【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路，尤其涉及一种基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路、驱动芯片及电子设备。
技术介绍
1、传统的多采用(功率mosfet)驱动器电路，其被用来驱动电源系统的功率mosfet。通常，一个功率mosfet被连接用来给电感供应充电电压，而第二功率mosfet被连接用来使电感放电。第二功率mosfet经常被称作同步整流器，功率mosfet通常具有很大的栅极电容，其中为了启动和截止晶体管，栅极电容必须被驱动。为了供应足够的驱动电流对功率mosfet的电容进行充放电，驱动器电路具有很大的输出晶体管。驱动器电路通常从脉宽调制(pwm)控制器中接收脉宽调制(pwm)控制信号，并驱动适当的晶体管。这样的功率mosfet驱动器电路的例子是由on semiconductor of phoenix arizona公司生产的nc5355。在某些情况下，被驱动器电路中的单个驱动器使用的电源电压不会产生最有效的运行。
2、因此，希望有一种功率mosfet驱动器，其使用电源电压，该电源电压使得电源系统有效的运行。
技术实现思路
1、本技术提供了一种基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路、驱动芯片及电子设备，以解决现有的基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路中存在的驱动信号适用范围窄以及电压与电流大小与后续电路不适配的问题。
2、根据本技术的第一方面，提供了一种基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路，包括：
3、第一逆变模块、第二
4、所述第一逆变模块的第一端用于输入第一输入信号；所述第一逆变模块的第二端连接所述第二逆变信号的输入端；所述第一逆变模块用于根据接收到的第一输入信号产生第一电压信号，并将所述第一电压信号发送给所述第二逆变模块；
5、所述第二逆变模块的第二端连接所述第一缓冲模块的第一端；所述第二逆变模块用于根据接收到的所述第一电压信号产生第二电压信号，并将所述第二电压信号发送给所述第一缓冲模块；
6、所述第一逆变模块的第三端、所述第二逆变模块的第三端以及所述第一缓冲模块的第三端连接工作电压的正输出端；
7、所述第一逆变模块的第四端、所述第二逆变模块的第四端以及所述第三逆变模块的第四端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第一端连接工作电压的负输出端；所述第一电阻的第二端连接所述第一逆变模块的输入端；
8、所述第一缓冲模块的输出端用于输出第一驱动信号。
9、可选的，第一逆变模块包括：
10、第一npn三极管、第二npn三极管、第三npn三极管、第四npn三极管、第二电阻、第三电阻第四电阻；
11、所述第二电阻的第一端连接所述第一电阻的第二端，且用于输入所述第一输入信号，所述第二电阻的第二端连接所述第一npn三极管的基极；
12、所述第一npn三极管的集电极连接所述第二npn三极管的基极与所述第三电阻的第一端；
13、所述第三电阻的第二端连接所述第二npn三极管的集电极；所述第二npn三极管的发射极连接所述第三npn三极管的发射极；所述第三npn三极管的基极极连接所述第三npn三极管的发射极；
14、所述第三npn三极管的集电极连接所述第四npn三极管的集电极；
15、所述第一npn三级管的发射极连接所述第四npn三极管的基极与所述第四电阻的第一端；所述第四电阻的第二端连接所述第四npn三极管的发射极；
16、所述第四电阻的第二端连接所述工作电压的负输出端；所述第三电阻的第二端连接所述工作电压的正输出端；
17、所述第三npn三极管的集电极与所述第四npn三级管的集电极之间的结点连接所述第二逆变模块的第一端。
18、可选的，第二逆变模块包括：
19、第五npn三极管、第六npn三极管、第七npn三极管、第八npn三极管、第五电阻、第六电阻第七电阻；
20、所述第五电阻的第一端连接所述第三npn三极管的集电极与所述第四npn
21、三级管的集电极之间的结点；所述第五电阻的第二端连接所述第五npn三极管的基极；
22、所述第五npn三极管的集电极连接所述第六npn三极管的基极与所述第六电阻的第一端；
23、所述第六电阻的第二端连接所述第六npn三极管的集电极；所述第六npn三极管的发射极连接所述第七npn三极管的发射极；所述第七npn三极管的基极连接所述第七npn三极管的发射极；
24、所述第七npn三极管的集电极连接所述第八npn三极管的集电极；
25、所述第五npn三级管的发射极连接所述第八npn三极管的基极与所述第七电阻的第一端；所述第七电阻的第二端连接所述第八npn三极管的发射极；
26、所述第七电阻的第二端连接所述工作电压的负输出端；所述第六电阻的第二端连接所述工作电压的正输出端；
27、所述七npn三极管与所述第八npn三极管之间的结点连接所述第一缓冲模块的第一端。
28、可选的，所述第一缓冲模块
29、包括：第九npn三极管、第十npn三极管、第一pnp三极管、第二pnp三极管以及第八电阻；
30、所述第八电阻的第一端连接所述第七npn三极管与所述第八npn三极管之间的结点；所述第八电阻的第二端连接所述九npn三极管的基极与所述第一pnp三极管的基极；所述第九npn三极管的发射极连接所述第一pnp三极管的发射极；所述第九npn三极管的发射极与所述第一pnp三极管的发射极之间的结点连接所述第十npn三极管的基极与所述第二pnp三极管的基极；其中，所述第十pnp三极管的发射极连接所述第十npn三极管的基极；所述第十npn三极管的集电极连接所述第二pnp三极管的发射极；所述第二pnp三极管的集电极连接所述第一pnp三极管的集电极；所述第十npn三极管的集电极与所述第二pnp三极管的发射极之间的结点用于输出所述第一驱动信号；
31、所述第九npn三极管的集电极连接所述第一工作电压的正输出端；所述第一pnp三极管的集电极连接所述第一工作电压的负输出端。
32、根据本技术的第二方面，提供了一种驱动芯片，包括本技术第一方面任一项所述的基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路。
33、根据本技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括本技术第二方面所述的驱动芯片。
34、本技术提供的技术方案，通过设计电路为：第一逆变模块的第二端连接第二逆变信号的输入端；第一逆变模块用于根据接收到的第一输入信号产生第一电压信号，并将第一电压信号发送给第二逆变模块；第二逆变模块的第二端连接第一缓冲模块的第一端；第二逆变模块用于根据接收到的第一电压信号产生第二电压信号，并将第二电压信号发送给第一缓冲模块；第一逆变模块的第三端、第二逆变模块的第三端以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，第一逆变模块包括：
3.如权利要求2所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，第二逆变模块包括：
4.如权利要求3所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，所述第一缓冲模块
5.一种驱动芯片，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路。
6.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5所述的驱动芯片。
【技术特征摘要】
1.一种基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路，其特征在于，第一逆变模块包括：
3.如权利要求2所述的基于bipolar工艺的mosfet驱动器电路，其特征在于，第二逆变模块包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：张顺琳，池继富，
申请(专利权)人：上海芯稳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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