一种bandgap电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种bandgap电路，涉及bandgap电路技术领域。该bandgap电路，包括电流产生模块，电压产生模块和运放器模块，所述电流产生模块，电压产生模块和运放器模块依次连接，其中：所述电流产生模块，用于产生正温度系数电流；所述电压产生模块，用于产生零温度特性参考电压；所述运放器模块，用于将输出的参考电压进行放大。通过设置电流产生模块，电压产生模块和运放器模块，运放器模块处于负反馈的状态下，使电压产生模块中的R4与R2的比值设定为11.653，在电源电压超过1.42V后，bandgap产生的电压几乎不再受到电源电压影响，稳定在1.2V左右。稳定在1.2V左右。稳定在1.2V左右。

【技术实现步骤摘要】
一种bandgap电路


[0001]本技术涉及bandgap电路
，具体为一种bandgap电路。

技术介绍

[0002]Bandgap电路是一种基于半导体材料特性的电路，它可以产生一个稳定的参考电压(参考电压源)，该电压源具有高温度稳定性和低电压温度系数。因此，Bandgap电路常用于模拟电路中的电压参考源和温度传感器的温度补偿。
[0003]Bandgap电路的基本结构包括PN结和二极管、电流源和运算放大器。它利用了PN结的电压﹣电流特性和二极管的温度﹣电压特性，通过设计合适的电路结构和参数，可以产生一个与温度变化基本无关的参考电压。该电压源的输出电压通常为1.2V左右，可以在宽温度范围内(通常是﹣40℃至125℃)保持高精度和稳定性。
[0004]Bandgap电路的应用十分广泛，包括电压参考源、ADC(模数转换器)和DAC(数模转换器)的参考电压、微处理器的参考电压等。
[0005]但是bandgap电路产生的电压会在一定程度上受到电源电压的影响，因此，如何设计使bandgap电路产生的电压不再受到电源电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种bandgap电路，包括电流产生模块，电压产生模块和运放器模块，其特征在于，所述电流产生模块，电压产生模块和运放器模块依次连接，其中：所述电流产生模块，用于产生正温度系数电流；所述电压产生模块，用于产生零温度特性参考电压；所述运放器模块，用于将输出的参考电压进行放大。2.根据权利要求1所述的一种bandgap电路，其特征在于，所述电流产生模块包括启动单元和电流产生单元，其中：所述启动单元通过将PMOS管以二极管的方式串联成电阻，接在电源电压上，向电流产生单元输送电流；所述电流产生单元包括三个尺寸相同的PMOS管，构成电流镜，使电流流过电压产生模块。3.根据权利要求2所述的一种bandgap电路，其特征在于：所述启动单元具体包括NMOS管M41和M43和若干个PMOS管，若干个所述PMOS管用二极管连接方式串联成电阻，接在电源电压上，产生电流，若干个所述PMOS管的D极和NMOS管M41的B极均与运放器模块的PSUB级连接,所述PMOS管串联后向电流产生单元输送电流；所述NMOS管M41的G极与电压产生模块连接，所述NMOS管M41的D极与PMOS管的D极连接后与运放器模块的HVBN极连接，所述NMOS管M41的S极和B极连接后接地；所述NMOS管M43的G极与PMOS管的G极连接，所述NMOS管M43的S极和D极接地，所述NMOS管M43的B极分别与运放器模块的HVBN极和PSUB级连接，所述NMOS管M43的D极还与运放器模块的PSUB级连接。4.根据权利要求2所述的一种bandgap电路，其特征在于：所述电流产生单元包括三个尺寸相同的PMOS管M1、M2和M3，所述PMOS管M1的S极和B极均与运放器模块的VDD极连接，所述PMOS管M2的S极和B极均与运放器模块的VDD极连接，所述PMOS管M3的S极和B极均与运放器模块的VDD极连接；所述PMOS管M1、M2和M3的D极均与运放器模块的PSUB模块连接，所述PMOS管M1的D极还与电压产生模块连接，所述PMOS管M1、M2和M3的G极均与运放器模块的VOUT极连接并接地。5.根据权利要求4所述的一种b...

【专利技术属性】
技术研发人员：张顺琳，池继富，
申请(专利权)人：上海芯稳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：