；图7示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的流程示意图之二；图8示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制方法的流程示意图之三；图9示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制装置的结构框图之一；图
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示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制装置的示意图；图
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示出了本专利技术的实施例中的双向升降压直流固态变压器的控制装置的结构框图之二；其中，图1至图5中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种双向升降压直流固态变压器，其特征在于，所述双向升降压直流固态变压器用于第一直流电源和第二直流电源之间的电压转换，所述双向升降压直流固态变压器包括：第一连接端和第二连接端，所述第一连接端用于与所述第一直流电源连接，所述第二连接端用于与所述第二直流电源连接；第一半导体组件，所述第一半导体组件和所述第一连接端连接；在所述第一直流电源的电压大于所述第二直流电源的电压的情况下，所述第一半导体组件用于调整所述第一直流电源和所述第二直流电源之间的降压系数；第二半导体组件，所述第二半导体组件和所述第二连接端连接；在所述第一直流电源的电压小于所述第二直流电源的电压的情况下，所述第二半导体组件用于调整所述第一直流电源和所述第二直流电源之间的升压系数；电感组件，所述电感组件分别与所述第一半导体组件和所述第二半导体组件连接，所述电感组件储存所述第一直流电源或所述第二直流电源的电能
。2.
根据权利要求1所述的双向升降压直流固态变压器，其特征在于，所述第一半导体组件包括第一半导体器件和第二半导体器件，所述降压系数为根据所述第一半导体器件处于导通状态和断开状态的时长比例与所述第二半导体器件的通断状态确定的系数；在所述第一半导体器件处于导通状态，所述第二半导体器件处于断开状态的情况下，所述第一半导体组件用于连通所述第一连接端和所述第二连接端；在所述第一半导体器件处于断开状态的情况下，所述第二半导体器件处于导通状态，所述第一半导体组件用于连通所述第二半导体器件和所述第二连接端；和
/
或所述第二半导体组件包括第三半导体器件和第四半导体器件，所述升压系数为根据所述第三半导体器件处于导通状态和断开状态的时长比例与所述第四半导体器件的通断状态确定的系数；在所述第三半导体器件处于导通状态，所述第四半导体器件处于断开状态的情况下，所述第二半导体组件用于连通所述第一连接端和所述第三半导体器件；在所述第三半导体器件处于断开状态的情况下，所述第四半导体器件处于导通状态，所述第二半导体组件用于连通所述第一连接端和所述第二连接端
。3.
根据权利要求2所述的双向升降压直流固态变压器，其特征在于，所述第一半导体器件包括第一绝缘栅晶体管
、
第二绝缘栅晶体管
、
第一二极管和第二二极管，所述第一绝缘栅晶体管的集电极和所述第一连接端的阳极连接，所述第二绝缘栅晶体管的发射极和所述第一连接端的阴极连接，所述第一二极管和所述第一绝缘栅晶体管反并联连接，所述第二二极管和所述第二绝缘栅晶体管反并联连接；所述第二半导体器件包括第三绝缘栅晶体管
、
第四绝缘栅晶体管
、
第三二极管和第四二极管，所述第三绝缘栅晶体管的集电极和所述第一绝缘栅晶体管的发射极连接，所述第四绝缘栅晶体管的发射极和所述第二绝缘栅晶体管的集电极连接，所述第三绝缘栅晶体管的发射极和所述第四绝缘栅晶体管的集电极连接，所述第三二极管和所述第三绝缘栅晶体管反并联连接，所述第四二极管和所述第四绝缘栅晶体管反并联连接
。4.
根据权利要求2所述的双向升降压直流固态变压器，其特征在于，所述第三半导体器件包括第五绝缘栅晶体管
、
第六绝缘栅晶体管
、
第五二极管和第六二极管，所述第五绝缘栅晶体管的发射极和所述第六绝缘栅晶体管的集电极连接，所述第五二极管和所述第五绝缘栅晶体管反并联连接，所述第六二极管和所述第六绝缘栅晶体管
反并联连接；所述第四半导体器件包括第七绝缘栅晶体管
...

【专利技术属性】
技术研发人员：官二勇，王世恩，
申请(专利权)人：京清数电北京技术有限公司，
类型：发明
国别省市：